低温多晶硅显示面板制造方法技术

本发明专利技术公开一种低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅。本发明专利技术可避免所述非晶硅层上因残留有空气中粒子或金属离子而使生成的多晶硅晶格产生缺陷的问题。

Manufacturing Method of Low Temperature Polycrystalline Silicon Display Panel

The invention discloses a manufacturing method of low temperature polycrystalline silicon display panel, which includes: vacuum environment providing step, including providing a vacuum environment; substrate providing step, including providing a glass substrate; next silicon oxide layer forming step, including forming a first silicon oxide layer onto the glass substrate; and silicon nitride layer forming step, including forming a silicon nitride layer to the next oxidation. On the silicon layer; the forming step of the silicon oxide layer includes forming the silicon oxide layer onto the silicon nitride layer; the forming step of the amorphous silicon layer includes forming an amorphous silicon layer onto the silicon oxide layer in the vacuum environment; the forming step of the protective layer includes forming a protective layer onto the amorphous silicon layer; and the annealing step includes quasi-partitioning the amorphous silicon layer. Sublaser annealing is used to form polycrystalline silicon on the amorphous silicon layer. The invention can avoid the defect of the polycrystalline silicon lattice formed on the amorphous silicon layer due to the residual particles or metal ions in the air.

【技术实现步骤摘要】
低温多晶硅显示面板制造方法
本专利技术是有关于一种低温多晶硅显示面板制造方法，其可避免在对一非晶硅(a-Si)层实施准分子激光退火(Excimer-LaserAnnealing,ELA)的工艺之前，所述非晶硅层上残留有自空气中附着的粒子或是金属离子，导致所述非晶硅层所形成的多晶硅的晶格产生缺陷而降低显示面板良率的问题。
技术介绍
低温多晶硅(LowTemperaturePoly-silicon,LTPS)为新一代薄膜晶体管液晶显示器((ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)技术，所述技术与传统非晶硅显示器最大差异在于LTPS反应速度相对较快，且有高亮度、高解析度、以及低耗电量等优点。在制造低温多晶硅显示面板的工艺中，需要通过准分子激光退火(Excimer-LaserAnnealing,ELA)工艺来在非晶硅(a-Si)层上生成多晶硅(Poly-Si)，此前需要对非晶硅(AmorphousSilicon,a-Si)表面做清洁处理，以改善TFT电性。现有技术的准分子激光退火工艺是暴露在一般大气环境下而进行而无法防止气流流动导致粒子或金属离子附着在非晶硅层上，因此在所述工艺中必须采用氢氟酸加臭氧(HF+O3)对所述非晶硅层的表面进行清洁，避免粒子或金属离子残留。若是非晶硅层表面未完全清洁而残留有粒子或金属离子，则所述非晶硅层表面容易氧化，在对所述非晶硅层进行激光结晶而形成多晶硅时，残留在所述非晶硅层的粒子或金属离子会吸收激光能量，导致所述非晶硅层上形成的多晶硅晶格产生许多缺陷，而影响低温多晶硅成品电性均匀性。此外，非晶硅层表面的自然氧化层存在凹凸不平的结构缺陷，所述结构缺陷亦是通过上述的氢氟酸(HF)去除，接着用O3在所述清洁过的非晶硅层表面再形成氧化硅(SiO)覆盖层。然而，由于用氢氟酸进行清洁的步骤在一般大气环境下进行，无法避免清洁后又有粒子或是金属离子残留于非晶硅层表面的问题，且使用氢氟酸容易造成产品污染与环境污染。故，有必要提供一种低温多晶硅显示面板制造方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种低温多晶硅显示面板制造方法，其可避免在对一非晶硅(a-Si)层实施准分子激光退火(Excimer-LaserAnnealing,ELA)的工艺之前，所述非晶硅层上残留有自空气中附着的粒子或是金属离子，导致所述非晶硅层所形成的多晶硅的晶格产生缺陷而降低显示面板良率的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅(SiO)层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；以及退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅(Poly-Si)。在本专利技术的一实施例中，所述保护层形成步骤是在所述真空环境中执行。在本专利技术的一实施例中，所述退火步骤是在所述真空环境中执行。在本专利技术的一实施例中，所述基板提供步骤、所述下一氧化硅层形成步骤、所述氮化硅层形成步骤、所述上一氧化硅层形成步骤、以及所述退火步骤的至少一者是在所述真空环境中执行。在本专利技术的一实施例中，所述基板提供步骤、所述下一氧化硅层形成步骤、所述氮化硅层形成步骤、以及所述上一氧化硅层形成步骤均在所述真空环境中执行。在本专利技术的一实施例中，所述真空环境为一真空室。在本专利技术的一实施例中，所述真空室连接有一真空泵，所述真空泵用于对所述真空室抽真空。在本专利技术的一实施例中，在所述非晶硅层形成步骤之后，以氢氟酸及臭氧对所述非晶硅层进行清洗，再执行所述保护层形成步骤。在本专利技术的一实施例中，所述保护层为一氧化硅。与现有技术相比较，本专利技术的低温多晶硅显示面板制造方法，通过至少将所述非晶硅层形成步骤在所述真空环境中执行，而非在一般大气环境中执行，可避免大气中的尘埃粒子以及金属离子残留在所述非晶硅层上残留有自空气中附着的粒子或是金属离子，导致所述a-Si层所形成的多晶硅的晶格产生缺陷而降低显示面板良率的问题，因此，本专利技术低温多晶硅显示面板制造方法通过准分子激光退火步骤所生成的多晶硅层具有相较于现有技术具有较好的晶格排列结构，避免晶格缺陷，进而提升了显示面板的良率以及品质。此外，在形成所述非晶硅层后，由于所述非晶硅层表面所残留的粒子及金属离子显著减少，因此，以氢氟酸及臭氧对所述非晶硅的清洗的步骤成为非必要的步骤，藉此提升显示面板制程的效率并减少环境污染。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，幷配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是一本专利技术低温多晶硅显示面板制造方法在一真空环境下执行的的示意图。图2是本专利技术低温多晶硅显示面板制造方法的步骤流程图。具体实施方式请参照图1及图2，本专利技术低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤S01、基板提供步骤S02、下一氧化硅层形成步骤S03、氮化硅层形成步骤S04、氮化硅层形成步骤S04、上一氧化硅层形成步骤S05、非晶硅层形成步骤S06、保护层形成步骤S07、以及退火步骤S08。所述真空环境提供步骤S01包括提供一真空环境100。在本专利技术的一实施例中，所述真空环境100为一真空室。所述真空室连接有一真空泵110，所述真空泵110用于对所述真空室抽真空。所述真空泵110可全程对所述真空室抽真空以维持真空室内的真空度。或者，所述真空泵110也可选择性特定的步骤执行时才对所述真空室抽真空，以较有效率地维持所述真空室的真空条件，并避免因持续抽真空而过于耗电的问题。所述基板提供步骤S02包括提供一玻璃基板10。所述下一氧化硅层形成步骤S03包括形成一下一氧化硅层20到所述玻璃基板10上。所述氮化硅层形成步骤S04包括形成一氮化硅层30到所述下一氧化硅层20上。所述上一氧化硅层形成步骤S05包括形成一上一氧化硅层40到所述氮化硅层30上。在本专利技术的一实施例中，所述保护层形成步骤S07是在所述真空环境100中执行。所述非晶硅层形成步骤S06包括在所述真空环境100中，形成一非晶硅层50到所述上一氧化硅层40上。所述保护层形成步骤S07包括形成一保护层60到所述非晶硅层50上。在本专利技术的一实施例中，所述保护层60为一氧化硅。所述退火步骤S08包括对所述非晶硅层50进行准分子雷射退火(Excimer-LaserAnnealing,ELA)以在所述非晶硅层50上形成多晶硅(Poly-Si)。在本专利技术的一实施例中，所述退火步骤S08是在所述真空环境100中执行。在本专利技术的一实施例中，在所述非晶硅层形成步骤S06之后，以氢氟酸及臭氧对所述非晶硅层50进行清洗，再执行所述保护层形成步骤S07。在本专利技术的一实施例中，所述基板提供步骤S02、所述下一氧化硅层形成步骤S03、所述氮化硅层形成步骤S04、所述上一氧化硅层形成步骤S05、以及所述退火步骤S08的至少一者是在所述真空环境100中执行。在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；以及退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅。

【技术特征摘要】
1.一种低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；上一氧化硅层形成步骤，包括形成一上一氧化硅层到所述氮化硅层上；非晶硅层形成步骤，包括在所述真空环境中，形成一非晶硅层到所述上一氧化硅层上；保护层形成步骤，包括形成一保护层到所述非晶硅层上；以及退火步骤，包括对所述非晶硅层进行准分子雷射退火以在所述非晶硅层上形成多晶硅。2.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述保护层形成步骤是在所述真空环境中执行。3.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法，其特征在于：所述退火步骤是在所述真空环境中执行。4.如权利要求1所述低温多晶硅显示面板制造方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：江艺，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42