验证存储器件的修复结果的存储器件、存储器系统以及方法技术方案

一种存储器件，其包括存储单元阵列和控制电路，其中，存储单元阵列包括包含第一失效块的正常区域以及包含替换第一失效块的第一冗余块的冗余区域。控制电路包括存储替换信息的映射表。控制电路参考映射表以用于访问第一冗余块。当测试存储器件时，控制电路将“1”写入正常区域和第一冗余块中，将“0”写入除了第一冗余块之外的冗余区域中，将关于第二失效块和冗余区域中的第二冗余块的替换信息写入到映射表，以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果。

【技术实现步骤摘要】
验证存储器件的修复结果的存储器件、存储器系统以及方法对相关申请的交叉引用本申请要求于2015年11月20日向韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2015-0163295号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体并入于此。
本文中所公开的主题的示例实施方式一般涉及半导体器件，并且更具体地，涉及一种存储器件，在该存储器件中，当在失效块的主要(primary)修复完成之后导致了额外的失效块时，执行二次(secondary)修复并且实行对二次修复的验证。
技术介绍
随着制造诸如动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、闪速存储器等的存储器件的工艺尺寸已经减小，失效存储单元的数量显著地增加。存储器件的存储单元阵列可以包括正常区域和冗余区域。在晶圆阶段中进行的芯片电特性拣选(EDS)测试期间在冗余区域中所发现的失效块可以被停用并且不被使用。另外，可以在EDS测试期间执行主要修复，使得可以采用冗余区域中的冗余块来替换在正常区域中所发现的失效块。在切割晶圆并且对所切割的晶片进行封装之后可能导致额外的失效块。在这种情况下，需要在封装阶段中进行的二次修复以及对二次修复的验证。
技术实现思路
一些示例性实施方式可以提供一种存储器件和存储器系统，该存储器件和存储器系统当在完成晶圆阶段中的失效块的主要修复之后导致了额外的失效块时在封装阶段中执行二次修复，并且验证二次修复的结果。一些示例性实施方式可以提供一种方法，该方法当在完成晶圆阶段中的失效块的主要修复之后导致了额外的失效块时在封装阶段中执行二次修复并且验证二次修复的结果。根据示例性实施方式，一种存储器件包括存储单元阵列和控制电路。存储单元阵列包括正常区域和冗余区域。正常区域可以包括第一失效块，并且冗余区域可以包括替换第一失效块的第一冗余块。控制电路包括测试模式寄存器和存储第一失效块和第一冗余块之间的替换信息的映射表。当地址信号与第一失效块相对应时，控制电路参考映射表并且访问第一冗余块。当测试模式寄存器被激活并且正常区域进一步包括第二失效块时，控制电路将第一逻辑值写入正常区域和第一冗余块中，将第二逻辑值写入除了第一冗余块之外的冗余区域中，将第二失效块与冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到映射表，以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果。当整个数据之中的与第二冗余块相对应的部分数据中的所有具有第二逻辑值并且整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据中的所有具有第一逻辑值时，控制电路可以确定错误未被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中。当整个数据之中的与第二冗余块相对应的部分数据具有第一逻辑值或整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据具有第二逻辑值时，控制电路可以确定错误被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中。根据示例性实施方式，一种存储器系统包括存储器件以及被配置为向存储器件提供地址信号、数据信号以及命令信号的处理器。存储器件包括：存储单元阵列，包括正常区域和冗余区域，正常区域包括第一失效块，冗余区域包括替换第一失效块的第一冗余块；以及控制电路，包括测试模式寄存器和存储第一失效块与第一冗余块之间的替换信息的映射表，控制电路被配置为当地址信号与第一失效块相对应时，参考映射表并且访问第一冗余块。当测试模式寄存器中的存储值被激活并且正常区域进一步包括第二失效块时，控制电路将第一逻辑值写入正常区域和第一冗余块中，将第二逻辑值写入除了第一冗余块之外的冗余区域中，将第二失效块与冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到映射表，以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果，以生成验证结果信号。当整个数据之中的与第二冗余块相对应的部分数据中的所有具有第二逻辑值并且整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据中的所有具有第一逻辑值时，控制电路可以确定错误未被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中，并且激活验证结果信号。当整个数据之中的与第二冗余块相对应的部分数据具有第一逻辑值或整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据具有第二逻辑值时，控制电路可以确定错误被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中，并且停用验证结果信号。根据示例性实施方式，提供了一种验证存储器件的修复结果的方法。存储设备包括：存储单元阵列，包括正常区域和冗余区域，其中，正常区域包括第一失效块而冗余区域包括替换第一失效块的第一冗余块；以及控制电路，包括测试模式寄存器和存储第一失效块与第一冗余块之间的替换信息的映射表。所述方法包括：激活测试模式寄存器的存储值；确定正常区域是否进一步包括第二失效块；在正常区域和第一冗余块中写入第一逻辑值并且在除了第一冗余块之外的冗余区域中写入第二逻辑值；当正常区域进一步包括第二失效块时，将第二失效块与冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到映射表；以及当正常区域进一步包括第二失效块时，关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果。添加第二失效块与第二冗余块之间的替换信息可以包括：通过参考映射表来选择冗余区域之中的除了第一冗余块之外的第二冗余块。验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果可以包括：当整个数据之中的与第二失效块相对应的部分数据中的所有具有第二逻辑值并且整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据中的所有具有第一逻辑值时，确定错误未被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中。验证采用第二冗余块替换第二失效块的结果可以包括：当整个数据之中的与第二失效块相对应的部分数据具有第一逻辑值或整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据具有第二逻辑值时，确定错误被包括在采用第二冗余块替换第二失效块的结果中。当在存储器件和/或存储器系统被封装之后导致了额外的失效块时，存储器件和存储器系统可以通过在封装阶段中执行二次修复并且验证二次修复的结果来提高产品的产出。附图说明根据结合附图进行的下面的详细的描述，将更加清楚地理解本公开的示例性实施方式。图1是示出根据示例性实施方式的存储器件的框图。图2是示出在图1的存储器件中所包括的正常区域包括额外的第二失效块的情况下的存储单元阵列的图。图3是示出图1的存储器件中所包括的映射表的初始信息的图。图4是示出将第一逻辑值写入图1的存储器件的第一正常区域和第一冗余块中的处理的图。图5是示出将第二逻辑值写入图1的存储器件的除了第一冗余块之外的冗余区域中的处理的图。图6是示出在图1的存储器件中采用冗余区域中的第二冗余块来替换第二失效块的情况下的存储单元阵列的图。图7是示出在图1的存储器件中采用冗余区域中的第二冗余块来替换第二失效块的情况下的映射表的图。图8是示出在采用第二冗余块替换第二失效块之后错误未发生的情况下从存储单元阵列所读取的数据的图。图9是示出在采用第二冗余块替换第二失效块之后错误发生的情况下从存储单元阵列所读取的数据的图。图10和图11是示出在图1的存储器件中所包括的正常区域和冗余区域的示例的图。图12是示出根据示例性实施方式的存储器系统的图。图13是示出根据示例性实施方式的验证存储器件的修复结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括正常区域和冗余区域，所述正常区域包括第一失效块，所述冗余区域包括替换第一失效块的第一冗余块；以及控制电路，包括存储关于第一失效块和第一冗余块的替换信息的映射表，所述控制电路被配置为当地址信号与所述第一失效块相对应时，参考映射表并且访问所述第一冗余块，其中，所述正常区域进一步包括第二失效块，所述控制电路被配置为将第一逻辑值写入所述正常区域和所述第一冗余块中；将第二逻辑值写入除了所述第一冗余块之外的冗余区域中；将所述第二失效块与所述冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到所述映射表；以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用所述第二冗余块替换所述第二失效块的结果。

【技术特征摘要】
2015.11.20 KR 10-2015-01632951.一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括正常区域和冗余区域，所述正常区域包括第一失效块，所述冗余区域包括替换第一失效块的第一冗余块；以及控制电路，包括存储关于第一失效块和第一冗余块的替换信息的映射表，所述控制电路被配置为当地址信号与所述第一失效块相对应时，参考映射表并且访问所述第一冗余块，其中，所述正常区域进一步包括第二失效块，所述控制电路被配置为将第一逻辑值写入所述正常区域和所述第一冗余块中；将第二逻辑值写入除了所述第一冗余块之外的冗余区域中；将所述第二失效块与所述冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到所述映射表；以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用所述第二冗余块替换所述第二失效块的结果。2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当整个数据之中的与所述第二冗余块相对应的部分数据中的所有具有第二逻辑值并且整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据中的所有具有第一逻辑值时，控制电路确定错误未被包括在采用所述第二冗余块替换所述第二失效块的结果中。3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当整个数据之中的与所述第二失效块相对应的部分数据具有第一逻辑值或整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据具有第二逻辑值时，控制电路确定错误被包括在采用所述第二冗余块替换所述第二失效块的结果中。4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，控制电路参考所述映射表来选择所述冗余区域之中的除了所述第一冗余块之外的第二冗余块。5.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述正常区域包括多个正常子区域，并且所述第一失效块和所述第二失效块中的每个位于所述正常子区域中的每个中，以及其中，所述冗余区域包括多个冗余子区域，并且所述第一冗余块和所述第二冗余块中的每个位于所述冗余子区域中的每个中。6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，当接收到与测试模式相对应的命令信号和地址信号时，控制电路激活测试模式寄存器的存储值。7.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述控制电路将所述地址信号转换为第一内部地址并且将所述数据信号转换为第一内部数据信号，以通过所述第一内部地址信号和所述第一内部数据信号来访问所述正常区域，以及其中，所述控制电路将所述地址信号转换为第二内部地址信号并且将所述数据信号转换为第二内部数据信号，以通过所述第二内部地址信号和所述第二内部数据信号来访问所述冗余区域。8.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一逻辑值是1，而所述第二逻辑值是0。9.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一逻辑值是0，而所述第二逻辑值是1。10.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一失效块包括正常区域中与第一字线连接的失效存储单元，而所述第二失效块包括正常区域中连接到第二字线的失效存储单元。11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述第一冗余块包括冗余区域中与第三字线连接的冗余存储单元，而所述第二冗余块包括冗余区域中与第四字线连接的冗余存储单元。12.一种存储器系统，包括：存储器件；以及处理器，被配置为向所述存储器件提供地址信号、数据信号以及命令信号，所述存储器件包括：存储单元阵列，包括正常区域和冗余区域，所述正常区域包括第一失效块，所述冗余区域包括替换第一失效块的第一冗余块；以及控制电路，包括存储关于第一失效块和第一冗余块的替换信息的映射表，所述控制电路被配置为当地址信号与所述第一失效块相对应时，参考映射表并且访问所述第一冗余块，其中，所述正常区域进一步包括第二失效块，所述控制电路被配置为在所述正常区域和所述第一冗余块中写入第一逻辑值；在除了所述第一冗余块之外的冗余区域中写入第二逻辑值；将所述第二失效块与所述冗余区域中的第二冗余块之间的替换信息添加到所述映射表；以及关于被指派到地址信号的整个范围来基于从存储单元阵列所读取的整个数据验证采用所述第二冗余块替换所述第二失效块的结果，以生成验证结果信号。13.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，当整个数据之中的与所述第二冗余块相对应的部分数据中的所有具有第二逻辑值并且整个数据之中的除了所述部分数据之外的剩余数据中的所有具有第一逻辑值时，控制电路确定错误未被包括在采用所述第二冗余块替换所述第二失效块的结果中，并且激活验证结果信号。14.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，当整个数据之中的与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金锡中，张永旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR