【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种整合电路的晶体管，晶体管包括多个适合作为一高电压通道晶体管(high voltage pass transistor)，其可应用于一些高密度记忆体的解译结构(decoding structure)。
技术介绍
在一高密度记忆体中，多个记忆胞的多个阵列常分割成多个记忆胞区块。各记忆胞区块可包括区域字线，所需的对应区域字线驱动器。在此些结构中，一整体字线驱动器可驱动阵列中一行区块的一组区域字线。该组区域字线的各字线是根据作用于所选择的区块的操作而配置，此处的操作例如是对高密度快闪装置的读取、编程及抹除。对应一些记忆体装置的类型而言，一些操作可要求高电压且一些可要求负电压。如此，字线驱动器被要求符合不同高电压及负电压操作参数。在这些环境下的字线驱动器可包括通道晶体管(pass transistor)，其用以传输电压从整体字线到区域字线。此些通道晶体管会遭遇到高电场，其中高电场足以导致非预期电荷被捕捉于源极/漏极端之上的绝缘材料。被捕捉于此些位置的电荷可产生电场，此电场将使得晶体管通道中的电荷载子传输能力下降，致使晶体管的电压传输能力不足。此不...
【技术保护点】
一种晶体管装置，其特征在于其包括：一晶体管，具有一栅极、一通道及一第一源极/漏极端；一跨置导体，设于该第一源极/漏极端上方，且与该第一源极/漏极端隔离，且通过一绝缘材料与该栅极隔离；以及一电路，连接于该跨置导体，以施加一偏压，而倾向产生该晶体管的电荷被捕捉于该绝缘材料的补偿效果。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：张逸鵬，陈映仁，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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