显示装置、显示面板、阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本公开是关于一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置。该制造方法包括：提供一衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域上形成遮光层；形成覆盖遮光层和衬底的缓冲层；在缓冲层远离衬底的表面形成第一有源层和第二有源层，第一有源层与第一区域对应，第二有源层与第二区域对应；在第一有源层远离衬底的表面形成第一栅绝缘层和层叠于第一栅绝缘层的第一栅极，以及在第二有源层远离衬底的表面形成第二栅绝缘层和层叠于第二栅绝缘层的第二栅极；第一栅极的正投影位于第一栅绝缘层内，第二栅极的正投影位于第二栅绝缘层内；第一栅极的边缘与第一栅绝缘层的边缘的间距大于第二栅极的边缘与第二栅极绝缘层的边缘的间距。

Display device, display panel, array substrate and its manufacturing method

The present disclosure relates to a manufacturing method of an array substrate, an array substrate, a display panel and a display device. The manufacturing method includes: providing a substrate, the substrate includes the first and second regions; forming a shading layer on the first region; forming a buffer layer covering the shading layer and the substrate; forming a first active layer and a second active layer on the surface far from the substrate, the first active layer corresponds to the first region, and the second active layer corresponds to the second region; and removing the first active layer from the substrate. The first gate insulating layer is formed on the surface of the first gate insulating layer and the first gate overlapped on the first gate insulating layer, and the second gate insulating layer and the second gate insulating layer overlapped on the surface of the second active layer far from the substrate are formed; the positive projection of the first gate insulating layer is located in the first gate insulating layer, and the positive projection of the second gate is located in the second gate insulating layer; the edge of the first gate and the first gate insulating layer are located in the second gate insulating layer. The distance between the edges of the second gate is larger than that between the edges of the second gate and the edges of the second insulating layer.

【技术实现步骤摘要】
显示装置、显示面板、阵列基板及其制造方法
本公开涉及显示
，具体而言，涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
目前，显示面板的应用越来越广泛，尤其是OLED(有机发光二极管)显示面板已经广泛的应用到了各种显示设备中。在现有显示面板中，薄膜晶体管是必不可少的电子器件。由于顶栅薄膜晶体管(TopGateTFT)比底栅薄膜晶体管(BottomGateTFT)有更优异的性能，包括更小的寄生电容、更大的开态电流及其更高的稳定性等优点，因此得到了广泛的应用。通常情况下，阵列基板中，为了提高驱动管的稳定性，有些薄膜晶体管的下方设有遮光层，以遮蔽光线；而为了提高开口率，有些薄膜晶体管下方通常无遮光层，这些遮光层在后续的工艺过程中会对被其遮蔽的薄膜晶体管产生作用，造成被遮蔽的薄膜晶体管小于未被遮蔽的薄膜晶体管的阈值电压，从而影响阵列基板上薄膜晶体管的阈值电压的均匀性，进而降低阵列基板的性能，最终导致降低显示面板的显示质量。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置，可提高薄膜晶体管的阈值电压的均匀性。根据本公开的一个方面，提供了一种阵列基板的制造方法。其特征在于，该制造方法包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域上形成遮光层；形成覆盖所述遮光层和所述衬底的缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成第一有源层和第二有源层，所述第一有源层与所述第一区域对应，所述第二有源层与所述第二区域对应；在所述第一有源层远离所述衬底的表面形成第一栅绝缘层和层叠于所述第一栅绝缘层的第一栅极，以及在所述第二有源层远离所述衬底的表面形成第二栅绝缘层和层叠于所述第二栅绝缘层的第二栅极；所述第一栅极的正投影位于所述第一栅绝缘层内，所述第二栅极的正投影位于所述第二栅绝缘层内；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距。在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一有源层远离所述衬底的表面形成第一栅绝缘层和层叠于所述第一栅绝缘层的第一栅极；以及在所述第二有源层远离所述衬底的表面形成第二栅绝缘层和层叠于所述第二栅绝缘层的第二栅极；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距，包括：在所述第一有源层、所述第二有源层及所述缓冲层远离所述衬底的表面形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层远离所述衬底的表面形成栅极材料层；在所述栅极材料层远离所述衬底的表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光并显影，以形成与所述第一有源层对应的保留区、与所述第二有源层对应的半保留区；对所述栅极材料层采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀，以形成第一栅极和第二栅极；对所述绝缘材料层采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，以形成第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；所述第一栅极位于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的表面上，所述第二栅极位于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的表面上；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距。在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：在所述缓冲层远离所述衬底的表面上形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一有源层包括第一外围区和第一外围区内的第一沟道区，所述第二有源层包括第二外围区和第二外围区内的第二沟道区；在所述缓冲层远离所述衬底的表面上形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极，包括：对所述第一有源层与所述第二有源层上的外围区进行导体化处理，以形成分别位于所述第一沟道区两侧的所述第一源极和所述第一漏极，以及分别位于所述第二沟道区两侧的所述第二源极和所述第二漏极。在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成介电层，所述介电层覆盖所述第一源极、所述第一漏极、所述第一栅绝缘层、所述第一栅极、所述第二源极、所述第二漏极、所述第二栅绝缘层与所述第二栅极。在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：在所述介电层上形成分别露出所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极与所述第二漏极的多个第一过孔，以及露出所述遮光层的第二过孔；在所述介电层远离所述衬底的表面形成导电材料层；对所述导电材料层进行图案化，以形成导线层，所述导电层包括间隔设置的第一源极线、第一漏极线、第二源极线及第二漏极线，所述第一漏极线通过所述第一过孔与所述第一漏极连接，并通过所述第二过孔与所述遮光层连接。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一光刻胶层的厚度在2μm-3μm之间，所述第二光刻胶层的厚度在1.5μm-2μm之间。根据本公开的另一方面，还提供了一种阵列基板。该阵列基板包括：衬底，包括第一区域和第二区域；遮光层，设于所述衬底的第一区域上；缓冲层，覆盖所述遮光层和所述衬底；第一有源层和第二有源层，设于所述缓冲层远离所述衬底的表面，所述第一有源层与所述第一区域对应，所述第二有源层与所述第二区域对应；第一栅绝缘层，设于所述第一有源层远离所述衬底的表面；第一栅极，设于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的表面；第二栅绝缘层，设于所述第二有源层远离所述衬底的表面；第二栅极，设于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的表面；其中，所述第一栅极的正投影位于所述第一栅绝缘层内，所述第二栅极的正投影位于所述第二栅绝缘层内；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距。根据本公开的又一方面，还提供了一种显示面板。该显示线板包括上述的阵列基板。根据本公开的再一方面，还提供了一种显示装置。该显示装置包括上述的显示面板。本公开提供的阵列基板的制造方法、阵列基板、显示面板及显示装置，第一栅极与第一栅绝缘层的宽度差大于第二栅极与第二栅极绝缘层的宽度差，而薄膜晶体管的阈值电压与栅极和栅绝缘层的宽度差成正比关系，因此，可以相对降低未被遮光层遮蔽的薄膜晶体管的阈值电压，使被遮光层遮蔽的薄膜晶体管与未被遮光层遮蔽的薄膜晶体管的阈值电压更加均匀，进而提高阵列基板的性能，提高显示面板的显示质量。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本公开的一种实施例提供阵列基板制造方法的流程图；图2为本公开的另一种实施例提供阵列基板制造方法的流程图；图3为本公开的一种实施例制造方法步骤S500的流程图；图4为图1中步骤S400完成后的结构示意图；图5为图3中步骤S530完成后的结构示意图；图6为图3中步骤S540完成后的结构示意图；图7为图3中步骤S550完成后的结构示意图；图8为图3中步骤S560完成后的结构示意图；图9为图2中步骤S600完成后的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域上形成遮光层；形成覆盖所述遮光层和所述衬底的缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成第一有源层和第二有源层，所述第一有源层与所述第一区域对应，所述第二有源层与所述第二区域对应；在所述第一有源层远离所述衬底的表面形成第一栅绝缘层和层叠于所述第一栅绝缘层的第一栅极，以及在所述第二有源层远离所述衬底的表面形成第二栅绝缘层和层叠于所述第二栅绝缘层的第二栅极；所述第一栅极的正投影位于所述第一栅绝缘层内，所述第二栅极的正投影位于所述第二栅绝缘层内；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；在所述第一区域上形成遮光层；形成覆盖所述遮光层和所述衬底的缓冲层；在所述缓冲层远离所述衬底的表面形成第一有源层和第二有源层，所述第一有源层与所述第一区域对应，所述第二有源层与所述第二区域对应；在所述第一有源层远离所述衬底的表面形成第一栅绝缘层和层叠于所述第一栅绝缘层的第一栅极，以及在所述第二有源层远离所述衬底的表面形成第二栅绝缘层和层叠于所述第二栅绝缘层的第二栅极；所述第一栅极的正投影位于所述第一栅绝缘层内，所述第二栅极的正投影位于所述第二栅绝缘层内；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述第一有源层远离所述衬底的表面形成第一栅绝缘层和层叠于所述第一栅绝缘层的第一栅极；以及在所述第二有源层远离所述衬底的表面形成第二栅绝缘层和层叠于所述第二栅绝缘层的第二栅极；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距，包括：在所述第一有源层、所述第二有源层及所述缓冲层远离所述衬底的表面形成绝缘材料层；在所述绝缘材料层远离所述衬底的表面形成栅极材料层；在所述栅极材料层远离所述衬底的表面形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光并显影，以形成与所述第一有源层对应的保留区、与所述第二有源层对应的半保留区；对所述栅极材料层采用湿法刻蚀工艺进行刻蚀，以形成第一栅极和第二栅极；对所述绝缘材料层采用干法刻蚀工艺进行刻蚀，以形成第一栅绝缘层和第二栅绝缘层；所述第一栅极位于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的表面上，所述第二栅极位于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的表面上；所述第一栅极的边缘与所述第一栅绝缘层的边缘的间距大于所述第二栅极的边缘与所述第二栅极绝缘层的边缘的间距。3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：在所述缓冲层远离所述衬底的表面上形成第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一有源层包括第一外围区和第一外围区内的第一沟道区，所述第二有源层包括第二外围区和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏同上，王东方，王庆贺，刘军，李伟，闫梁臣，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34