三维存储装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种三维存储装置。三维存储装置包括存储元件区、第一阶梯结构、第二阶梯结构、第一导电条以及第二导电条。存储元件区包括第一叠层结构以及第二叠层结构。第一叠层结构包括第一半导体条，第二叠层结构包括第二半导体条。第一阶梯结构位于存储元件区的一侧，第一半导体条的一端连接第一阶梯结构。第二阶梯结构位于存储元件区的对侧，第二半导体条的一端连接第二阶梯结构。第一导电条透过第一阶梯结构耦接至第一半导体条。第二导电条透过第二阶梯结构耦接至第二半导体条。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储装置，且特别是有关于一种设置多个存储单元的平面的三维存储装置。
技术介绍
随着集成电路制造技术的进步，叠层多个平面的存储单元的三维存储装置被发展出来，藉此获得更大的储存容量。在一个三维存储器阵列中，位线被安排成用来存取存储阵列中的不同层，因此位线的配置是显著影响读取及/或编程存储器的速度。因此，如何提供一种可改善存储器读取及/或编程带宽的存储装置，乃目前业界所致力的课题之一。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种三维存储装置，此三维存储装置的导电结构设置是改善存储器的读取及编程带宽。根据一实施例，提出一种三维集成电路，包括存储元件区、第一阶梯结构、第二阶梯结构、第一导电条以及第二导电条。存储元件区包括第一叠层结构以及第二叠层结构。第一叠层结构包括第一半导体条，第二叠层结构包括第二半导体条。第一阶梯结构位于存储元件区的一侧，第一半导体条的一端连接第一阶梯结构。第二阶梯结构位于存储元件区的对侧，第二半导体条的一端连接第二阶梯结构。第一导电条透过第一阶梯结构耦接至第一半导体条。第二导电条透过第二阶梯结构耦接至第二半导体条。为了对本专利技术的上述及其他方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维存储装置，包括：一存储元件区，包括：一第一叠层结构，包括一第一半导体条；以及一第二叠层结构，包括一第二半导体条，该第二叠层结构与该第一叠层结构平行且相邻；一第一阶梯结构，位于该存储元件区外的一侧，该第一半导体条的一端连接该第一阶梯结构；一第二阶梯结构，位于该存储元件区外的对侧，该第二半导体条的一端连接该第二阶梯结构；一第一导电条，透过该第一阶梯结构耦接至该第一半导体条；以及一第二导电条，透过该第二阶梯结构耦接至该第二半导体条。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕函庭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71