芯片的测试电路及其测试方法技术

一种芯片的测试电路，包括：电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；输入焊盘，适于输入基准电压；电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结果；输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果。本发明专利技术技术方案提供的测试电路可以直接通过输出焊盘输出基准电压和核心电源电压的电压值比较结果，通过电压值比较结果可以获得核心电源电压的电压值。这样无需降低芯片的电源电压，芯片的核心电路使用核心电源电压进行测试，并且也无需检测核心电源电压的电压值，只需在电压值比较结果发生变化时进行测试，这对于在有限量测硬件单元和低端测试机上可以实现高速高效的同测方案，极大的提高了检测效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种芯片的测试电路及其测试方法。
技术介绍
影响SoC设计成败的因素很多，影响SoC良率的关键因素已经成为嵌入式Flash的良率问题。为了提高嵌入式Flash的良率，保证Flash核心电路（IP核）的性能和可测性，需要从测试入手，通过外部设备高效的测试嵌入式Flash。对SoC芯片进行测试，实质上是对嵌入式Flash IP核的测试。在IC设计之初，就需要对嵌入式Flash IP核的性能进行测试、分析与论证，保证芯片满足实际需要。Flash IP核的电源电压由低压差线性稳压器（low dropout regulator，LDO）提供，LDO根据芯片的电源电压产生稳定的Flash IP核的电源电压，当芯片的电源电压发生变化时，LDO可以维持Flash IP核的电源电压不变。为了测试Flash IP核在不同电源电压下的性能，现有技术存在一种停止使用LDO（by pass LDO）输出Flash IP核的电源电压的测试方法，即直接使用芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片的测试电路，其特征在于，包括：
电源电压提供单元，适于获得核心电源电压；
输入焊盘，适于输入基准电压；
电压比较单元，适于获得所述核心电源电压和基准电压的电压值比较结
果；
输出焊盘，适于输出所述电压值比较结果。
2.如权利要求1所述的芯片的测试电路，其特征在于，还包括：性能测试
单元，适于检测所述芯片的核心电路在所述核心电源电压下的性能参数。
3.如权利要求2所述的芯片的测试电路，其特征在于，所述芯片为Flash，
所述性能参数为所述核心电路在所述核心电源电压下进行擦除、写或读取操
作时的性能参数。
4.如权利要求1所述的芯片的测试电路，其特征在于，所述电源电压提供单
元为LDO电路。
5.如权利要求1所述的芯片的测试电路，其特征在于，所述电源电压提供单
元适于根据所述芯片的电源电压获得核心电源电压。
6.一种使用权利要求1所述芯片的测试电路的测试方法，其特征在于，包括：
对输入焊盘施加基准电压；
改变电源电压提供单元获得的核心电源电压的电压值；
检测输出焊盘输出...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：