半导体结构的制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体结构的制作方法，首先，提供一基底，基底上定义有一密集区以及一宽疏区，接着形成一第一介电层于该密集区以及该宽疏区上内，然后形成多个第一凹槽于该密集区中的该第一介电层内，以及形成一第二凹槽于该宽疏区中的该第一介电层内，其中该第二凹槽的一宽度大于该第一凹槽的一宽度三倍以上，接下来，形成一第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽内，其中该第二介电层位于该宽疏区的一顶部高于该第二介电层位于该密集区的一顶部，以及进行一回蚀刻步骤，移除该密集区内以及该宽疏区内的该第二介电层。

Fabrication of Semiconductor Structures

The invention discloses a method for fabricating a semiconductor structure. Firstly, a base is provided, a dense area and a wide sparse area are defined on the base, then a first dielectric layer is formed in the dense area and the wide sparse area, then a plurality of first grooves are formed in the first dielectric layer of the dense area, and a second groove is formed in the first dielectric layer of the wide sparse area. The width of the second groove is more than three times the width of the first groove. Next, a second dielectric layer is formed to fill the first groove and fill the second groove. The second dielectric layer is located at the top of the wider groove than the second dielectric layer is located at the top of the dense zone, and an etching step is carried out to remove the dense zone and the second groove. The second dielectric layer in the sparse region.

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法
本专利技术涉及半导体制作工艺领域，尤其是涉及一种包含自对准步骤的半导体制作工艺，且能减少制作工艺中所使用的光掩模次数的方法。
技术介绍
随着场效晶体管(FieldEffectTransistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non-planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(FinFieldEffectTransistor,FinFET)元件取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋趋势。然而，当场效晶体管元件的尺寸逐渐缩小时，其中各部分的区域的电性及物理要求也日趋严苛；例如，鳍状结构的尺寸、形状以及彼此的间距等，如何达到所需的规格要求以及克服各物理极限形成此些结构并达成此些条件已为现今半导体产业的重要议题。现有技术中，若基底上存在有不同区域(例如宽疏区与密集区)，各区域中的元件密度不均，而使得不同区域内的蚀刻步骤，需要用不同的光掩模分别进行。如此一来，需要花费更多的心力。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体结构的制作方法，首先，提供一基底，基底上定义本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的制作方法，包含：提供一基底，基底上定义有一密集区以及一宽疏区；形成一第一介电层于该密集区以及该宽疏区上内；形成多个第一凹槽于该密集区中的该第一介电层内，以及形成一第二凹槽于该宽疏区中的该第一介电层内，其中该第二凹槽的一宽度大于该第一凹槽的一宽度三倍以上；形成一第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽内，其中该第二介电层位于该宽疏区的一顶部高于该第二介电层位于该密集区的一顶部；以及进行一回蚀刻步骤，移除该密集区内以及该宽疏区内的该第二介电层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，包含：提供一基底，基底上定义有一密集区以及一宽疏区；形成一第一介电层于该密集区以及该宽疏区上内；形成多个第一凹槽于该密集区中的该第一介电层内，以及形成一第二凹槽于该宽疏区中的该第一介电层内，其中该第二凹槽的一宽度大于该第一凹槽的一宽度三倍以上；形成一第二介电层填满该第一凹槽内以及填满第二凹槽内，其中该第二介电层位于该宽疏区的一顶部高于该第二介电层位于该密集区的一顶部；以及进行一回蚀刻步骤，移除该密集区内以及该宽疏区内的该第二介电层。2.如权利要求1所述的制作方法，其中该回蚀刻步骤完全移除该密集区内的该第二介电层。3.如权利要求1所述的制作方法，其中该回蚀刻步骤后，移除部分该宽疏区的该第二介电层。4.如权利要求1所述的制作方法，其中还包含有形成一氧化层于各该第一凹槽与该第二凹槽内。5.如权利要求4所述的制作方法，其中还包含进行一第二蚀刻步骤，以部分移除该氧化层。6.如权利要求5所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤后，仍有部分该第二介电层位于该宽疏区的该第二凹槽内。7.如权利要求5所述的制作方法，其中该第二蚀刻步骤之后，位于该密集区的剩余的该氧化层呈现多个垂直结构，位于该宽疏区的剩余的该氧化层呈现一个U型剖面结构。8.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：张峰溢，李甫哲，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71