The embodiment of the present invention provides a semiconductor device and a forming method. In some embodiments, the method includes forming a dielectric layer above the substrate and patterning the dielectric layer to form a first groove. The method also includes depositing the first layer in the first groove and depositing the second layer above the first layer, which is different from the first layer. The method also includes the first chemical mechanical polishing (CMP) process for the second layer using the first oxidizer and the second CMP process for the redundant parts of the second and first layers using the first oxidizer. The method also includes forming a first conductive element above the remaining part of the first layer after implementing the second CMP polishing.
【技术实现步骤摘要】
半导体器件和形成方法
本专利技术实施例涉及半导体器件和形成方法。
技术介绍
在使半导体器件小型化的当前工艺中,低k介电材料被期望作为导电互连件之间的金属间和/或层间电介质,以便减少由于电容效应引起的信号传播中的阻容延时。因此,介电层的介电常数越小,相邻导线的寄生电容越小,并且集成电路(IC)的RC延迟越小。然而,目前被考虑或用作低k介电材料的材料并不理想。特别是,在选择基于其k值的材料,并且特别是基于其低k值时,诸如材料的硬度或其强度的其他特性可能不适用于半导体制造工艺。因此,期望利用低k介电材料的工艺的改进。
技术实现思路
根据本专利技术的一些实施例,提供了一种形成半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成介电层;图案化所述介电层以形成第一凹槽;在所述第一凹槽中沉积第一层;在所述第一层上方沉积第二层,所述第二层不同于所述第一层;使用第一氧化剂对所述第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺,所述第一化学机械抛光工艺在检测到端点时终止;在实施所述第一化学机械抛光工艺之后,使用所述第一氧化剂对所述第二层和所述第一层实施第二CMP工艺;和在实施所述第二CMP工艺之后,在所述第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。根据本专利技术的另一些实施例,还提供了一种形成半导体器件的方法,包括:图案化第一介电层以形成第一凹槽和第二凹槽;在所述第一凹槽和所述第二凹槽中沉积第一层,其中,所述第一层沿所述第一凹槽和所述第二凹槽之间的所述第一介电层的上表面延伸,并且其中,所述第一层的上表面包括峰和谷;在所述第一层上方沉积第二层;实施第一化学机械抛光(CMP)工艺,其中,所述第一化学机械抛光工艺 ...
【技术保护点】
1.一种形成半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成介电层;图案化所述介电层以形成第一凹槽;在所述第一凹槽中沉积第一层;在所述第一层上方沉积第二层,所述第二层不同于所述第一层;使用第一氧化剂对所述第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺,所述第一化学机械抛光工艺在检测到端点时终止;在实施所述第一化学机械抛光工艺之后,使用所述第一氧化剂对所述第二层和所述第一层实施第二CMP工艺;和在实施所述第二CMP工艺之后,在所述第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
【技术特征摘要】
2017.09.29 US 62/565,919;2018.03.29 US 15/939,8941.一种形成半导体器件的方法,包括:在衬底上方形成介电层;图案化所述介电层以形成第一凹槽;在所述第一凹槽中沉积第一层;在所述第一层上方沉积第二层,所述第二层不同于所述第一层;使用第一氧化剂对所述第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺,所述第一化学机械抛光工艺在检测到端点时终止;在实施所述第一化学机械抛光工艺之后,使用所述第一氧化剂对所述第二层和所述第一层实施第二CMP工艺;和在实施所述第二CMP工艺之后,在所述第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一层包含钌。3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一氧化剂包含H2O2。4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述端点的检测包括检测所述第一层。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一层过填充所述第一凹槽并且在被沉积之后沿着所述介电层的顶面延伸。6.根据权利要求5所述的方法,还包括:在所述第一化学机械抛光工艺之后且在所述第二CMP工艺之前实施第三CMP工艺,其中,所述第三CMP工艺去除所述第一层的沿着所述介电层的顶面延伸的部分。7.根据权利要求1所述的方法,还包括:图案化所述介电层以形成第二凹槽;在所述第二凹槽中沉...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐俊伟,聂菱甫,朱品磊,刘启人,林易生,张庭熏,何嘉玮,陈亮光,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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