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本发明提供了一种晶圆清洗方法及半导体器件制作方法，在同一清洗槽内，先采用酸洗混合溶液来对晶圆表面进行第一次清洗，以去除所述晶圆表面上的大部分光刻掩蔽层，仅剩余一些残余物，再采用漂洗混合溶液对所述晶圆的表面进行第二次清洗，以去除所述残余物，由...
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