【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其是涉及一种外延结构及其制备方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)化合物半导体，由于具有宽的禁带宽度、高的击穿电场强度以及较好的导热性能等特性，被认为是当前已成功量产的性能最优异的功率半导体材料。使用sic基功率器件可显著减小电力电子系统的体积、重量和成本，提高功率密度，满足电力电子行业对更小、更轻、更高效的高功率电路系统需求。然而，sic功率器件的上车之路并不顺利，主要原因是sic衬底材料仍具有较高的缺陷水平，位错密度往往是硅材料的1000倍以上。各类长晶缺陷在物理气相输运生长过程中很难实现有效控制，导致最终构筑于sic衬底之上的功率器件在车规可靠性上相比硅基器件落后明显。
2、sic外延是sic产业链中承上启下的一个环节，其为下游sic器件制造提供了核心耐压层，同时兼具屏蔽某些衬底位错(基矢面位错bpd)的功能。不同于2000℃以上的长晶过程，外延过程依靠台阶流生长方式将生长温度降至1700℃以下，伴随而来的是外延堆垛层错(stacking fault,sf)诱发概率的增加，目前业内还无法做到“零...
【技术保护点】
1.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：由下至上依次层叠设置的衬底、包含至少一个缓冲单元的组合缓冲层以及漂移层；其中，每个所述缓冲单元包括氮掺杂缓冲单元和磷掺杂缓冲单元。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述磷掺杂缓冲单元和所述氮掺杂缓冲单元层叠设置；所述磷掺杂缓冲单元包括至少一个磷掺杂缓冲层；所述氮掺杂缓冲单元包括至少一个氮掺杂缓冲层。
3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述缓冲单元的数量小于或等于10。
4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括：
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构包括：由下至上依次层叠设置的衬底、包含至少一个缓冲单元的组合缓冲层以及漂移层；其中，每个所述缓冲单元包括氮掺杂缓冲单元和磷掺杂缓冲单元。
2.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述磷掺杂缓冲单元和所述氮掺杂缓冲单元层叠设置；所述磷掺杂缓冲单元包括至少一个磷掺杂缓冲层；所述氮掺杂缓冲单元包括至少一个氮掺杂缓冲层。
3.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述缓冲单元的数量小于或等于10。
4.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述外延结构还包括：
5.根据权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述漂移层为包含磷和氮的共掺漂移层，所述漂移层的厚度为5-100nm，氮和磷共掺杂浓度在...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾为，杜伟华，李毕庆，江协龙，郑元宇，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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