一种半导体工件清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体工件清洗方法，包括：将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。采用本发明专利技术实施例，能有效清除半导体工件的表面残渣，清洗效率高。

A cleaning method of semiconductor workpiece

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工件清洗方法
本专利技术涉及工件清洗领域，尤其涉及一种半导体工件清洗方法。
技术介绍
在电子产品组装过程中会由于误操作出现大量的不合格品，这些不合格品在没有质量问题的情况下，可以通过返工而重新装配，但是与外界接触后的半导体工件上会有残留物质，因此重新装配前要将半导体工件产品进行清洗，可清除半导体工件表面的残留物和污染物，如微粒、有机物和无机物金属离子等。现有技术常用的清洗方法中，首先用IPA(丙醇)溶剂进行初步清洗，然后用超声波震荡清洗，最后进行干燥。但是清洗的效果很不理想，表面仍然有残余物，而且效率很低下。现有技术的清洗方法非常粗糙，不能有效的将半导体工件清洗干净。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种半导体工件清洗方法，能有效清除半导体工件的表面残渣，清洗效率高。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种半导体工件清洗方法，包括：将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。与现有技术相比，本专利技术公开的半导体工件清洗方法，首先，将半导体工件置于去离子水中，采用超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；然后，将所述半导体工件置于碱溶液中，采用超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；最后，将所述半导体工件置于酸溶液中，采用超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作，通过酸洗和碱洗两种方式，且结合超声波，可以洗得更加充分，效果更好，能够彻底清除所述半导体工件表面上的残留物。本专利技术公开的半导体工件清洗方法解决了现有技术中的清洗方法非常粗糙，不能有效的将半导体清洗干净的问题，能有效清除半导体工件的表面残渣，清洗效率高。作为上述方案的改进，所述进行完所述二次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。作为上述方案的改进，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。作为上述方案的改进，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：对进行完所述三次清洗操作后的所述半导体工件进行干燥，温度为70～80℃。作为上述方案的改进，所述第一预设时间段为8～10min；所述第一预设频率为100～150kHZ；所述去离子水的温度维持在35～40℃。作为上述方案的改进，所述第二预设时间段为18～22min；所述第二预设频率为100～150kHZ；所述碱溶液的温度维持在10～20℃。作为上述方案的改进，所述第三预设时间段为8～10min；所述第三预设频率为100～150kHZ；所述酸溶液的温度维持在10～20℃。作为上述方案的改进，所述碱溶液包括20～30kg的NaOH、4～6L的碱性消泡剂与400～600L的去离子水。作为上述方案的改进，所述酸溶液为质量浓度为3％的柠檬酸溶液。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种半导体工件清洗方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。参见图1，图1是本专利技术实施例提供的一种半导体工件清洗方法的流程图；包括：S1、将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；S2、进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；S3、进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。具体的，在步骤S1中，所述第一预设时间段为8～10min；所述第一预设频率为100～150kHZ；所述去离子水的温度维持在35～40℃。优选的，所述半导体工件为电路板。通过所述去离子水的漂洗能初步去除所述半导体工件的化学药液残留和颗粒杂质。其中，所述去离子水就是去掉了水中的除氢离子、氢氧根离子外的其他由电解质溶于水中电离所产生的全部离子，即去掉溶于水中的电解质物质。由于电解质溶于水中电离所产生的离子能增大水的导电能力，所述去离子水纯度自然用电导率来衡量，所述去离子水基本用离子交换法制得，但所述去离子水中可以含有不能电离的非电解质，如乙醇等。具体的，在步骤S2中，所述第二预设时间段为18～22min；所述第二预设频率为100～150kHZ；所述碱溶液的温度维持在10～20℃。优选的，所述碱溶液包括20～30kg的NaOH、4～6L的碱性消泡剂与400～600L的去离子水。其中，NaOH(氢氧化钠)极易溶于水，溶解时放出大量的热，在水处理中可作为碱性清洗剂，溶于乙醇和甘油；不溶于丙醇、乙醚；与氯、溴、碘等卤素发生歧化反应。所述碱性消泡剂能够降低所述碱溶液的表面张力，抑制所述碱溶液的泡沫产生或消除已产生泡沫。优选的，所述进行完所述二次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。能够将所述半导体工件上残留的所述碱溶液初步清洗干净。具体的，在步骤S3中，所述第三预设时间段为8～10min；所述第三预设频率为100～150kHZ；所述酸溶液的温度维持在10～20℃。温度维持在10～20℃，是担心酸碱溶液有一定的腐蚀性，如果温度太高，对其他电子元件会造成损伤。优选的，所述酸溶液为质量浓度为3％的柠檬酸溶液。其中，柠檬酸是一种重要的有机酸，又名枸橼酸，无色晶体，常含一分子结晶水，无臭，有很强的酸味，易溶于水。通过将所述柠檬酸溶于水中制成所述柠檬酸溶液。进一步的，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。能够清洗掉所述半导体工件上残留的柠檬酸溶液，且在用所述去离子水进行清洗后所述半导体工件的pH值为7，即需要确保用所述去离子水冲洗所述半导体工件直至pH值为7。进一步的，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：对进行完所述三次清洗操作后的所述半导体工件进行干燥，温度为70～80℃。本专利技术实施例可以采用异丙醇蒸汽进行干燥，通过所述异丙醇蒸汽将所述半导体表面的水分带走，从而完成整个清洗过程，当然可以采取其他的干燥方法进行干燥，本专利技术实施例对此不做具体限定。下面以具体实施例对本专利技术进行说明：首先，先将所述半导体工件用去离子水进行水洗，温度维持在35℃，在100kHZ的频率下超声清洗8min；然后，用所述碱溶液对所述半导体工件进行清洗，在100kHZ的频率下超声清洗本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工件清洗方法，其特征在于，包括：/n将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；/n进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；/n进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工件清洗方法，其特征在于，包括：
将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；
进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；
进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。


2.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述二次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。


3.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。


4.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：对进行完所述三次清洗操作后的所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘曙，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44