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本发明公开了一种半导体工件清洗方法,包括:将半导体工件置于去离子水中,在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作;进行完所述一次清洗操作后,将所述半导体工件置于碱溶液中,在第二预设时间段内采用第二预设频率的超...该专利属于东莞新科技术研究开发有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过东莞新科技术研究开发有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体工件清洗方法,包括:将半导体工件置于去离子水中,在第一预设时间段内采用第一预设频率的超声波对所述半导体工件进行一次清洗操作;进行完所述一次清洗操作后,将所述半导体工件置于碱溶液中,在第二预设时间段内采用第二预设频率的超...