晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，在对在外周具有倒角部的晶片进行加工的情况下，不增加将晶片外周部去除的工序而能够防止晶片的破损。该晶片的加工方法是在外周具有倒角部(Wd)的晶片(W)的加工方法，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：在距离晶片外周缘为规定距离的内侧的位置沿着外周缘照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束，形成从晶片正面(Wa)达到完工厚度(L1)的深度的环状改质区域(M)；对晶片外周部照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束，在晶片外周部呈放射状形成多个从晶片正面(Wa)达到完工厚度(L1)的深度的改质区域(N)；对晶片背面(Wb)进行磨削，使晶片薄化至完工厚度(L1)。

Wafer processing method

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法
本专利技术涉及晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部。
技术介绍
在对晶片的背面进行磨削而使其薄化时，在晶片的外周的倒角部形成所谓的锐边，有可能在锐边产生缺损而损伤晶片。为了防止该情况，广泛采用如下的所谓边缘修剪：在磨削前，利用切削刀具将倒角部去除(例如参照专利文献1)。但是，与通常的切割中所使用的例如宽度为20μm左右的切削刀具相比，在边缘修剪中，使用宽度为1mm左右的较厚的刀具，并且不是呈直线状而是呈环状对晶片进行切削，因此切削负荷比通常的切割大，容易在形成于晶片的外周缘的切削槽的缘部产生被称为崩边的缺损或裂纹。并且，当裂纹到达器件时，会损伤器件，因此成为问题。另一方面，当为了抑制崩边或裂纹而以低速进行边缘修剪时，生产率变差。因此，提出了如下的方法：对晶片照射激光束而将晶片分割成内周部和外周部，将外周部去除然后对晶片进行磨削(例如参照专利文献2)。专利文献1：日本特开2000-173961号公报专利文献2：日本特开2006-108532号公报但是，在上述方法中，由于增加了将晶片的外周部去除的工序，存在生产率降低的问题。
技术实现思路
由此，本专利技术的目的在于提供晶片的加工方法，当对在外周具有倒角部的晶片进行加工时，不增加将晶片的外周部去除的工序而能够防止晶片的破损。根据本专利技术，提供晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：环状改质区域形成步骤，在距离晶片的外周缘为规定距离的内侧的位置沿着该外周缘照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的环状改质区域；外周部改质区域形成步骤，对晶片的外周部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的该外周部呈放射状形成多个至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的改质区域；以及背面磨削步骤，在实施了该环状改质区域形成步骤和该外周部改质区域形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削，将晶片薄化至该完工厚度，在该背面磨削步骤中，一边以该环状改质区域和多个该改质区域为起点将晶片的该外周部从晶片去除一边进行磨削。优选本专利技术的晶片的加工方法还具有如下的研磨步骤：在实施了所述背面磨削步骤之后，对所述背面进行研磨。根据本专利技术的晶片的加工方法，在磨削中，晶片的外周部通过环状改质区域而呈环状从晶片的内周部断开，因此能够防止由于在晶片的边缘产生的缺损或裂纹使晶片的形成有器件的内周部破损。另外，被断开的外周部通过呈放射状延伸的多个外周部改质区域较细地分割，因此能够在磨削中去除。由于还具有在实施了背面磨削步骤之后对背面进行研磨的研磨步骤，从而能够提高晶片的抗弯强度。附图说明图1是示出晶片的一例的剖视图。图2是示出环状改质区域形成步骤的剖视图。图3是将形成于晶片的环状的改质区域放大而示出的剖视图。图4是示出外周部改质区域形成步骤的剖视图。图5是将呈放射状形成于晶片的外周部的改质区域放大而示出的剖视图。图6是示出在整个外周部的区域内呈放射状形成有改质区域的晶片的俯视图。图7是示出开始进行晶片的背面的磨削的状态的剖视图。图8是示出在背面磨削步骤中一边以环状改质区域和多个改质区域为起点将晶片的外周部从晶片去除一边进行磨削的状态的剖视图。图9是示出对晶片的背面进行研磨的状态的剖视图。图10是示出对形成有环状改质区域和多个改质区域并且在正面上粘接有载体晶片的晶片的背面进行磨削的状态的剖视图。图11是示出对形成有环状改质区域和多个改质区域并且在正面上粘接有载体晶片的晶片的背面进行研磨的状态的剖视图。标号说明W：晶片；Wa：晶片的正面；Wa1：器件区域；Wa2：外周剩余区域；D：器件；S：分割预定线；Wb：晶片的背面；Wd：倒角部；T：保护带；1：激光加工装置；10：保持工作台；10a：保持面；11：激光束照射单元；111：聚光器；111a：聚光透镜；119：激光束振荡器；14：对准单元；140：相机；M：环状改质区域；M1：改质层；C：裂纹；N：形成于外周部的放射状的改质区域；7：磨削装置；75：卡盘工作台；75a：保持面；71：磨削单元；710：旋转轴；713：安装座；714：磨削磨轮；8：研磨装置；85：卡盘工作台；85a：保持面；80：研磨单元；800：主轴；801：安装座；802：研磨垫；T2：载体晶片。具体实施方式以下，对本专利技术实施方式的晶片的加工方法的各步骤进行说明。(1)环状改质区域形成步骤图1所示的晶片W例如是以硅作为母材的外形为圆形的半导体晶片，在其正面Wa上设置有器件区域Wa1和围绕器件区域Wa1的外周剩余区域Wa2。器件区域Wa1由垂直的多条分割预定线S划分成格子状，在划分成格子状的各区域内分别形成有IC等器件D。在图1中朝向下方的晶片W的背面Wb成为之后进行磨削的被磨削面。晶片W的外周缘进行了倒角加工，形成有剖面为大致圆弧状的倒角部Wd。另外，除了硅以外，晶片W还可以由砷化镓、蓝宝石、氮化镓或碳化硅等构成。在环状改质区域形成步骤中，在距离作为晶片W的外周缘的倒角部Wd为规定距离的内侧的位置沿着外周缘照射对于晶片W具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片W的正面Wa达到完工厚度的深度的环状改质区域。具体而言，将晶片W例如搬送至图2所示的激光加工装置1。激光加工装置1至少具有：保持工作台10，其对晶片W进行吸引保持；以及激光束照射单元11，其能够照射对于保持工作台10所保持的晶片W具有透过性的波长的激光束。另外，在将晶片W搬送至激光加工装置1之前，在其正面Wa上粘贴保护带T而成为器件D受保护的状态。保持工作台10能够绕Z轴方向的轴心旋转，并且能够通过未图示的移动单元在作为加工进给方向的X轴方向和作为分度进给方向的Y轴方向上往复移动。保持工作台10例如其外形为圆形状，保持工作台10具有平坦的保持面10a，该保持面10a由多孔部件构成，对晶片W进行保持。并且，与保持面10a连通的未图示的吸引源所产生的吸引力传递至保持面10a，从而保持工作台10能够在保持面10a上对晶片W进行吸引保持。激光束照射单元11使从YAG等激光振荡器119射出的激光束LB经由传送光学系统而入射至聚光器111的内部的聚光透镜111a，从而能够对激光束进行会聚而照射至保持工作台10所保持的晶片W。激光束LB的聚光点P的高度位置能够通过未图示的聚光点位置调整单元在Z轴方向上进行调整。激光加工装置1具有对准单元14，该对准单元14识别晶片W的外周缘的坐标位置和晶片W的中心的坐标位置。对准单元14具有：未图示的光源；以及相机140，其由捕捉来自晶片W的反射光的光学系统和对在光学系统中成像的被摄体像进行光电转换而输出图像信息的拍摄元件等构成。如图2所示，使粘贴于正面Wa的保护带T朝向下侧而将晶片W载置于保持工作台10的保持面10a上，通过保持工作台10对晶片W进行吸引保持。保持工作台10的旋转中心与晶片W的中心大致一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部，其中，/n该晶片的加工方法具有如下的步骤：/n环状改质区域形成步骤，在距离晶片的外周缘为规定距离的内侧的位置沿着该外周缘照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的环状改质区域；/n外周部改质区域形成步骤，对晶片的外周部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的该外周部呈放射状形成多个至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的改质区域；以及/n背面磨削步骤，在实施了该环状改质区域形成步骤和该外周部改质区域形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削，将晶片薄化至该完工厚度，/n在该背面磨削步骤中，一边以该环状改质区域和多个该改质区域为起点将晶片的该外周部从晶片去除一边进行磨削。/n

【技术特征摘要】
20181127 JP 2018-2210141.一种晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
环状改质区域形成步骤，在距离晶片的外周缘为规定距离的内侧的位置沿着该外周缘照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的环状改质区域；
外周部改质区域形成步骤，对晶片的外周部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的该外周部呈放射...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆昕，Z·宝维斯，E·艾森伯格，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本;JP