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本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种外延结构及其制备方法，该外延结构包括：由下至上依次层叠设置的衬底、包含至少一个缓冲单元的组合缓冲层以及漂移层；其中，每个所述缓冲单元包括氮掺杂缓冲单元和磷掺杂缓冲单元。本申请提供的外延结构，通过在衬底表...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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