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一种基于金属粉末制备半导体氧化物薄膜的方法技术
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文档序号:24414916
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一种基于金属粉末制备半导体金属氧化物薄膜的方法,其特征在于:包括前驱液制备和氧化物薄膜制备两个步骤,前驱液制备具体是以金属粉末溶解于双氧水、氨水和去离子水组成的混合液中,充分搅拌溶解12h,再陈化2~4h制得前驱液;氧化物薄膜制备具体是将制...
该专利属于重庆文理学院所有,仅供学习研究参考,未经过重庆文理学院授权不得商用。
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