一种倒装芯片封装结构制造技术

技术编号:16084543 阅读:94 留言:0更新日期:2017-08-25 18:38
本实用新型专利技术涉及一种倒装芯片封装结构,一种倒装芯片封装结构,包括支架本体、倒装芯片以及封装胶体,支架本体的碗杯内还设有对应金属电极数量的缓冲层,所述缓冲层均由金属材料制成,所述缓冲层之间通过绝缘河道进行分割和电性隔离,所述缓冲层的上表面设置有第一可焊接金属层以对应连接倒装芯片的电极,所述缓冲层的下表面设有第二可焊金属层以对应连接支架本体上的金属电极,该倒装芯片封装结构通过在倒装芯片和封装支架之间插入缓冲层的方式,解决了倒装芯片在回流焊时因膨胀系数差异大造成焊接质量不好的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装芯片封装结构
本技术涉及一种倒装芯片的封装结构。
技术介绍
倒装芯片与正装芯片相比,它具有较好的散热功能,具有低电压、高亮度、高可靠性、高饱和电流密度等优点,因此倒装芯片在大功率LED器件上有着广泛的应用。对于现有的贴片式倒装LED封装结构常是在支架固晶区点锡膏,然后将倒装芯片贴放在锡膏上,芯片电极与锡膏对应,经过回流焊,实现固晶。但是由于金属支架和塑胶料的膨胀系数不同,在过回流焊固晶的时候,金属支架会存在弯曲的情况,使得金属支架变得不平整,因此锡膏无法均匀的分布在芯片电极和金属支架之间,使得芯片电极和金属支架之间会存在空洞,甚至存在没有焊接在一起存在虚焊的问题,这直接影响了芯片的散热和稳定性。为了解决这个问题,有人提出增加锡膏的量,但是由于支架的两个电极之间的绝缘层间距比较小,而且倒装芯片的两个电极的之间的间隙也比较小,会存在点在支架两个电极上的锡膏跨过绝缘层连接在一起,造成短路。
技术实现思路
本技术旨在提供一种倒装芯片封装结构,该倒装芯片封装结构通过在倒装芯片和封装支架之间插入缓冲层的方式,以解决现有倒装芯片在回流焊时因膨胀系数差异大造成焊接质量不好的问题。具体方案如下:一种倒本文档来自技高网...
一种倒装芯片封装结构

【技术保护点】
一种倒装芯片封装结构,包括支架本体、倒装芯片以及封装胶体,所述支架本体包括至少两个金属电极以及绝缘材料,所述倒装芯片固定在支架本体的碗杯内,所述封装胶体涂覆在倒装芯片上,其特征在于:所述支架本体的碗杯内还设有对应金属电极数量的缓冲层,所述缓冲层均由金属材料制成,所述缓冲层之间通过绝缘河道进行分割和电性隔离,所述缓冲层的上表面设置有第一可焊接金属层以对应连接倒装芯片的电极,所述缓冲层的下表面设有第二可焊金属层以对应连接支架本体上的金属电极。

【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片封装结构,包括支架本体、倒装芯片以及封装胶体,所述支架本体包括至少两个金属电极以及绝缘材料,所述倒装芯片固定在支架本体的碗杯内,所述封装胶体涂覆在倒装芯片上,其特征在于:所述支架本体的碗杯内还设有对应金属电极数量的缓冲层,所述缓冲层均由金属材料制成,所述缓冲层之间通过绝缘河道进行分割和电性隔离,所述缓冲层的上表面设置有第一可焊接金属层以对应连接倒装芯片的电极,所述缓冲层的下表面设有第二可焊金属层以对应连接支架本体上的金属电极。2.根据权利要求1所述的一种倒装芯片封装结构,其特征在于:所述支架本体的金属电极与缓冲层相焊接的面上设有第三可焊金属层,所述缓冲层和金属电极之间通过第二可焊金属层和第三可焊金属层直接焊接固定。3.根据权利要求2所述的一种倒装芯片封装结构,其特征在于:所述第二可焊...

【专利技术属性】
技术研发人员:林志洪郑剑飞郑文财
申请(专利权)人:厦门多彩光电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:福建,35

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