一种半导体工件清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体工件清洗方法，包括：将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。采用本发明专利技术实施例，能有效清除半导体工件的表面残渣，清洗效率高。

A cleaning method of semiconductor workpiece

【技术实现步骤摘要】
一种半导体工件清洗方法
本专利技术涉及工件清洗领域，尤其涉及一种半导体工件清洗方法。
技术介绍
在电子产品组装过程中会由于误操作出现大量的不合格品，这些不合格品在没有质量问题的情况下，可以通过返工而重新装配，但是与外界接触后的半导体工件上会有残留物质，因此重新装配前要将半导体工件产品进行清洗，可清除半导体工件表面的残留物和污染物，如微粒、有机物和无机物金属离子等。现有技术常用的清洗方法中，首先用IPA(丙醇)溶剂进行初步清洗，然后用超声波震荡清洗，最后进行干燥。但是清洗的效果很不理想，表面仍然有残余物，而且效率很低下。现有技术的清洗方法非常粗糙，不能有效的将半导体工件清洗干净。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种半导体工件清洗方法，能有效清除半导体工件的表面残渣，清洗效率高。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种半导体工件清洗方法，包括：将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体工件清洗方法，其特征在于，包括：/n将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；/n进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；/n进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体工件清洗方法，其特征在于，包括：
将半导体工件置于去离子水中，在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作；
进行完所述一次清洗操作后，将所述半导体工件置于碱溶液中，在第二预设时间段内采用第二预设频率的超声波对所述半导体工件进行二次清洗操作；
进行完所述二次清洗操作后，将所述半导体工件置于酸溶液中，在第三预设时间段内采用第三预设频率的超声波对所述半导体工件进行三次清洗操作。


2.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述二次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。


3.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：采用去离子水对所述半导体工件进行冲洗。


4.如权利要求1所述的半导体工件清洗方法，其特征在于，所述进行完所述三次清洗操作后，还包括：对进行完所述三次清洗操作后的所述半...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘曙，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44