阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制备方法，属于阵列基板制备技术领域，其可至少部分解决现有的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明专利技术的阵列基板制备方法包括：在基底上形成第一导电材料层；通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法
本专利技术属于阵列基板制备
，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
部分液晶显示装置的阵列基板中设有公共电极，公共电极上设有带过孔的钝化层，像素电极设于钝化层上，通过过孔与晶体管漏极连接。为形成以上结构，最直接的方法是分别通过光刻工艺形成公共电极、过孔、像素电极，但这样需要进行三次曝光(3次Mask)，工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术至少部分解决现有的阵列基板制备工艺复杂问题，提供一种既可简化工艺，又可避免短路、断路、残留的阵列基板及其制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板制备方法，包括：在基底上形成第一导电材料层；通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。优选的是，所述第一导电结构为公共电极。进一步优选的是，所述第二导电结构为像素电极。优选的是，所述绝缘结构的厚度在0.5～2微米之间。进一步优选的是，所述绝缘结构的厚度在1～1.5微米之间。优选的是，所述退火的温度在220～250摄氏度之间，时间在20～30分钟之间。优选的是，在形成绝缘结构和对第一导电材料层进行过刻蚀之间，还包括：进行预退火。进一步优选的是，所述预退火的温度在120～150摄氏度之间，时间在2～5分钟之间。优选的是，所述通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构包括：形成树脂层；对树脂层进行曝光；将曝光的或未曝光的树脂层除去，使剩余树脂层形成所述绝缘结构。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底，在远离所述基底的方向上依次设有第一导电结构、由树脂构成的绝缘结构、第二导电结构；其中，所述第一导电结构覆盖且仅覆盖所述第一导电结构和第一导电结构周边的区域；所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。优选的是，所述第一导电结构为公共电极。进一步优选的是，所述第二导电结构为像素电极。优选的是，所述绝缘结构的厚度在0.5～2微米之间。进一步优选的是，所述绝缘结构的厚度在1～1.5微米之间。本专利技术的阵列基板制备方法中只用一次曝光即形成了第一导电结构(公共电极)和其上方的绝缘结构，故其简化了工艺。附图说明图1为现有的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；图2为现有的阵列基板发生短路时的局部剖面结构示意图；图3为现有的阵列基板发生断路时的局部剖面结构示意图；图4为本专利技术的实施例一种阵列基板的局部剖面结构示意图；图5为本专利技术的实施例一种阵列基板制备方法在形成第一导电材料层后的局部剖面结构示意图；图6为本专利技术的实施例一种阵列基板制备方法在形成绝缘结构后的局部剖面结构示意图；图7为本专利技术的实施例一种阵列基板制备方法在形成第一导电结构后的局部剖面结构示意图；图8为本专利技术的实施例一种阵列基板制备方法在退火后的局部剖面结构示意图；其中，附图标记为：1、绝缘结构；21、第一导电结构；211、第一导电材料层；22、第二导电结构；7、钝化层；81、公共电极；82、像素电极；9、基底。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。专利技术人在研究过程中发现，如图1所示，若在公共电极81(第一导电结构)上方使用由常规无机绝缘材料(如氧化硅、氮化硅等)构成的绝缘结构(钝化层7)，则在像素电极82与公共电极81边缘搭接的位置，公共电极81小于钝化层7(因为公共电极81过刻蚀)，故像素电极82理论上也不会与公共电极81的侧面接触。但如图2所示，当过刻蚀量不足时，钝化层7边缘部与基底9间的空隙过窄，故公共电极81容易与像素电极82接触而短路；如图3所示，过刻蚀量较大时，以上空隙太大而容易产生气泡(Bubble)将像素电极82顶断发生断路；而且，形成无机绝缘材料的钝化层7时会产生高温，导致其下方的氧化铟锡层晶化，而晶化的氧化铟锡层抗蚀性好，故在后续形成公共电极81的刻蚀(如湿刻)刻中容易产生残留，影响分辨率和电学特性。在本专利技术中，“构图工艺”是指形成具有特定的图形的结构的步骤，其可为光刻工艺，光刻工艺包括形成材料层、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等步骤中的一步或多步；当然，“构图工艺”也可包括压印工艺、喷墨打印工艺等其它工艺。实施例1：如图4至图8所示，本实施例提供一种阵列基板制备方法，其包括：在基底9上形成第一导电材料层211；通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层211部分位置的绝缘结构1；对第一导电材料层211进行过刻蚀，除去无绝缘结构1覆盖和位于绝缘结构1边缘部的第一导电材料层211，使剩余的第一导电材料层211形成第一导电结构21，而绝缘结构1边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构1填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构22，第二导电结构22具有位于绝缘结构1上方的第一图形和位于无绝缘结构1处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。本实施例的阵列基板制备方法中只用一次曝光即形成了第一导电结构21和其上方的绝缘结构1，故其简化了工艺；而且其采用树脂的绝缘结构1，且具有退火步骤，在退火中树脂的绝缘结构1软化变形，将其边缘部下方的空隙填满，这一方面封闭了第一导电结构21的侧面，使其不会与第二导电结构22连接而断路，另一方面绝缘结构1下方不再有空隙，故也不会产生气泡和断路；同时，形成树脂结构的工艺所需温度低，而退火又在形成第一导电结构21后进行，故在刻蚀形成第一导电结构21前第一导电材料层211不会变为多晶，容易被刻蚀，不会产生残留。优选的，第一导电结构21为公共电极。树脂的绝缘结构1需要有一定厚度才能封闭第一导电结构21的侧面，故绝缘结构1的边界位置会产生较大的段差，这可能使搭接在其边界处的结构产生断线等；因此，第一导电结构21的图形最好比较简单，边界应尽量少，而公共电极通常为较大的块状，正好符合该要求。更优选的，第二导电结构22为像素电极。在第一导电结构21为公共电极的情况下，第二导电结构22可为像素电极，其需要通过无绝缘结构的位置晶体管的漏极连接，故必然存在与第一导电结构21边缘的搭接。当然，应当理解，以上只是对第一导电结构21、第二导电结构22形式的具体举例，而不是对保护范围的限定，只要符合以上要求的关系，第一导电结构21、第二导电结构22也可选自栅线、数据线、公共电极线、阳极、阴极等其它导电结构。下面对本实施例的阵列基板制备方法进行详细描述，其包括：S101、在基底9上形成第一导电材料层211。如图5所示，在基底9上形成完整的第一导电材料层211，该第一导电材料层211的材料可根据第一导电结构21而定，如当第一导电结构21为公共电极时，第一导电材料层211可为透明导电材料，更具体可为氧化铟锡(ITO)等。S102、通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层211部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板制备方法，包括在基底上形成第一导电材料层，其特征在于，在形成第一导电材料层后还包括：通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板制备方法，包括在基底上形成第一导电材料层，其特征在于，在形成第一导电材料层后还包括：通过构图工艺用树脂形成覆盖第一导电材料层部分位置的绝缘结构；对第一导电材料层进行过刻蚀，除去无绝缘结构覆盖和位于绝缘结构边缘部的第一导电材料层，使剩余的第一导电材料层形成第一导电结构，而绝缘结构边缘部下方产生空隙；进行退火，使绝缘结构填充其边缘部下方的空隙；通过构图工艺形成第二导电结构，所述第二导电结构具有位于绝缘结构上方的第一图形和位于无绝缘结构处的第二图形，且至少部分第一图形与第二图形相互连接。2.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第一导电结构为公共电极。3.根据权利要求2所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述第二导电结构为像素电极。4.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述绝缘结构的厚度在0.5～2微米之间。5.根据权利要求4所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述绝缘结构的厚度在1～1.5微米之间。6.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，所述退火的温度在220～250摄氏度之间，时间在20～30分钟之间。7.根据权利要求1所述的阵列基板制备方法，其特征在于，在形成绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲连杰，贵炳强，齐永莲，石广东，刘帅，赵合彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11