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本发明公开了一种芯片镭射切割后的处理方法，是对晶圆进行镭射切割以及扩片处理，形成若干独立的芯片，然后将芯片浸泡于表面活性剂溶液中一段时间，将芯片移出表面活性剂溶液后浸入蚀刻液，通过蚀刻液蚀刻芯片边缘的烧融物，对蚀刻后的芯片进行清洗，清除表面...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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