互连结构的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种互连结构的制造方法中，包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽；形成互连层，所述互连层填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底；进入自退火一段时间后，去除所述互连层中覆盖所述半导体衬底的部分以形成互连结构；形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述半导体衬底和所述互连结构；其中，进入自退火一段时间后指进入自退火1h‑10h的范围内。由于半导体衬底上的晶粒尺寸在室温下有自退火现象，在形成互连层后，进行自退火，等待1h‑10h中去除所述互连层以及形成覆盖层，与快速退火相比自退火工艺虽然时间较长，但互连层能够在小尺寸沟槽内实现应力匹配，避免剥离现象，从而可以避免半导体断线问题，半导体产品良率得到保障。

Manufacturing method of interconnection structure

The invention provides a manufacturing method of an interconnection structure, which includes: providing a half conductor substrate; forming a groove in the semiconductor substrate; forming an interconnection layer, which fills the groove and covers the semiconductor substrate; removing the part of the interconnection layer covering the semiconductor substrate after annealing for a period of time to form an interconnection structure; and forming an overlay. The cover layer covers the semiconductor substrate and the interconnection structure, and enters the range of 1 h to 10 h after annealing for a period of time. Due to the self-annealing phenomenon of grain size on semiconductor substrates at room temperature, after the formation of interconnection layer, the interconnection layer is annealed by self-annealing, waiting for 1 h to 10 h to remove the interconnection layer and form a covering layer. Although the self-annealing process takes longer than rapid annealing, the interconnection layer can achieve stress matching in small grooves and avoid stripping phenomenon, thus avoiding semiconductor wire breakage. The problem is that the yield of semiconductor products is guaranteed.

【技术实现步骤摘要】
互连结构的制造方法
本专利技术涉及半导体制造工艺
，特别涉及一种互连结构的制造方法。
技术介绍
随着半导体器件尺寸的不断减小，互连结构制造也面临巨大挑战。其中，互连(interconnect)是指由导电材料，如铝、多晶硅或铜支撑的连线将电信号传输到芯片的不同部分。互连也被用做芯片上器件和整个封装之间普通的金属连接。小尺寸的金属连线/沟槽除了存在工艺均匀性、填充困难等问题外，还面临着制造工艺中应力不匹配导致断线从而影响局部应力的问题，如在金属/介电质属性、电镀液杂质、电镀速度以及退火工艺等方面。目前65纳米及以上互连结构制造方法采用氮化硅/二氧化硅作为电介质，金属连线/沟槽采用电化学镀铜工艺，但当出现小尺寸沟槽(直径小于65纳米)时容易发生断线问题。进一步，出现铜与阻挡层/电介质等局部应力不匹配，导致半导体器件失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种互连结构的制造方法，以解决现有技术中因为半导体衬底应力不匹配引起的沟槽断线的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种互连结构的制造方法，所述互连结构的制造方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽；形成互连层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，所述互连结构的制造方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽；形成互连层，所述互连层填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底；进入自退火一段时间后，去除所述互连层中覆盖所述半导体衬底的部分以形成互连结构；形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述半导体衬底和所述互连结构；其中，进入自退火一段时间后指进入自退火1h‑10h的范围内。

【技术特征摘要】
1.一种互连结构的制造方法，其特征在于，所述互连结构的制造方法包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽；形成互连层，所述互连层填充所述沟槽并覆盖所述半导体衬底；进入自退火一段时间后，去除所述互连层中覆盖所述半导体衬底的部分以形成互连结构；形成覆盖层，所述覆盖层覆盖所述半导体衬底和所述互连结构；其中，进入自退火一段时间后指进入自退火1h-10h的范围内。2.根据权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，所述自退火的退火速度为180℃/90s，退火温度为16℃-24℃。3.根据权利要求1所述的互连结构的制造方法，其特征在于，进入自退火1h-6h后，去除所述互连层中覆盖所述半导体衬底的部分以形成所述互连结构。4.根据权利要求3所述的互连结构的制造方法，其特征在于，进入自退火6h-10h后，形成所述覆盖层。5.根据权利要求1所述的互连结构的制造...

【专利技术属性】
技术研发人员：林爱梅，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31