制造半导体器件的方法技术

本发明专利技术的各个实施例涉及制造半导体器件的方法。半导体器件的性能得到改进。在用于制造半导体器件的方法中，在存储器单元区域中，在半导体衬底的主表面之上形成由第一导电膜所形成的控制栅极电极。然后，按照覆盖控制栅极电极的方式形成绝缘膜和第二导电膜，并且对第二导电膜进行回蚀刻。结果，在控制栅极电极的侧壁之上经由绝缘膜而保留第二导电膜，从而形成存储器栅极电极。然后，在外围电路区域中，在半导体衬底的主表面中形成p型阱。在p型阱之上形成第三导电膜。然后，形成由第三导电膜所形成的栅极电极。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关串请的交叉引用2014年8月1日提交的日本专利申请2014-158245号的公开，包括说明书、附图和摘要，以引用的方式全部并入本文。
本专利技术涉及一种用于，并且优选地适用于例如用于制造包括形成在其中的半导体衬底中的半导体元件的半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件已经得到广泛使用，半导体器件具有:存储器单元区域，在该存储器单元区域中，存储器单元(诸如，非易失性存储器)形成在半导体衬底之上；以及外围电路区域，在该外围电路区域中，包括例如MISFET (金属绝缘体半导体场效应晶体管)的外围电路形成在半导体衬底之上。例如，作为非易失性存储器，可以形成有存储器单元，该存储器单元由使用M0N0S(金属氧化物氮化物氧化物半导体)膜的分离栅极(split gate)型单元形成。在这种情况下，存储器单元由具有控制栅极电极的控制晶体管和具有存储器栅极电极的存储器晶体管的两个MISFET形成。并且，存储器晶体管的栅极绝缘膜由层合膜(laminat1n film)形成，该层合膜包括，例如，氧化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜，并且称为0N0(氧化物氮化物氧化物)膜。日本特开2004-200本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底；(b)在所述半导体衬底的第一主表面的第一区域中，在所述半导体衬底的所述第一主表面处，形成第一绝缘膜；而在所述半导体衬底的所述第一主表面的第二区域中，在所述半导体衬底的所述第一主表面处，形成与所述第一绝缘膜在相同层处的第二绝缘膜；(c)在所述第一绝缘膜之上，形成第一导电膜；并且在所述第二绝缘膜之上，形成与所述第一导电膜在相同层处的第二导电膜；(d)将所述第一导电膜图案化，从而形成由所述第一导电膜所形成的第一栅极电极，形成由在所述第一栅极电极与所述半导体衬底之间的所述第一绝缘膜所形成的第一栅极绝缘膜，并且保留所述第二导电膜；(e)在...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：川嶋祥之，茶木原启，梅田恭子，西田彰男，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP