半导体装置的制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：形成一栅极结构于一半导体基板上；再使用定义有两个透光区的一遮罩，以光刻制造工艺形成具有两个开口部的一光阻层于上述半导体基板上；其中，上述光阻层位于上述两个开口部之间的一第一光阻层对准上述栅极结构而形成于该栅极结构上、且上述第一光阻层的宽度小于上述栅极结构的宽度，使得上述栅极结构的一第一侧部和一第二侧部露出于上述第一光阻层的两侧。接着，进行离子注入，以在露出于上述光阻层的上述栅极结构两侧的上述半导体基板中形成轻掺杂漏极区。本发明专利技术提供的半导体装置的制造方法能够避免热电子效应对半导体装置所造成的损害。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术有关于半导体装置，特别是有关于轻掺杂漏极的半导体装置的制造方法。
技术介绍
为了增加元件的密集度，提升运作的速度与效能，因此在半导体装置的制造工艺中，持续地将元件的尺寸缩小。以MOS晶体管为例，由于沟道长度的缩短以及栅极氧化层厚度的下降，使得垂直电场与水平电场增加。水平电场增加的结果，会加速沟道中载流子的速度，当这些载流子在沟道中加速获得足够的能量时，会增加这些载流子注入到栅极氧化层中的机率，或是越过氧化层形成栅极电流，或者载流子会在漏极端产生电子空穴对。所以当MOS晶体管的沟道缩短，沟道接近漏极的载流子数量将上升而造成热电子效应(HotElectronEffect)。于热电子效应中，部分电子射入栅极氧化层里，所产生对应的空穴将流往基板(substrate)而产生基板电流。另一部分的空穴则被源极所收集，这使得NPN双极晶体管的现象加强，促使更多载流子倍增，甚至可能进而发生电击穿(ElectricalBreakdown)情况。对于前述问题，已知的技术提出轻掺杂漏极(LightlyDopedDrain，LDD)来减缓或避免热电子效应对半导体装置所造成的损害本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：形成一栅极结构于一半导体基板上；形成一光阻层于所述栅极结构上，所述光阻层至少有一窄部分，所述窄部分的宽度小于所述栅极的宽度，使得所述栅极的一第一侧部和一第二侧部露出于所述光阻层的两侧；以及进行离子注入，以在所述栅极结构两侧的所述半导体基板中形成轻掺杂漏极区。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：形成一栅极结构于一半导体基板上；形成一光阻层于所述栅极结构上，所述光阻层至少有一窄部分，所述窄部分的宽度小于所述栅极的宽度，使得所述栅极的一第一侧部和一第二侧部露出于所述光阻层的两侧；以及进行离子注入，以在所述栅极结构两侧的所述半导体基板中形成轻掺杂漏极区。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述光阻层的所述窄部分的宽度为S，所述栅极结构的宽度为L，所述窄部分的边缘与所述栅极结构的边缘的距离为B，而且S>B。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，分别露出于所述光阻层的两侧的所述第一侧部和所述第二侧部具有实质上相等的宽度B。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述光阻层的所述窄部分的宽度为S，所述栅极结构的宽度为L，而且L、B、S分别符合L＝S+2B，S>B。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，进行所述离子注入所使用的能量为100keV～200keV。6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法包括：形成一...

【专利技术属性】
技术研发人员：林志威，林宗汉，吴昭纬，陈彦凯，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71