【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及用于在存储器器件中使用纠错码(ecc)期间管理存储器器件的消耗的方法和系统。
技术介绍
1、纠错码对于本领域技术人员来说是公知的，并且使得校正位的错误逻辑值成为可能。更具体地，利用纠错码，如果将s个校验位添加到b个数据位，则可以从b+s个位中校验r个错误。
2、当希望实现纠错码时，包括数据和校验位的存储器的大小大于旨在存储数据而不使用纠错码的存储器的大小。
3、作为指示的方式，用于在32位(32位字)的宽度上存储数据的静态随机存取存储器具有用于存储校验位的7位的附加宽度，这导致39位的总宽度，以便能够存储39位字。
4、其结果是，相对于不旨在存储校验位的32位存储器，具有存储的校验位的存储器的表面积增加了22％。
5、如果用户不需要在特定应用中使用纠错码，则该22％的附加存储器区域(area)将永远不会被使用，这是因为它对于数据存储是不可存取的。然而，该丢失的存储器表面积对漏电流具有直接影响，这对于低消耗产品是不可忽略的。
6、存储器表面积的增加也会影响器件的成本。
7、在法国专利申请no.3089317中已经提出使用在存储器的存储空间的管理中提供更大灵活性的存储器结构，以便考虑使用纠错码的可选性质。
8、因此，在上述专利申请中，已经提出了一种存储器，该存储器能够存储数据和纠错码校验位，并且可选地如果在某些应用中不旨在使用纠错码的话，能够重新使用用于这些校验位的存储空间以用于数据存储目的。
9、更具体地，已经提出了一种
10、该系统基于成行的存储器区的组织，并且特别是基于具有特定寻址的这些行中的数据位和校验位(当旨在使用纠错码时)的存储。
11、然而，当旨在在这样的系统中使用纠错码时，对于第一存储器区中的数据的每次存储器存取，也可以利用第二存储器区中的存储器存取，这使消耗加倍。
技术实现思路
1、本公开大体来说涉及用于在存储器器件中使用纠错码(ecc)期间管理存储器器件的消耗的方法和系统，所述存储器器件在一些实施例中可以是易失性存储器器件，例如静态随机存取存储器(sram)器件。
2、本公开的专利技术者已认识到需要或希望减少使用纠错码的存储器系统中的消耗。
3、根据至少一个实施例，本公开提供一种系统，其包括存储器器件，寄存器和处理电路装置。所述存储器器件包括：第一存储器区，其具有被配置为存储数据的第一存储器区域的第一部分；以及第二存储器区，其具有被配置为存储与所述数据相关联的纠错码校验位的第二存储器区域的第二部分。所述处理电路装置被配置为：执行对所述第一存储器区域的所述第一部分中的所述数据的第一读取；在同一存储器存取期间读取与所述数据相关联的纠错码校验位和与存储在所述第二存储器区域的所述第二部分中的附加数据相关联的附加纠错码校验位；在所述寄存器中存储附加纠错码校验位；读取所述第一存储器区域的第一部分中的附加数据；以及从所述寄存器提取与所述附加数据相关联的纠错码校验位。
4、在至少一个实施例中，本公开提供了一种方法，该方法包括：在存储器器件的第一存储器区域的第一部分中执行数据的第一读取；在同一存储器存取期间读取与所述数据相关联的纠错码校验位和与存储在所述存储器器件的第二存储器区域的第二部分中的附加数据相关联的附加纠错码校验位；在寄存器中存储所有附加纠错码校验位；读取所述第一存储器区域的所述第一部分中的附加数据；以及从所述寄存器提取与所述附加数据相关联的纠错码校验位。
5、在至少一个实施例中，本公开提供了一种方法，该方法包括：将第一行数据存储在存储器器件的第一存储器区中；将第二行数据存储在所述第一存储器区中；将与所述第一和第二行数据相关联的纠错校验位存储在所述存储器器件的第二存储器区的行中；由处理电路装置存取存储在第一存储器区中的第一行数据和与第一行数据相关联的纠错校验位；以及在寄存器中存储与存储在第一存储器区中的第二行数据相关联的纠错码校验位。
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1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理电路装置被配置为在执行所述数据的所述第一读取期间读取与所述数据相关联的所述纠错码校验位以及与所述附加数据相关联的所述附加纠错码校验位。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器区域和所述第二存储器区域包括行，其中所述第一存储器区域的每行和所述第二存储器区域的每行被配置为存储p个字节的字，并且与存储在所述第一存储器区域的p个连续行中的所述数据相关联的所述纠错码校验位被存储在所述第二存储器区域的行的所述p个字节中。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述处理电路装置被配置为：
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器器件是易失性存储器器件。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述存储器器件是静态随机存取存储器SRAM器件。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器器件是非易失性存储器器件。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述存储器器件是电可擦除可编程只读存储器EEPROM器件。
9.一种方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种系统，包括：
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述处理电路装置被配置为在执行所述数据的所述第一读取期间读取与所述数据相关联的所述纠错码校验位以及与所述附加数据相关联的所述附加纠错码校验位。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述第一存储器区域和所述第二存储器区域包括行，其中所述第一存储器区域的每行和所述第二存储器区域的每行被配置为存储p个字节的字，并且与存储在所述第一存储器区域的p个连续行中的所述数据相关联的所述纠错码校验位被存储在所述第二存储器区域的行的所述p个字节中。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述处理电路装置被配置为：
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器器件是易失性存储器器件。
6.根据权利要求5所述的系统，其中所述存储器器件是静态随机存取存储器sram器件。
7.根据权利要求1所述的系统，其中所述存储器器件是非易失性存储器器件。
8.根据权利要求7所述的系统，其中所述存储器器件是电可擦除可编程只读存储器eeprom器件...
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