一种芯片镭射切割后的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片镭射切割后的处理方法，是对晶圆进行镭射切割以及扩片处理，形成若干独立的芯片，然后将芯片浸泡于表面活性剂溶液中一段时间，将芯片移出表面活性剂溶液后浸入蚀刻液，通过蚀刻液蚀刻芯片边缘的烧融物，对蚀刻后的芯片进行清洗，清除表面残留的蚀刻液，将清洗后的芯片烘干。本发明专利技术在芯片进行镭射切割之后以及蚀刻之前，采用表面活性剂改善芯片表面的浸润性，一方面减少了蚀刻过程中烧融物颗粒回粘到芯片表面；另一方面避免在芯片蚀刻后传送至清洗环节的过程中烧融物颗粒附着到芯片表面，从而，改善了后续蚀刻清洗过程中烧融物颗粒停留在芯片表面的状况，提升了产品的外观良率。

A processing method of laser cutting chip

【技术实现步骤摘要】
一种芯片镭射切割后的处理方法
本专利技术涉及芯片切割的
，尤其涉及一种芯片镭射切割后的处理方法。
技术介绍
近年来，Ⅲ-Ⅴ族半导体应用越来越广泛，为了大幅度节约成本和提高制作效率，在大批量生产中往往在晶圆上沉积集成电路芯片，然后再分割成各个单元，最后再进行封装和焊接。晶圆切割技术对提高成品率和封装效率有着重要影响。传统的切割方法有金刚石划裂切割和轮刀切割，传统的切割方式存在问题有：1、宽切割槽(30-100um)，晶片利用率低；2、易产生裂纹、碎片、分层；3、刀具耗损快，需要消耗大量去离子水，增加成本等。镭射切割技术集光学、精密机械、电子技术和计算机技术于一体，与传统加工方法相比，它具有以下优点：1、加工速度快；2、窄切割槽(10-30um)，晶片利用率高；3、非接触加工，适合薄晶圆；4、自动化程度高，任意图形切割。因而，镭射切割技术逐渐取代了传统切割方法，得到应用。在镭射切割过程中会产生热应力，被分割后的芯片边缘存在一些烧融物，因而切割后需使用化学蚀刻的方法把烧融物蚀刻掉然后进行清洗，消除热应力，恢复芯片的机械强度。然而，常规方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片镭射切割后的处理方法，其特征在于包括以下步骤：/n1)对晶圆进行镭射切割以及扩片处理，形成若干独立的芯片；/n2)将芯片浸泡于表面活性剂溶液中；/n3)将芯片移出表面活性剂溶液然后浸入蚀刻液，通过蚀刻液蚀刻芯片边缘的烧融物；/n4)对蚀刻后的芯片进行清洗，清除表面残留的蚀刻液；/n5)将清洗后的芯片烘干。/n

【技术特征摘要】
1.一种芯片镭射切割后的处理方法，其特征在于包括以下步骤：
1)对晶圆进行镭射切割以及扩片处理，形成若干独立的芯片；
2)将芯片浸泡于表面活性剂溶液中；
3)将芯片移出表面活性剂溶液然后浸入蚀刻液，通过蚀刻液蚀刻芯片边缘的烧融物；
4)对蚀刻后的芯片进行清洗，清除表面残留的蚀刻液；
5)将清洗后的芯片烘干。


2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：步骤2)中，所述表面活性剂溶液包括以下几种：a、聚乙二醇3-5wt％、聚乙二醇辛基苯基醚2-4wt％，溶剂为水；b、聚氧化丙烯、聚氧化乙烯共聚物2-4wt％，聚氧乙烯化合物0.5-1.5wt％，溶剂为水；c、聚乙烯醇9-11wt％，乙氧基丙氧基化-C6-12-醇3-5wt％，溶剂为水。


3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：步骤2)中，所述芯片在所述表面活性剂溶液中浸泡60-180s。


4.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于：步骤3)中，是将所述芯片浸泡于所述蚀刻液中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，林科闯，伍燕辉，陈军，李华群，许章伟，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35