【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种非易失性存储器，其特征在于，包括：位线，第一类型的第一存储器单元，每个所述第一存储器单元包括单个浮置栅极晶体管，所述第一存储器单元中的每个第一存储器单元的所述浮置栅极晶体管包括电耦合至所述位线中的第一位线的漏极区域，所述第一类型的第二存储器单元，每个所述第二存储器单元包括单个浮置栅极晶体管，所述第二存储器单元中的每个第二存储器单元的所述浮置栅极晶体管包括电耦合至所述位线中的第二位线的漏极区域，以及第二类型的存储器单元，每个所述第二类型的存储器单元包括：第一浮置栅极晶体管，包括浮置栅极和电耦合至所述第一位线的漏极区域，以及第二浮置栅极晶体管，包括浮置栅极和电耦合至所述第二位线的漏极区域，其中所述第一浮置栅极晶体管的所述浮置栅极被电耦合至所述第二浮置栅极晶体管的所述浮置栅极，并且所述第二浮置栅极晶体管包括隧道电介质层和相对于所述第二浮置栅极晶体管的所述浮置栅极在所述隧道电介质层的相对侧上延伸的永久导电区域。
【技术特征摘要】
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