半导体结构的制造方法技术

一种半导体结构的制造方法，包括沉积一硅层，其包括位于多个条形体上方的第一部以及填入于条形体之间的沟槽内的第二部。条形体突出高于一基体结构。上述方法还包括实施退火而容许部分的硅层的第一部朝向沟槽的下部移动，并实施蚀刻而去除硅层的若干部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法
本公开实施例涉及一种半导体技术，且具体涉及一种半导体结构的制造方法，以在间隙填充过程中减少缝隙及孔洞及鳍部弯曲。
技术介绍
集成电路(integratedcircuit,IC)材料与设计的技术进展造就了各个IC世代，每一世代的电路都比前世代来得更小更为复杂。在IC进展课题中，功能密度(即，单位芯片面积的内连装置数量)普遍增加，而几何尺寸则缩小。上述尺寸微缩工艺因生产效率的增加及相关成本的降低而有所助益。上述尺寸微缩工艺也已增加IC加工及制造的复杂度，而因应这些进展，IC加工及制造需要类似的演进。举例来说，现已导入鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistors,FinFETs)来取代平面式晶体管。鳍式场效晶体管(FinFETs)的结构以及鳍式场效晶体管(FinFETs)的制造方法正逐步发展中。
技术实现思路
根据一些实施例，提供一种半导体结构的制造方法，包括︰沉积一第一硅层，其中第一硅层包括：一第一部，位于突出高于一基体结构的多个条形体上方；以及一第二部，填入条形体之间的多个沟槽内；实施一第一退火而容许部分的第一硅层的第一部朝向沟槽的下部移动；以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，包括︰沉积一第一硅层，其中该第一硅层包括：一第一部，位于突出高于一基体结构的多个条形体上方；以及一第二部，填入所述多个条形体之间的多个沟槽内；实施一第一退火而容许部分的该第一硅层的该第一部朝向所述多个沟槽的下部移动；以及对该第一硅层实施一第一蚀刻而去除该第一硅层的若干部分。

【技术特征摘要】
2017.09.29 US 15/720,0871.一种半导体结构的制造方法，包括︰沉积一第一硅层，其中该第一硅层包括：一第一部，位于突出高于一基体结构的多个条形体上方；以及一第二部，填入所述多个条形体之间的多个沟槽内；实施一第一退火而容许部分的该第一硅层的该第一部朝向所述多个沟槽的下部移动；以及对该第一硅层实施一第一蚀刻而去除该第一硅层的若干部分。2.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括：沉积一第二硅层；实施一第二退火，以对该第一硅层及该第二硅层进行退火；以及对该第一硅层及该第二硅层实施一第二蚀刻。3.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中所述多个条形体包括多个半导体鳍部，且该制造方法还包括形成一虚置栅极介电层于所述多个半导体鳍部上，而该第一硅层沉积于该虚置栅极介电层上。4.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，还包括图案化该第一硅层而形成一虚置栅极堆叠。5.如权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其中于介于450℃至600℃之间的温度实施该第一退火。6.一种半导体结构的制造方法，包括︰形成多个源极/漏极区于多个半导体鳍部上，其中所述多个半导体鳍部位于多个虚置栅极堆叠之间；形成一介电层于所述多个源极/漏极区及所述多个虚置栅极堆叠上；将一半导体材料完全填满位于所述多个虚置栅极堆叠之间的多个沟槽，其中完全填满所述多个沟槽包括：实施一第一沉积-退...

【专利技术属性】
技术研发人员：余德伟，陈建豪，张家敖，梁品筑，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71