【技术实现步骤摘要】
一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法
本专利技术涉及晶圆干燥
，具体为一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法。
技术介绍
在半导体晶圆清洗技术的需求，晶圆干燥技术不可或缺，至今已经形成了不同的晶圆产品有不同的晶圆干燥技术。晶圆干燥在湿法清洗工艺为最后收尾的动作，需要确保有效的移除晶圆表面的残余水分以及表面洁净度的控制，在干燥的方法的不断优化以进行干燥效率的提升，是晶圆清洗设备与技术开发需要特别重视的要点，使用于晶圆干燥工艺的方法有多种，但是现有的干燥方法无法在指定的时间内有效地对晶圆片进行批量干燥，故建立一种有效的干燥效率的晶圆干燥方法为现在进行晶圆湿法清洗技术需要进行改善的方面。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供了一种提供了干燥效率高的晶圆干燥方法，通过夹层区的设计以及气体流通路径的改善提高了晶圆片的干燥效率。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，提供一晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶圆的晶圆容纳室以及恒温恒压气体供应器，所述...
【技术保护点】
1.一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，其特征在于，提供一晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶圆的晶圆容纳室以及恒温恒压气体供应器，所述干燥腔室被设置为用于保留一种气体，所述干燥腔室包括第一入口和第一出口以及从所述第一入口延伸至第一出口的内壁结构，所述内壁结构包括夹层区；所述晶圆容纳室设置于干燥腔室内部，且包括若干与晶圆片相匹配的洗涤槽；所述恒温恒压气体供应器用于提供恒定温度的惰性气体并使其在恒定压力下沿干燥腔室内部形成的气体流通路径进行流动；/n干燥方法包括：/n步骤S1、将待干燥晶圆片置入晶圆容纳室内并使每个晶圆片均置入对应的洗涤槽内且相互之间间隔以形...
【技术特征摘要】
1.一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，其特征在于，提供一晶圆干燥装置，所述晶圆干燥装置包括干燥腔室、用于放置晶圆的晶圆容纳室以及恒温恒压气体供应器，所述干燥腔室被设置为用于保留一种气体，所述干燥腔室包括第一入口和第一出口以及从所述第一入口延伸至第一出口的内壁结构，所述内壁结构包括夹层区；所述晶圆容纳室设置于干燥腔室内部，且包括若干与晶圆片相匹配的洗涤槽；所述恒温恒压气体供应器用于提供恒定温度的惰性气体并使其在恒定压力下沿干燥腔室内部形成的气体流通路径进行流动；
干燥方法包括：
步骤S1、将待干燥晶圆片置入晶圆容纳室内并使每个晶圆片均置入对应的洗涤槽内且相互之间间隔以形成晶圆片间隙；
步骤S2、将恒温恒压气体供应器的输出端口与第一入口密封连接并使第一入口按照通气调整策略向干燥腔室内部通入恒温恒压惰性气体；
步骤S3、惰性气体经第一入口沿经过晶圆片的至少三条气体流通路径流动至干燥腔室内远离第一入口的一侧，并于该一侧流入夹层区的内部；
步骤S4、惰性气体在夹层区内远离第一入口一侧流入至靠近第一入口另一侧后经由第一出口排出。
2.根据权利要求1所述的一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，其特征在于，所述通气调整策略包括用于调整向干燥腔室内部喷射惰性气体的通断时间的通断时间控制步骤和用于调整向干燥腔室内部喷射惰性气体的角度的气流角度调节步骤。
3.根据权利要求2所述的一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，其特征在于，所述通断时间控制步骤被设置为依据晶圆片的湿润程度进行设定，所述气流角度调节步骤被设置为依据晶圆片的直径大小进行设定。
4.根据权利要求3所述的一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，其特征在于，所述通气时间设定为1秒，且通气时间与断气时间比值为1～10；所述气流喷射角度设置为以晶圆片垂直中心线为基准双向展开共100度-130度的幅度对晶圆片进行喷洒。
5.根据权利要求1所述的一种用于提升晶圆干燥效率的干燥方法，其特征在于，所述夹层区有且两个开口，包括设置于干燥腔室内远离第...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓信甫，许峯嘉，庄海云，李志峰，蔡嘉雄，
申请(专利权)人：至微半导体上海有限公司，江苏启微半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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