一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法，所述框架引脚在框架背面，其上有凹槽，所述凹槽处有锡膏，该方法采用化学蚀刻的方法替代第一次切割分离，避免了物理切割引脚受力的问题，降低引脚根部分层风险，也解决了切割后引起的毛刺，导致短路的问题，具有蚀刻精度高、定位准的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子的QFN/DFN封装领域，具体是一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法。
技术介绍
现有QFN/DFN封装的切割工序会进行两次切割，先用较宽的刀片切刀框架厚度的一半，再用窄的刀片完全切割分离，可将引脚切割为台阶式引脚，SMT时引脚侧面锡量饱满，容易爬锡。存在的问题：1、第一次的半切割方式会导致裂纹及连筋异常；2、由于刀片只在框架表面划过，铜延展非常严重甚至连筋；3、产品经过两次机械切割，容易造成产品引脚根部毛刺、分层异常；4、切割加工误差较大，对位不准造成产品切割后尺寸、形状不符。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题，本专利技术提供了一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚及其制造方法，该方法采用化学蚀刻的方法替代第一次切割分离，避免了物理切割引脚受力的问题，降低引脚根部分层风险，也解决了切割后引起的毛刺，导致短路的问题，具有蚀刻精度高、定位准的优点。一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，所述框架引脚在框架背面，其上有凹槽，所述凹槽处有锡膏。一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚的制造方法，按照如下步骤进行：第一步，按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序，芯片通过焊线与框架连接，并被塑封体包围；第二步，在框架背面的框架引脚处进行化学蚀刻，形成凹槽；第三步，在框架背面的框架载体和框架引脚处上锡膏，包括在框架引脚处形成的凹槽内上锡膏；第四步，从框架正面塑封体开始，沿着凹槽中心线用刀具切割，直至完成分离。>附图说明图1为按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序后的封装件图；图2为塑封完成后进行框架背面蚀刻，蚀刻后图；图3为蚀刻完成后再进行上锡、切割图。图中，1为芯片、2为塑封体、3为框架载体、4为框架引脚、5为凹槽、6为锡膏、7为凹槽中心线。具体实施方式如图3所示，一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，所述框架引脚4在框架背面，其上有凹槽5，所述凹槽5处有锡膏6。一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚的制造方法，按照如下步骤进行：第一步，按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序，芯片1通过焊线与框架连接，并被塑封体2包围，如图1所示；第二步，在框架背面的框架引脚4处进行化学蚀刻，形成凹槽5，如图2所示；第三步，在框架背面的框架载体3和框架引脚4处上锡膏6，包括在框架引脚4处形成的凹槽5内上锡膏6，如图3所示；第四步，从框架正面塑封体2开始，沿着凹槽中心线7用刀具切割，直至封装件完成分离，如图3所示。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，其特征在于，所述框架引脚（4）在框架背面，其上有凹槽（5），所述凹槽（5）处有锡膏（6）。

【技术特征摘要】
1.一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚，其特征在于，所述框架引脚（4）在框架背面，其上有凹槽（5），所述凹槽（5）处有锡膏（6）。
2.一种采用半蚀刻工艺形成阶梯式框架引脚的制造方法，其特征在于，按照如下步骤进行：
第一步，按照传统工艺完成上芯、压焊、塑封工序，芯片（1）通过焊线与框架连接，并被塑封体（...

【专利技术属性】
技术研发人员：李万霞，郭玲芝，吕海兰，冯后清，
申请(专利权)人：华天科技西安有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61