披露了一种热分解氮化硼容器，即使当所述热分解氮化硼容器的直径增大时，所述热分解氮化硼容器的横截面形状仍可保持为正圆，并且所述热分解氮化硼容器不易通过重复使用而变形。本发明的热分解氮化硼容器是用于晶体生长方法的热分解氮化硼容器，在所述方法...

本发明提供了一种光收发器，其易于安装在主机系统的隔离罩内。实施例的光收发器设置有围绕光收发器的外壳的指状件。指状件具有：后边缘，其末端向下弯曲以便容纳到外壳的第一凹槽中，并且与隔离罩的边成斜角地延伸；以及截面呈U形的加固部分，其牢固地安...

本发明提供一种引导辊及光纤的制造方法，其不会损伤光纤并可以长期良好地进行引导。该引导辊对由树脂包覆玻璃光纤（G1）而形成的光纤（G2）的行进进行引导，所述引导辊与光纤（G2）接触的表面的维氏硬度大于或等于1000。将该引导辊作为正下辊（...

本发明的课题在于提供一种挠性基板模块，其使用挠性基板，且对搭载的热源的散热性十分优良，并且柔软性、集成性也非常优良。挠性基板模块（1），作为在挠性绝缘基材（11）的表面侧层叠的表面层，形成印刷配线层（12），并且在该印刷配线层（12）上...

本发明提供了一种非水电解质电池用正极体，其中在正极活性材料颗粒与固体电解质颗粒之间的接触界面处，高电阻层的形成被抑制，因此抑制了界面电阻的增加。根据本发明的非水电解质电池用正极体1包含硫化物固体电解质颗粒11和被覆正极活性材料颗粒10的...

本发明的目的在于，提供一种光缆末端固定件，其可以通过简单的作业将光缆的末端部分固定，并且使抗拉力纤维的固定不易松弛。光缆末端固定件（1）具有连结部件（3）、铆接部件（4）、紧固部件（5），连结部件（3）为形成有可将光纤部（6）插入的贯穿...

本实用新型提供一种引线部件，其可以简单地识别各个引线部件的正反面，可以将非水电解质电池的电极箔焊接在没有飞边的引线部件的面上。在引线部件(1)中，粘贴在扁平导体(2)的两面上的绝缘树脂薄膜(3、13)的物理特征彼此不同。例如，对于引线部...

印刷配线板在第1导电层（2）和第2导电层（4）之间具有绝缘层（3）。通过具有贯穿绝缘层（3）的导体的盲孔（5），使第1及第2导电层（2、4）连接。在制造印刷配线板时，对盲孔（5）是落在标准内还是落在标准外进行判断，将落在标准内的盲孔认定...

第一单晶衬底（11）具有第一侧表面且由碳化硅构成。第二单晶衬底（12）具有与第一侧表面相对的第二侧表面且由碳化硅构成。接合部（BD），在第一和第二侧表面之间，使第一和第二侧表面彼此连接且由碳化硅构成。接合部的至少一部分具有多晶结构。因此...

一种碳化硅衬底（1）包括：基础衬底（10），该基础衬底（10）具有70mm或更大的直径；和多个SiC衬底（20），该SiC衬底（20）由单晶碳化硅制成并且在平面图中观察时并排布置在基础衬底（10）上。换句话说，多个SiC衬底（20）并排...

本发明提供了具有高导电率和高强度的Cu-Ag合金线以及制造该Cu-Ag合金线的方法。该Cu-Ag合金线由含有Ag的铜合金构成，该Cu-Ag合金线包含0.1质量%以上且15质量%以下的Ag，余量为Cu和杂质。当在所述Cu-Ag合金线的横截...

在玻璃母材制造方法中，顺序经过固定工序、堆叠工序、拔出工序、透明化工序及实心化工序，制造玻璃母材，在固定工序中，将初始棒（11）插入种棒管（12）并固定，使得初始棒（11）的前端部（11a）从种棒管（12）的一端（12a）凸出，从而制作...

本发明公开了一种形成取样光栅的方法以及制作激光二极管的方法。形成取样光栅的方法包括下述步骤：制备衬底；制备纳米压印模具，其包括其上周期性地形成有凸起和凹陷的图案表面；制备掩模，其包括交替地设置的光遮挡部分和光透射部分；将光致抗蚀剂层和树...

本发明提供一种光纤的拉丝装置和拉丝方法，其即使使炉框体内的气体从炉管下端部形成的间隙向炉管内漏出，也不会使烟灰沿内径方向堆积。在将流入炉管（13）内并朝下流动的惰性气体的体积流量设为Q1，将从炉框体（14）内向炉管内漏出的惰性气体的体积...

披露了一种熔盐电池装置和用于熔盐电池的温度控制方法，所述方法使得所述熔盐电池温度被控制在均匀的温度下，也使得能够容易冷却。所述熔盐电池装置在容器（2）内布置多个熔盐电池（1），使得在所述熔盐电池（1）周围设置空间，用加热介质（3）填充在...

本发明提供一种氧化还原液流电池(1)，其中将储存在正极槽(106)中的正极电解液和储存在负极槽(107)中的负极电解液供给至电池元件(100)中以对所述电池进行充放电，所述氧化还原液流电池(1)中所述正极电解液含有Mn离子作为正极活性物...

一种IGBT，包括：设置在碳化硅半导体层（3）中的沟槽（16），设置在碳化硅半导体层（3）中的第一导电类型的体区（4）；和至少覆盖沟槽（16）的侧壁表面（16a）的绝缘膜（91），沟槽（16）的侧壁表面（16a）是相对于{0001}面具...

碳化硅层外延形成在衬底（1）的主表面上。该碳化硅层设置有沟槽，该沟槽具有相对于主表面倾斜的侧壁（6）。侧壁（6）相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。栅极绝缘膜（8）设置在碳化硅层的侧壁（6）上。碳化硅层包括：体区...

本发明提供了包括欧姆电极的碳化硅半导体器件以及制造这种碳化硅半导体器件的方法，所述欧姆电极通过在不形成肖特基接触的情况下抑制碳沉积来实现与布线的粘附性的提高。具体地，在针对SiC半导体器件形成欧姆电极时，在SiC层(11)的一个主表面上...

制备具有表面的碳化硅衬底。通过执行通过表面到碳化硅衬底中的离子注入而形成杂质区（123至125）。执行用于活化杂质区的退火。退火包括：利用具有第一波长的第一激光照射碳化硅衬底的表面的步骤，以及利用具有第二波长的第二激光照射碳化硅衬底的表...