处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法制造方法及图纸

本申请提供了衬底处理设备、衬底处理方法和制造半导体装置的方法。所述衬底处理方法包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成等离子体光，同时对衬底执行蚀刻处理；接收参考光和等离子体光；以及，通过分析参考光和等离子体光来检测蚀刻结束点。检测蚀刻结束点包括补偿调整，补偿调整基于相对于等离子体光的发射信号的变化率的参考光的吸收信号的变化率。

Devices and methods for processing substrates and methods for manufacturing semiconductor devices using them

【技术实现步骤摘要】
处理衬底的设备和方法、和使用其制造半导体装置的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2018年11月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0145245的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本专利技术构思涉及处理衬底的设备和方法以及制造半导体装置的方法，更具体地，涉及检测蚀刻结束点的衬底处理设备、衬底处理方法以及使用其制造半导体装置的方法。
技术介绍
使用诸如沉积处理、离子注入处理、光刻处理和蚀刻处理之类的各种半导体制造处理来制造半导体装置。可以使用等离子体来执行一些半导体制造处理。由于半导体装置变得高度集成，半导体装置的结构复杂。特别地，近来已经开发了具有更加复杂结构的半导体装置。相应地，半导体制造处理更加复杂，因此通常需要更多的制造时间来制造半导体装置。
技术实现思路
本专利技术构思的一些示例实施例提供了衬底处理设备和方法，其具有改善的可检测性和可靠性。根据本专利技术构思的一些示例实施例，衬底处理方法可以包括：将衬底提供至处理腔室中；将参考光引入至处理腔室中；在处理腔室中生成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种衬底处理方法，包括：/n将衬底提供至处理腔室中；/n将参考光引入至所述处理腔室中；/n在所述处理腔室中生成等离子体光，同时对所述衬底执行蚀刻处理；/n接收所述参考光和所述等离子体光；和/n通过分析所述参考光和所述等离子体光来检测蚀刻结束点，/n其中，检测所述蚀刻结束点包括补偿调整，所述补偿调整基于相对于所述等离子体光的发射信号的变化率的所述参考光的吸收信号的变化率。/n

【技术特征摘要】
20181122 KR 10-2018-01452451.一种衬底处理方法，包括：
将衬底提供至处理腔室中；
将参考光引入至所述处理腔室中；
在所述处理腔室中生成等离子体光，同时对所述衬底执行蚀刻处理；
接收所述参考光和所述等离子体光；和
通过分析所述参考光和所述等离子体光来检测蚀刻结束点，
其中，检测所述蚀刻结束点包括补偿调整，所述补偿调整基于相对于所述等离子体光的发射信号的变化率的所述参考光的吸收信号的变化率。


2.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，
分析所述等离子光包括：获得所述等离子体光的发射信号的变化率，
分析所述参考光包括：获得所述参考光的吸收信号的变化率，并且
检测所述蚀刻结束点包括：通过将所述等离子体光的发射信号的变化率除以所述参考光的吸收信号的变化率来获得所述等离子体光的经补偿的发射信号。


3.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，
通过光源引入所述参考光，并且通过供应从射频电源生成的射频功率来引入所述等离子体光，并且
所述光源和所述射频电源同步，以使得与生成所述等离子体光同时地执行引入所述参考光。


4.根据权利要求3所述的衬底处理方法，其中，所述光源和所述射频电源以脉冲模式进行开启/关闭的切换，
其中，接收所述参考光和所述等离子体光包括：
在第一持续时间接收所述参考光和所述等离子体光；和
在第二持续时间选择性地接收所述等离子体光而没有所述参考光。


5.根据权利要求4所述的衬底处理方法，其中，接收所述参考光和所述等离子体光包括：
在所述第一持续时间，获得所述参考光的吸收信号和所述等离子体光的发射信号；和
在所述第二持续时间，获得所述等离子体光的发射信号。


6.根据权利要求5所述的衬底处理方法，其中，所述补偿调整包括：通过从在所述第一持续时间中获得的所述参考光的吸收信号和所述等离子体光的发射信号中消除在所述第二持续时间中获得的所述等离子体光的发射信号，来获得所述参考光的吸收信号。


7.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，接收所述参考光和所述等离子体光包括：过滤所述参考光和所述等离子体光的至少具有横电波模式的部分，并且接收所述参考光和所述等离子体光的剩余部分。


8.根据权利要求1所述的衬底处理方法，还包括：接收所述参考光和所述等离子体光以监控所述处理腔室的状况。


9.根据权利要求8所述的衬底处理方法，其中，监控所述处理腔室的状况包括：监控所述处理腔室的内表面的污染水平。


10.根据权利要求8所述的衬底处理方法，其中，监控所述处理腔室的状况包括：使用所述参考光的吸收信号来分析所述处理腔室中出现电弧的部件。


11.根据权利要求1所述的衬底处理方法，其中，将所述参考光引入至所述衬底腔室中包括：将所述参考光提供至所述处理腔室的侧壁上的第一视口，
其中，通过邻近于所述第一视口的第一准直器将所提供的所述参考光准直。


12.根据权利要求11所述的衬底处理方法，其中，接收所述参考光和所述等离子体光包括：将所述参考光和所述等离子体光提供至布置为面向所述处理腔室的侧壁的第二视口，
其中，通过邻近于所述第二视口的第二准直器将所提供的所述参考光和所述等离子体光准直。


13.一种衬底处理方法，包括：
将衬底提供至处理腔室中；
使用光源将参考光引入至所述处理腔室中；
使用射频电源提供射频功率来在所述处理腔室中生成等离子体光；和
通过接收所述参考光和所述等离子体光来监控所述处理腔室的状况，
其中，监控所述处理腔室的状况包括：
获得所述参考光的吸收信号和所述等离子体光的发射信号；
获得所述等离子体光的发射信号；和
通过从所述参考光的吸收信号和所述等离子体光的发射信号消除所述等离子体光的发射信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴世真，金教赫，宣钟宇，成德镛，李成基，李在铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR