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存储器装置制造方法及图纸
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文档序号:12833981
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一种存储器装置,包括:沿着第一方向按次序布置的第一有源区至第四有源区,它们沿着与第一方向不同的第二方向延伸;第一栅电极,其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉,并且沿着第一方向延伸;第二栅电极,其形成在第一有源区至第...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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