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本发明公开一种低温多晶硅显示面板制造方法，包括：真空环境提供步骤，包括提供一真空环境；基板提供步骤，包括提供一玻璃基板；下一氧化硅层形成步骤，包括形成一下一氧化硅层到所述玻璃基板上；氮化硅层形成步骤，包括形成一氮化硅层到所述下一氧化硅层上；...
该专利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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