一种预包封引线框架的制造方法技术

一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)第一次蚀刻：对金属基板的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，全蚀刻用以形成数个蚀穿的蚀刻孔来构成各承载单元的芯片座、引脚、座柱和中筋，部分蚀刻是沿中筋的正面进行的第一次部分蚀刻，以去除中筋厚度的一部分；(2)预包封：向所述蚀刻孔和中筋第一次被去除的区域注入第一塑封件进行预包封；(3)第二次蚀刻：是沿中筋的背面进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋的剩下部分。该预包封引线框架的制造方法无需切割金属、切割时不会出现分层、二次蚀刻区域小、对位时间短、制造成本低、生产效率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及引线框架
，具体涉及一种预包封引线框架的制造方法。
技术介绍
在半导体制造工艺领域，引线框架作为集成电路的芯片载体，是实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接、形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用,而四方扁平无外引脚封装构造(quadflatno-leadpackage,以下简称QFN)是目前最为传统且常见的引线框架封装构造。一片QFN引线框架如图1所示，通常包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋，所述承载单元包括芯片座4和设置于芯片座4周围的引脚5阵列，所述中筋7连接于相邻两个承载单元的引脚5阵列之间，所述芯片座4通过座柱6与中筋7相连，使得中筋7可以同时用于固定芯片座4和引脚5，以防止芯片座4或引脚5在封装过程中移动或偏移位置，但是由于中筋7为实体金属材质制成，在切割成型时，容易损耗切割刀具的寿命，制造成本高且效率低。为解决上述问题，行业内都会对中筋7的背面进行半蚀刻，通过减薄中筋部分的金属厚度，来降低对切割刀具的磨损，并提高切割效率。但是该方法仍然保留后续的金属切割过程，使得在测试时无法进行整片的引线框架的测试，因为中筋7的存在使得承载单元的引脚5之间为短路连接，必须要将各承载单元的中筋7切割下来之后才能一个个分别进行测试，测试效率非常低下，此外，由于中筋7的半蚀刻区域将会在后续的注塑过程中填充塑封件，容易导致切割成型时，在较大的切割力作用下出现金属层和塑料层的分层现象。目前还有一种引线框架的制造方法，是不需要设置中筋7，而是对需要蚀刻的区域，通过在正面和背面分别进行一次半蚀刻的方式来实现，该方法虽然使得后续过程无需切割金属，但是在进行正面的半蚀刻之后，再进行背面的半蚀刻时，由于需要蚀刻的区域较多，需要较长的对位时间，一方面会造成生产效率下降，难以实现大规模生产，另一方面较长的对位时间也会使蚀刻过程中我们所不期望的侧向腐蚀更加严重。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是：提供一种无需切割金属、切割时不会出现分层、二次蚀刻蚀刻区域小、对位时间短、制造成本低、生产效率高的预包封引线框架的制造方法。本专利技术的技术解决方案是：一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)第一次蚀刻：对金属基板的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，全蚀刻用以形成数个蚀穿的蚀刻孔来构成各承载单元的芯片座、引脚、座柱和中筋，部分蚀刻是沿中筋的正面进行的第一次部分蚀刻，以去除中筋厚度的一部分；(2)预包封：向所述蚀刻孔和中筋第一次被去除的区域注入第一塑封件进行预包封；(3)第二次蚀刻：是沿中筋的背面进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋的剩下部分。本专利技术预包封引线框架的制造方法在第一次蚀刻时就已完全形成芯片座、引脚、座柱和中筋，且中筋背面被保留而正面在该次蚀刻中已部分去除，改变了传统的中筋正面被保留而背面进行半蚀的方式，然后进行预包封使第二次蚀刻时芯片座和引脚可靠固定，这样只需再对中筋的背面未被蚀刻的部分进行第二次蚀刻，就可将中筋完全去除，蚀刻面积小，所需对位时间短，可大大提高生产效率，并且在两次蚀刻后中筋部分的金属已全部由第一塑封件代替，使得后续切割成型时只需切割第一塑封件，而无需切割金属，大大减少对刀具的损伤，制造成本较低且效率高，并且由于两次蚀刻后中筋部分已由第一塑封件构成，具有良好的电绝缘性，使各承载单元的引脚之间不再短路，在测试时也可整片进行，而无须将各承载单元一个个切割下来单独进行测试，也大大提高了测试效率。作为优选，在步骤(2)之后步骤(3)之前还进行选择性电镀：在芯片座和引脚的正面的局部区域形成第一电镀层，在芯片座和引脚的背面的局部区域形成第二电镀层。选择性电镀使中筋不被电镀，有利于第二次蚀刻，且该设置可使引线框架进入客户端之前就已电镀，无需客户端在测试切割之前再施行化学镀。作为优选，所述中筋第一次被去除的厚度大于第二次被去除的厚度。由于进行第二次部分蚀刻时需要与第一次部分蚀刻的位置进行对位，在蚀刻相同厚度的情况下，第二次部分蚀刻的时间将比第一次部分蚀刻所花的时间长，过长的蚀刻时间将会导致我们所不期望的侧向腐蚀较为严重，因此设置第二次被去除的厚度小于第一次被去除的厚度，来减少第二次蚀刻时间，可有效减少侧向腐蚀。作为优选，所述中筋第一次被去除的厚度为中筋厚度的3/4。该设置既可使第一次蚀刻后中筋的连接强度满足使用需求，又可减少第二次蚀刻的蚀刻时间，以减少侧向腐蚀。作为优选，在步骤(2)之后步骤(3)之前进行去溢料，以去除金属基板表面残留的第一塑封件。该设置可使产品表面清洁光滑，性能更好。选择性电镀和去溢料均为优选方案，若两者同时存在，则去溢料在选择性电镀之前。作为优选，所述去溢料通过电解或机械抛光去除金属基板表面残留的第一塑封件。电解和机械抛光可有效地去除溢料，且技术成熟，成本较低。作为优选，所述预包封采用模铸方式，所述第一塑封件为环氧树脂。模铸方式使用方便可靠，环氧树脂粘结力强，机械强度高，耐腐蚀性和电绝缘性好。附图说明：图1为QFN引线框架的俯视图；图2为本专利技术预包封引线框架的制造方法的工艺流程图；图中：1-金属基板，2-中筋的正面，3-蚀刻孔，4-芯片座，5-引脚，6-座柱，7-中筋，8-第一塑封件，9-第一电镀层，10-中筋的背面，12-芯片，13-引线，14-第二塑封件，15-第二电镀层，D1-中筋第一次被去除的厚度，D2-中筋第二次被去除的厚度，D-中筋厚度。具体实施方式下面结合附图，并结合实施例对本专利技术做进一步的说明。实施例：本实施例提供一种包含了本专利技术预包封引线框架的制造方法的集成电路元件的制作方法，依次经过以下步骤：(1)第一次蚀刻：提供一金属基板如图2a所示，金属基板1可采用良好导电性的金属，例如铜、铁、铝、镍、锌或其合金等，在金属基板1的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，得到图2b，全蚀刻用以形成数个蚀穿的蚀刻孔3来构成各承载单元的芯片座4、引脚5、座柱6和中筋7，所述芯片座4、引脚5、座柱6和中筋7的形状结构采用现有的QFN引线框架的形状结构，如图1所示，部分蚀刻是沿中筋7的正面2进行的第一次部分蚀刻，为显示蚀刻孔3和第一次部分蚀刻后中筋7的结构，图2是沿图1中A-A’处剖开得到，图2中显示蚀刻孔3被蚀穿且中筋7的厚度的一部分被去除，由于中筋的背面的一部分厚度仍然保留，依然可以用于固定芯片座4和引脚5，为减少第二次蚀刻的时间，设置所述中筋7第一次被去本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)第一次蚀刻：对金属基板(1)的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，全蚀刻用以形成数个蚀穿的蚀刻孔(3)来构成各承载单元的芯片座(4)、引脚(5)、座柱(6)和中筋(7)，部分蚀刻是沿中筋(7)的正面(2)进行的第一次部分蚀刻，以去除中筋(7)厚度的一部分；(2)预包封：向所述蚀刻孔(3)和中筋(7)第一次被去除的区域注入第一塑封件(8)进行预包封；(3)第二次蚀刻：是沿中筋(7)的背面(10)进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋(7)的剩下部分。

【技术特征摘要】
1.一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：
(1)第一次蚀刻：对金属基板(1)的正面进行全蚀刻加部分蚀刻两种蚀刻方式，全蚀刻
用以形成数个蚀穿的蚀刻孔(3)来构成各承载单元的芯片座(4)、引脚(5)、座柱(6)和中筋
(7)，部分蚀刻是沿中筋(7)的正面(2)进行的第一次部分蚀刻，以去除中筋(7)厚度的一部
分；
(2)预包封：向所述蚀刻孔(3)和中筋(7)第一次被去除的区域注入第一塑封件(8)进行
预包封；
(3)第二次蚀刻：是沿中筋(7)的背面(10)进行的第二次部分蚀刻，用于去除中筋(7)的
剩下部分。
2.根据权利要求1所述的一种预包封引线框架的制造方法，其特征在于：在步骤(2)之
后步骤(3)之前还进行选择性电镀：在芯片座(4)和引脚(5)的正面的局部区域形成第一电
镀层(9)，在芯片座(4)和引脚(...

【专利技术属性】
技术研发人员：黎超丰，周林，张继安，徐治，王敏良，李文波，冯小龙，杨张特，李昌文，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33