集成电路的波浪形图案及其形成方法、集成电路技术

本申请涉及半导体制作技术领域，具体而言，涉及一种集成电路的波浪形图案的形成方法、集成电路的波浪形图案及集成电路，其中，此波浪形图案的形成方法包括：在基底上形成第一图案和第二图案，第一图案包括多个在第一方向上间隔排布的第一条形图案，第二图案包括多个在第二方向上间隔排布并与第一条形图案相交的第二条形图案；在基底上形成第三图案，第三图案位于第一图案和第二图案上，第三图案包括多个在第三方向上间隔排布并与第一条形图案及第二条形图案相交的第三条形图案；利用第三条形图案切断第一条形图案和第二条形图案，以使相邻第三条形图案之间形成波浪形图案。这样设计能够降低波浪形图案出现断线的情况，提高集成电路的制造良率。

Wave pattern of integrated circuit and its forming method, integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
集成电路的波浪形图案及其形成方法、集成电路
本申请涉及半导体制作
，具体而言，涉及一种集成电路的波浪形图案的形成方法、集成电路的波浪形图案及集成电路。
技术介绍
随着集成电路制造的发展，集成度越来越高，单位面积所包含的晶体管个数也在飞速增加。在制造工艺上衡量集成度的主要指标就是光刻工艺的分辨率，它用来区别硅片表面临近的特征图形的能力。目前，一般用关键尺寸(CD，CriticalDimension)来衡量分辨率R。其中，形成的关键尺寸越小，分辨率越好。为了获得更小的关键尺寸，可以从减小k1(此k1称为工艺因子或分辨率常数)方面改进。相关技术中，通常采用一次构图工艺加工出波浪形图案，但为了保证分辨率良好，k1值通常较小，因此，在采用一次构图工艺加工波浪形图案时，容易在波浪形图案的弯曲处出现断线的情况，降低了集成电路的制造良率。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种集成电路的波浪形图案的形成方法、集成电路的波浪形图案及集成电路，能够在保证分辨率良好的情况下，还可降低波浪形图案出现断线的情况，提高了集成电路的制造良率。本申请第一方面提供了一种集成电路的波浪形图案的形成方法，其包括：在基底上形成第一图案和第二图案，所述第一图案包括多个在第一方向上间隔排布的第一条形图案，所述第二图案包括多个在第二方向上间隔排布的第二条形图案，所述第二条形图案与所述第一条形图案相交；在所述基底上形成第三图案，所述第三图案位于所述第一图案和所述第二图案上，所述第三图案包括多个在第三方向上间隔排布的第三条形图案，所述第三条形图案与所述第一条形图案及所述第二条形图案相交；利用所述第三条形图案切断所述第一条形图案和所述第二条形图案，以使相邻所述第三条形图案之间形成波浪形图案，所述波浪形图案包括多个第一条形子片段及连接相邻所述第一条形子片段的第二条形子片段，所述第一条形子片段、所述第二条形子片段分别为所述第一条形图案、所述第二条形图案上的部分结构。在本申请的一种示例性实施例中，所述在基底上形成第一图案和第二图案，包括：采用一次构图工艺在所述基底上同时形成所述第一图案和所述第二图案。在本申请的一种示例性实施例中，所述采用一次构图工艺在所述基底上同时形成所述第一图案和所述第二图案，包括：在所述基底上形成图案层；在所述图案层上形成光刻胶；采用网状掩膜板对所述光刻胶进行光刻工艺，以形成网状光刻胶图案；使用所述网状光刻胶图案作为蚀刻掩膜对所述图案层进行蚀刻，以在所述基底上同时形成所述第一图案和所述第二图案。在本申请的一种示例性实施例中，所述网状掩膜板包括多条在所述第一方向上间隔排布的第一长条结构及多条在所述第二方向上间隔排布的第二长条结构，所述第一长条结构与所述第二长条结构相交且一体成型。在本申请的一种示例性实施例中，所述网状掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板包括多条在所述第一方向上间隔排布的第一长条结构，所述第二掩膜板包括多条在所述第二方向上间隔排布的第二长条结构。在本申请的一种示例性实施例中，在所述基底上形成第三图案，包括：采用第三掩膜板对所述第一图案和所述第二图案进行蚀刻工艺，以在所述基底上形成第三图案。在本申请的一种示例性实施例中，所述图案层包括位线层。在本申请的一种示例性实施例中，所述位线层包括依次形成的硅层、阻障层及金属层。本申请第二方面提供了一种集成电路的波浪形图案，其采用上述任一项所述的集成电路的波浪形图案的形成方法制作而成。本申请第三方面提供了一种集成电路，其包括上述所述的集成电路的波浪形图案。本申请提供的技术方案可以达到以下有益效果：本申请所提供的集成电路的波浪形图案的形成方法、集成电路的波浪形图案及集成电路，先在基底上形成第一图案和第二图案，此第一图案的第一条形图案与第二图案的第二条形图案相交，然后再在基底形成第三图案，此第三图案的第三条形图案与第一条形图案及第二条形图案相交；利用第三条形图案切断第一条形图案和第二条形图案，以使相邻第三条形图案之间形成波浪形图案，此波浪形图案包括多个第一条形子片段及连接相邻第一条形子片段的第二条形子片段。本申请中，采用多次构图工艺以加工出波浪形图案，这样相比于相关技术中采用一次构图工艺加工出波浪形图案的方案，在保证分辨率良好的情况下，可降低波浪形图案在其弯曲处出现断线的情况，提高了集成电路的制造良率。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例所述的集成电路的波浪形图案的形成方法的流程图；图2为图1中步骤S1的流程图；图3为本申请一具体实施例所述的集成电路的波浪形图案的形成方法的流程图；图4为图3中步骤S100的流程图；图5为图3中步骤S200的流程图；图6为本申请实施例所述的基底的示意图；图7为完成步骤S1002之后的示意图；图8为完成步骤S1004之后的示意图；图9为完成步骤S200之后的示意图；图10为完成步骤S300之后的示意图；图11为本申请一具体实施例中的集成电路的平面示意图。附图标记说明：图6至图11中：10、衬底；11、浅沟槽隔离；12、有源区；13、字线；130、栅氧化层；131、氮化钛层；132、字线导电层；133、绝缘层；14、波浪形位线图案；14a、第一条形位线结构；14aa，第一条形位线片段；14b、第二条形位线结构；14ba、第二条形位线片段；14c、第三条形图案；140、硅层；141、阻障层；142、金属层；15、位线沟槽；16、电容孔。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本申请将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路的波浪形图案的形成方法，其特征在于，包括：/n在基底上形成第一图案和第二图案，所述第一图案包括多个在第一方向上间隔排布的第一条形图案，所述第二图案包括多个在第二方向上间隔排布的第二条形图案，所述第二条形图案与所述第一条形图案相交；/n在所述基底上形成第三图案，所述第三图案位于所述第一图案和所述第二图案上，所述第三图案包括多个在第三方向上间隔排布的第三条形图案，所述第三条形图案与所述第一条形图案及所述第二条形图案相交；/n利用所述第三条形图案切断所述第一条形图案和所述第二条形图案，以使相邻所述第三条形图案之间形成波浪形图案，所述波浪形图案包括多个第一条形子片段及连接相邻所述第一条形子片段的第二条形子片段，所述第一条形子片段、所述第二条形子片段分别为所述第一条形图案、所述第二条形图案上的部分结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种集成电路的波浪形图案的形成方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一图案和第二图案，所述第一图案包括多个在第一方向上间隔排布的第一条形图案，所述第二图案包括多个在第二方向上间隔排布的第二条形图案，所述第二条形图案与所述第一条形图案相交；
在所述基底上形成第三图案，所述第三图案位于所述第一图案和所述第二图案上，所述第三图案包括多个在第三方向上间隔排布的第三条形图案，所述第三条形图案与所述第一条形图案及所述第二条形图案相交；
利用所述第三条形图案切断所述第一条形图案和所述第二条形图案，以使相邻所述第三条形图案之间形成波浪形图案，所述波浪形图案包括多个第一条形子片段及连接相邻所述第一条形子片段的第二条形子片段，所述第一条形子片段、所述第二条形子片段分别为所述第一条形图案、所述第二条形图案上的部分结构。


2.根据权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述在基底上形成第一图案和第二图案，包括：
采用一次构图工艺在所述基底上同时形成所述第一图案和所述第二图案。


3.根据权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述采用一次构图工艺在所述基底上同时形成所述第一图案和所述第二图案，包括：
在所述基底上形成图案层；
在所述图案层上形成光刻胶；
采用网状掩膜板对所述光刻胶进行光刻工艺，以形成网状光刻胶图案；
使用所述网...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34