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一种半导体结构的制造方法，包括沉积一硅层，其包括位于多个条形体上方的第一部以及填入于条形体之间的沟槽内的第二部。条形体突出高于一基体结构。上述方法还包括实施退火而容许部分的硅层的第一部朝向沟槽的下部移动，并实施蚀刻而去除硅层的若干部分。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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