共享位线的串架构制造技术

描述了使用共享位线的串架构对存储器单元进行编程和读取的方法。在一些实施例中，存储器单元和选择器件可以与包括电荷存储层的晶体管对应。在一些情况下，电荷存储层可以是导电的或不导电的(例如，在SONOS器件中使用的氮化硅层)。在一些实施例中，选择配对的串中的第一串中的存储器单元可以包括：将SEO晶体管设置成导通状态，以及将控制漏极侧选择晶体管的SGD线设置成下述电压，该电压大于与第一串的第一漏极侧选择晶体管关联的第一阈值电压并且小于与配对的串中的第二串的第二漏极侧选择晶体管关联的第二阈值电压。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】
技术介绍
半导体存储器广泛地用于各种电子设备诸如蜂窝电话、数字摄影装置、个人数字助理、医疗电子设备、移动计算设备及非移动计算设备。半导体存储器可以包括非易失性存储器或易失性存储器。非易失性存储器使得甚至在非易失性存储器未连接至电源(例如，电池)时都能够存储和保留信息。非易失性存储器的示例包括闪存存储器(例如，NAND型闪存存储器和NOR型闪存存储器)和电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。闪存存储器和EEPROM 二者都利用浮栅晶体管。对于每个浮栅晶体管，浮栅位于浮栅晶体管的沟道区之上并且与该沟道区绝缘。沟道区位于浮栅晶体管的源极区与漏极区之间。控制栅极位于浮栅之上并且与该浮栅绝缘。浮栅晶体管的阈值电压可以通过设置存储在浮栅上的电荷量来控制。浮栅上的电荷量通常使用Fowler-Nordheim隧道效应或热电子注入来控制。调节阈值电压的能力使浮栅晶体管能够用作非易失性存储元件或存储器单元。在一些情况下，可以通过对多个阈值电压或阈值电压范围进行编程和读取来提供每个存储单元的多于一个数据位(即，多级存储器单元或多状态存储器单元)。NAND闪存存储器结构通常与两个选择栅极串联本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于操作共享位线的串架构的方法，包括：确定存储器单元与配对的串中的第一串关联，所述配对的串包括所述第一串和第二串，所述第一串包括具有第一阈值电压的第一选择晶体管，所述第二串包括具有与所述第一阈值电压不同的第二阈值电压的第二选择晶体管，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管连接至漏极侧选择线；将SEO晶体管设置成导通状态，所述SEO晶体管连接至所述第一串和所述第二串；以及对所述存储器单元执行操作。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛钟善，李承皮，金光虎，湍·潘姆，
申请(专利权)人：桑迪士克技术有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US