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本发明提供一种提高边抛大直径硅片表面洁净度的清洗工艺，包括以下步骤，对硅片进行碱溶液清洗；对硅片进行第一纯水清洗，去除硅片表面的碱溶液；对硅片进行酸溶液清洗；对硅片进行第二纯水清洗，去除硅片表面的酸溶液；对硅片进行第三纯水清洗；对硅片进行慢...该专利属于天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津中环领先材料技术有限公司;中环领先半导体材料有限公司授权不得商用。