封装结构及其制法制造技术

一种封装结构及其制法，该制法包括：提供一具有相对的两表面的承载件，且于该承载件的两表面上分别形成一介电体，各该介电体中嵌埋有线路层与形成于该线路层上的导电层，之后移除该承载件，藉由在该承载件的相对两表面上分别制作线路层、导电层与介电体，以提高产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关一种封装结构，尤指一种供半导体封装的线路封装结构及其制法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，许多高阶电子产品都逐渐朝往轻、薄、短、小等高集积度方向发展，且随着封装技术的演进，晶片的封装技术也越来越多样化，半导体封装件的尺寸或体积亦随之不断缩小，藉以使该半导体封装件达到轻薄短小的目的。图1A至图1C为现有封装结构1的制法的剖视图。如图1A所示，于一承载件上形成一介电体11，且该介电体11中嵌埋有线路层12与形成于该线路层12上的导电层13。接着，移除部分该承载件，使保留的承载件作为支撑架10。之后，于该介电体11上设置电子元件14，且该电子元件14藉由多个如焊锡材料或铜柱的导电元件140电性连接该线路层12。如图1B所示，将上述结构设于模具90中。如图1C所示，于模具90的填充空间900中灌注封装胶体15，再移除该模具90与支撑架10。惟，现有封装结构1的制法中，该承载件需作为支撑架10，故仅能于该承载件的其中一侧形成封装结构1，导致产能(unitsperhour，简称UPH)较低。此外，由于该支撑架10抵靠模具90，使该模具90与该介电体11之间产生间隙，导致模压后的封装胶体15的最小厚度等于该支撑架10的高度h，故该封装胶体15的厚度h’需大于或等于支撑架10的高度h(亦即原本承载件的厚度)，而无法形成较薄的封装胶体15，导致该现有封装结构1无法满足薄化电子产品的需求。因此，如何克服上述现有技术的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺失，本专利技术提供一种封装结构及其制法，以提高产能。本专利技术的封装结构，包括：承载件，其具有相对的两表面；以及二介电体，其分别形成于该承载件的两表面上，且各该介电体中嵌埋有第一线路层与形成于该第一线路层上的第一导电层。本专利技术还提供一种封装结构的制法，包括：提供一具有相对的两表面的承载件；于该承载件的两表面上分别形成一介电体，且各该介电体中嵌埋有第一线路层与形成于该第一线路层上的第一导电层；以及移除该承载件。前述的制法中，还包括设置电子元件于该介电体上，且该电子元件电性连接至该第一线路层，且形成封装胶体于该介电体上，使该封装胶体包覆该电子元件；或者，形成底胶于该介电体与该电子元件之间，使该底胶固定该电子元件。前述的封装结构及其制法中，该承载件的两表面为金属表面。前述的封装结构及其制法中，先于该承载件的两表面上形成该第一线路层，使该第一线路层结合于该承载件上，再形成该第一导电层于该第一线路层的部分表面上，之后形成该介电体于该承载件的两表面上。或者，先于该承载件的两表面上藉由第一感光型介电层形成该第一线路层，再藉由第二感光型介电层形成该第一导电层于该第一线路层的部分表面上，并令该第一与第二感光型介电层作为该介电体。前述的封装结构及其制法中，该第一导电层外露于该介电体。例如，先形成该介电体于该承载件的两表面上，且该第一导电层未外露于该介电体的表面，再移除该介电体的部分表面，使该第一导电层外露于该介电体的表面。前述的封装结构及其制法中，形成该介电体的材质为模压树脂、预浸材或感光型介电层。前述的封装结构及其制法中，还包括形成第二线路层于该介电体上，且该第二线路层电性连接该第一导电层。依上述，还包括形成绝缘保护层于该介电体与第二线路层上。依上述，还包括形成第二导电层于该第二线路层上，再形成介电层于该介电体上，且该介电层包覆该第二线路层与第二导电层。进一步地，还包括形成第三线路层于该介电层上，且该第三线路层电性连接该第二导电层。更进一步地，还包括形成绝缘保护层于该介电层与第三线路层上。由上可知，本专利技术的封装结构及其制法中，主要藉由该承载件的相对两表面上分别制作线路层、导电层与介电材，故相较于现有技术的单面制作，本专利技术可将产量增加一倍，因而有效提高产能。再者，藉由移除该承载件，以避免形成现有支撑架，故于形成该封装胶体时，模具的填充空间能依需求调整降低，以利于缩小结构高度，因而能满足薄化电子产品的需求。又，本专利技术的制法先形成线路层及导电层，再形成介电部，之后外露该导电层，以电性连接后续形成的线路，故此种方式无需于该介电部上使用激光钻孔来制作该导电层，因而能降低制作成本附图说明图1A至图1C为现有封装结构的制法的剖面示意图；图2A至图2E为本专利技术的封装结构的制法的第一实施例的剖面示意图；其中，图2B’及图2B”为图2B的不同实施例，图2E’为图2E的另一实施例；图3A至图3D为本专利技术的封装结构的制法的第二实施例的剖面示意图；以及图4A至图4E为本专利技术的封装结构的制法的第三实施例的剖面示意图。符号说明1,2,2’,3,4封装结构10支撑架11,21,21’,21”介电体12线路层13导电层14,24电子元件140,240,27导电元件15,25封装胶体20承载件20a,20b表面200板体201金属层22第一线路层220第一感光型介电层23第一导电层230第二感光型介电层26底胶31绝缘保护层32第二线路层41介电层42第三线路层43第二导电层90模具900填充空间h高度h’厚度。具体实施方式以下藉由特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，熟悉此技艺的人士可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术也可藉由其他不同的具体实例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域的技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。请参阅图2A至图2E为显示本专利技术的封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：承载件，其具有相对的两表面；以及二介电体，其分别形成于该承载件的两表面上，且各该介电体中嵌埋有第一线路层与形成于该第一线路层上的第一导电层。

【技术特征摘要】
2014.09.26 TW 103133456;2015.07.27 TW 1041242171.一种封装结构，其特征为，该封装结构包括：
承载件，其具有相对的两表面；以及
二介电体，其分别形成于该承载件的两表面上，且各该介电体中
嵌埋有第一线路层与形成于该第一线路层上的第一导电层。
2.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该承载件的两表面
为金属表面。
3.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该第一线路层结合
于该承载件上。
4.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该第一导电层外露
于该介电体。
5.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，形成该介电体的材
质为模压树脂、预浸材或感光型介电层。
6.如权利要求1所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括
形成于该介电体上的第二线路层，且该第二线路层电性连接该第一导
电层。
7.如权利要求6所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括
形成于该介电体与第二线路层上的绝缘保护层。
8.如权利要求6所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括
形成于该第二线路层上的第二导电层、及形成于该介电体上的介电层，
且该介电层包覆该第二线路层与第二导电层。
9.如权利要求8所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括

\t形成于该介电层上的第三线路层，且该第三线路层电性连接该第二导
电层。
10.如权利要求9所述的封装结构，其特征为，该封装结构还包括
形成于该介电层与第三线路层上的绝缘保护层。
11.一种封装结构的制法，其特征为，该制法包括：
提供一具有相对的两表面的承载件；
于该承载件的两表面上分别形成一介电体，且各该介电体中嵌埋
有第一线路层与形成于该第一线路层上的第一导电层；以及
移除该承载件。
12.如权利要求11所述的封装结构的制法，其特征为，该承载件
的两表面为金属表面。
13.如权利要求11所述的封装结构的制法，其特征为，先于该承
载件的两表面上形成该第一线路层，再形成该导...

【专利技术属性】
技术研发人员：白裕呈，邱士超，林俊贤，范植文，陈嘉成，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71