存储器装置制造方法及图纸

一种存储器装置，包括：沿着第一方向按次序布置的第一有源区至第四有源区，它们沿着与第一方向不同的第二方向延伸；第一栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，并且沿着第一方向延伸；第二栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，该第二栅电极沿着第一方向延伸，并且布置为使得沿着第二方向在第一栅电极与第二栅电极之间不存在其它栅电极；第一栅电极在第一端与第二端之间延伸；第一布线，其形成在第一栅电极上；第一带触点，其在第一有源区与第二有源区之间将第一布线与第一栅电极连接；以及第二带触点，其在第三有源区与第四有源区之间将第一布线与第一栅电极连接。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】存储器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2014年6月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请N0.10-2014-0079073的优先权，该申请的公开以引用方式全文并入本文中。
本公开涉及一种存储器装置，并且，更具体地说，涉及一种包括反熔丝存储器单元的非易失性存储器装置。
技术介绍
通常，在诸如移动装置部件、汽车部件等的装置中用到的微控制器单元(MCU)、功率集成电路(1C)、显示驱动器1C、互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器等中会使用可编程存储器。对于这种可编程存储器，广泛地使用一次可编程(0ΤΡ)存储器。0ΤΡ通常占据小面积，不需要额外处理，并且当高电压施加至薄栅氧化层时通过与击穿机构的电短路对其编程。通常通过存储器电路中的断开连接(利用熔丝)或创建连接(利用反熔丝)对诸如0ΤΡ存储器装置之类的可编程存储器设备编程。例如，可编程只读存储器(PR0M)包括位于存储器位置或位(bit)处的熔丝和/或反熔丝，并且通过触发熔丝和反熔丝中的一个对其编程。一旦完成编程，其通常不可逆转。通常，以具体的最终使用或应用为考虑，在制造存储器设备之后执行编程。通过在特定量的高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器装置，包括：反熔丝存储器单元阵列，其包括多个晶体管，所述多个晶体管布置成多行，各行沿着第一方向延伸并且包括一组晶体管；第一栅电极，其沿着所述多行中的第一行延伸，并且连接至所述第一行中的第一组晶体管；第一布线，其位于所述第一栅电极上方，并且在竖直方向上与所述第一栅电极分离开，该第一布线沿着所述第一方向延伸；以及多个带触点，其沿着所述第一方向和所述第一行布置，各个带触点在所述第一栅电极与所述第一布线之间延伸，并且沿着所述第一行布置的各个带触点被称作Ⅰ型带触点，其中，多个Ⅰ型带触点的第一Ⅰ型带触点布置为处在多个Ⅰ型带触点的第二Ⅰ型带触点的第一侧，并且所述第一Ⅰ型带触点和所述第二Ⅰ型...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：崔贤民，前田茂伸，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR