一种固态硬盘快速纠错的方法技术

本发明专利技术公开了一种固态硬盘快速纠错的方法，其特征在于创建最优读电压表，物理块操作信息至少包括物理块序号和该物理块序号对应的最优读电压，当NAND控制器读取的BLOCK数据出现无法纠错的错误时，则先检索最优读电压表，如果检索到该表中已存在该BLOCK的物理块序号以及对应的最优读电压，则直接读取最优读电压，重新根据最优读电压读取该BLOCK的数据；如果不存在则找到最优读电压，按照查找到的最优读电压读取该BLOCK的数据，并将最优读电压加入到最优读电压表中。通过以块为单位对各个块的最优读电压进行管理，降低当块数据读取发生错误时可直接采用其最优读取电压进行数据恢复，极大的降低读取电压尝试而引起的响应延迟，提高了固态硬盘的性能。

Method for fast correcting error of solid state hard disk

The invention discloses a method for solid state disk error correction, which is characterized in that create optimal read voltage meter, the optimal physical block operation information includes at least a physical block number and the serial number of the corresponding physical block read voltage, when no correction error occurred in the BLOCK NAND controller to read the data, first search optimal voltage meter reading. If the search to the table already exists in the BLOCK physical block serial number and corresponding optimal read voltage, directly read optimal read voltage, re read voltage according to the optimal read the BLOCK data; if there is to find the optimal read voltage, according to optimal search to read voltage read the BLOCK data, and the optimal read the voltage added to the optimal voltage reading table. By taking a block as a unit for each block read optimal voltage management, reduce the error when the block data is read directly by the optimal read voltage data recovery, greatly reduce the read voltage caused by the attempt to response delay, improve the performance of ssd.

【技术实现步骤摘要】
一种固态硬盘快速纠错的方法
本专利技术涉及存储芯片设计领域，尤其涉及一种固态硬盘快速纠错的方法。
技术介绍
图1是NAND的组成结构图，现有技术的固态硬盘都支持多通道DIE并行操作,每个通道都有若干个块Block组成，每个Block由多个页Page构成；NAND由于它的存储原理决定了Block是擦除操作的最小单位，Page是编程的最小单元；任意一个Page要对它进行编程操作前必须要对其所在的Block进行擦除操作。图2是现有NAND的数据读取流程图，在主机随机访问NAND数据时，NAND控制器接收到主机的命令且经过SSD内部映射表转换成物理地址后，NAND控制器发起对NAND的读操作；NAND加载对应的数据并返回NAND控制器；NAND控制器根据写入时附加的校验信息(典型地如ECCParity)可以识别数据是否正确，当数据出错的bit数量在一定范围(假设最高纠错比特数为：TH_1)内时，可纠正回来，将纠错的后的数据返回给主机，完成本次读操作。当数据错误超过一定范围(TH_1)时，数据不可直接纠错，此时需要用到NAND内部的算法调整数据读取方式，依次执行NAND复读操作NANDRead本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态硬盘快速纠错的方法，其特征在于创建最优读电压表，所述的最优读电压表由多个物理块操作信息组成，物理块操作信息至少包括物理块序号和该物理块序号对应的最优读电压，当NAND控制器读取的BLOCK数据出现无法纠错的错误时，则先检索最优读电压表，如果检索到该表中已存在该BLOCK的物理块序号以及对应的最优读电压，则直接读取该物理块序号对应的最优读电压，重新根据最优读电压读取该BLOCK的数据；如果检索该表不存在则采用依次调整读电压的方式找到最优读电压，按照查找到的最优读电压读取该BLOCK的数据，并将该BLOCK的物理块序号和该物理块序号对应的最优读电压加入到最优读电压表中。

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘快速纠错的方法，其特征在于创建最优读电压表，所述的最优读电压表由多个物理块操作信息组成，物理块操作信息至少包括物理块序号和该物理块序号对应的最优读电压，当NAND控制器读取的BLOCK数据出现无法纠错的错误时，则先检索最优读电压表，如果检索到该表中已存在该BLOCK的物理块序号以及对应的最优读电压，则直接读取该物理块序号对应的最优读电压，重新根据最优读电压读取该BLOCK的数据；如果检索该表不存在则采用依次调整读电压的方式找到最优读电压，按照查找到的最优读电压读取该BLOCK的数据，并将该BLOCK的物理块序号和该物理块序号对应的最优读电压加入到最优读电压表中。2.根据权利要求1所述的固态硬盘快速纠错的方法，其特征在物理块操作信息还包括特征信息，所述特征信息包括物理块的擦除除次数和写入...

【专利技术属性】
技术研发人员：王猛，徐伟华，
申请(专利权)人：记忆科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44