半导体基板及其制造方法技术

本发明专利技术关于一种半导体基板及其制造方法。该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、数个导电通道及数个凸块。该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面，且显露于绝缘层的第一表面。该第二线路层位于该绝缘层的第二表面上，且经由该等导电通道电性连接该第一线路层。该等凸块直接位于部份该第一线路层上，其中该等凸块的晶格与该第一线路层的晶格相同。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术关于一种。该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、数个导电通道及数个凸块。该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面，且显露于绝缘层的第一表面。该第二线路层位于该绝缘层的第二表面上，且经由该等导电通道电性连接该第一线路层。该等凸块直接位于部份该第一线路层上，其中该等凸块的晶格与该第一线路层的晶格相同。【专利说明】
本专利技术关于一种基板及其制造方法。详言之，本专利技术关于一种。
技术介绍
已知半导体基板中，位于最外层的线路层嵌于基板的绝缘层的表面，且显露于该绝缘层的表面。由于该线路层的显露表面会与该绝缘层的表面共平面，因此，当接合一覆晶芯片时，若该线路基板发生翘曲，则部分该覆晶芯片的凸块(例如:锡球)会没有接触到该线路层而导致开路(Open Circuit),造成产品失败。 为了改善上述缺点，一种新的解决方案被提出。该解决方案先在该线路层的显露表面上形成凸块(例如:铜柱)，再与该覆晶芯片做接合。目前已知将该凸块形成于该线路层上的方式(例如:电镀或蚀刻)被提出。然而，该等目前方式所形成的凸块皆有偏移(Offset)的问题，亦即，凸块无法位于该线路层接垫(Pad)的正上方，而会覆盖到部分该绝缘层的表面。此种情况在该线路与线路彼此的距离愈近且愈密时，是不被允许的，因为这样容易造成该覆晶芯片的凸块同时接触该偏移的凸块与其邻近的接垫或迹线(Trace)，而导致桥接(Bridge),造成产品失败。
技术实现思路
本揭露的一方面关于一种半导体基板的制造方法。在一实施例中，该制造方法包括以下步骤:提供一内埋线路基板，该内埋线路基板包括一绝缘层、一第一线路层及数个导电通道，其中该绝缘层具有一第一表面及一第二表面，该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面内，且显露于该绝缘层的第一表面，该等导电通道贯穿该绝缘层且接触该第一线路层；形成一光阻层于该第一线路层上，其中该光阻层具有数个开口，该等开口显露部份该第一线路层；及形成数个凸块于该显露的第一线路层上。 在本实施例中，该等凸块形成于该显露的第一线路层上。因此，该等凸块完全位于该等接垫的正上方。当该半导体基板与一覆晶芯片做接合时，该覆晶芯片的凸块可直接接触该半导体基板的该等凸块，而不易发生接触到该等凸块邻近的接垫或迹线导致桥接的情况。尤其当该第一线路层为细线路时，上述桥接情况仍不易发生，而可以维持产品的良率。 本揭露的另一方面关于一种半导体基板。在一实施例中，该半导体基板包括一绝缘层、一第一线路层、一第二线路层、数个导电通道及数个凸块。该绝缘层具有一第一表面及一第二表面。该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面，且显露于绝缘层的第一表面。该第二线路层位于该绝缘层的第二表面上。该等导电通道贯穿该绝缘层且电性连接该第一线路层及该第二线路层。该等凸块直接位于部份该第一线路层上，其中该等凸块的晶格与该第一线路层的晶格相同。 【专利附图】【附图说明】 图1显示本专利技术半导体基板的一实施例的局部剖视示意图。 图2至图11显示本专利技术半导体基板的制造方法一实施例的示意图。 图12a显示该第二光阻层的一实例。 图12b显示该第二光阻层的另一实例。 图13显示该第二光阻层的另一实例。 图14显示本专利技术半导体基板的另一实施例的局部剖视示意图。 图15至图16显示本专利技术半导体基板的制造方法的另一实施例的示意图。 图17显示本专利技术半导体基板的另一实施例的局部剖视示意图。 图18至图19显示本专利技术半导体基板的制造方法的另一实施例的示意图。 【具体实施方式】 参考图1，显示本专利技术半导体基板的一实施例的局部剖视示意图。该半导体基板I包括一绝缘层16、一第一线路层14、一第二线路层30、数个导电通道221、数个凸块28、一第一保护层32及一第二保护层34。 该绝缘层16为绝缘材料或介电材料,例如:聚丙烯(PolyproPylene, PP),其具有一第一表面161、一第二表面162及数个贯穿孔20。该第一线路层14嵌于或内埋于该绝缘层16的第一表面161,且显露于该绝缘层16的第一表面161。该第一线路层14的显露表面大致上与该绝缘层16的第一表面161共平面。在本实施例中，该第一线路层14为一图案化导电线路层，其包括数个接垫(Pad) 141及数个迹线(Trace) 142。该第一线路层14的材质为电镀铜(Electroplated Copper),其利用电镀工艺所形成。 该第二线路层30位于该绝缘层16的第二表面162上。在本实施例中，该第二线路层30并未嵌于或内埋于该绝缘层16的第二表面162。在本实施例中，该第二线路层30为一图案化导电线路层，其由一第二金属层18及一第三金属22所组成，该第二金属层18位于该绝缘层16的第二表面162上,且该第三金属22位于该第二金属层18上。该第二金属层18为一铜箔经蚀刻后而成，且该第三金属22为电镀铜，其利用电镀工艺所形成。该第二线路层30包括数个焊球接垫301。 该等导电通道221位于该等贯穿孔20，因而贯穿该绝缘层16且电性连接该第一线路层14及该第二线路层30。在本实施例中，该等贯穿孔20更贯穿该第二金属层18 ;该等导电通道221为该第三金属22的一部分，且同时形成。 该等凸块28 (例如:铜柱)直接位于部份该第一线路层14上，其中该等凸块28的晶格与该第一线路层14的晶格相同。在本实施例中，该等凸块28的材质为电镀铜，其利用电镀方式直接形成于该第一线路层14的接垫141上。因此，利用一聚焦离子束显微镜(Focused 1n Beam,FIB)可看出，该等凸块28与该第一线路层14的接垫141间的介面并不明显，且该等凸块28与该第一线路层14具有相同的晶格。在本实施例中，每一该等凸块28位于每一该等接垫141的外侧壁向上延伸的假想面所包围的范围内。亦即，该凸块28位于该接垫141的正上方，且该凸块28外侧壁所包围的范围等于或略小于该接垫141的外侧壁所包围的范围。相较于已知技术，由于该凸块28自该接垫141延伸形成，因此该凸块28与该接垫141之间并无偏移(Offset)的问题，同时该凸块28并不会覆盖到或接触到该绝缘层16的第一表面161。 第一保护层32位于该绝缘层16的第一表面161及该第一线路层14上，且具有至少一开口 321，以显露部分该绝缘层16的第一表面161、部分该第一线路层14及该等凸块28。在本实施例中，该第一保护层32的材质为绿漆(Solder Mask)、苯环丁烯(Benzocyclobutene, BCB)或聚酸亚胺(Polyimide, PI)。 该第二保护层34位于该绝缘层16的第二表面162及该第二线路层30上，且具有至少一开口 341，以显露部分该第二线路层30 (即该等焊球接垫301)，以供焊球连接。在本实施例中，该第二保护层34的材质为绿漆(Solder Mask)、苯环丁烯(Benzocyclobutene,BCB)或聚酰亚胺(Polyimide, PI)。 在本实施例中，该等凸块28位于该等接垫141的正上方，因此当该半导体基板I与一覆晶芯片(图中未示)做接合时，该覆晶芯片的凸块可直接接触该半导体基板I的该等凸块28，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体基板的制造方法，包括以下步骤：提供一内埋线路基板，该内埋线路基板包括一绝缘层、一第一线路层及数个导电通道，其中该绝缘层具有一第一表面及一第二表面，该第一线路层嵌于该绝缘层的第一表面内，且显露于该绝缘层的第一表面，所述导电通道贯穿该绝缘层且接触该第一线路层；形成一光阻层于该第一线路层上，其中该光阻层具有数个开口，所述开口显露部份该第一线路层；及形成数个凸块于该显露的第一线路层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖国成，李俊哲，苏洹漳，郑文吉，丁一权，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71