本发明公开一种光纤，该光纤具有位于围绕芯层的包层中的多个孔，并且具有高断裂强度和低传输损耗。芯层由玻璃制成。包层围绕芯层，孔形成在包层中而沿着光纤的中心轴延伸。孔彼此之间以恒定的间隔沿着以芯层为中心的圆形成，每个孔具有大致圆形剖面。包层...

本发明提供了一种石英制燃烧器和一种光纤用玻璃母材的制造方法，其中，通过降低在制作石英燃烧器时石英材料中所含杂质的浓度、特别是铁（Fe）的含有浓度，特别是可以减少火焰抛光时附着在光纤用玻璃母材上的杂质，从而减少拉丝时光纤中所产生的异常点。...

本发明提供一种玻璃母材的制造方法，其通过防止在非工作时来自外部的杂质等侵入，从而可以可靠地防止炉芯管内部被污染。在该玻璃母材的制造方法中，将堆叠玻璃微粒而形成的玻璃微粒堆叠体（13）吊挂在炉芯管（11）内，从该炉芯管（11）外部对玻璃微...

本发明公开一种制造光纤的方法以及光纤，该方法包括：第一步，将光纤预制件拉伸成玻璃纤维，并且在玻璃纤维的外周上设置光纤涂层，以形成母光纤；第二步，将母光纤切割成多根单独光纤；第三步，确定母光纤的至少一个位置处的断裂强度F1和断裂时间T；第...

本实用新型提供一种引线部件，其由没有切断飞边的镀镍铜的扁平导体构成。引线部件（3）是在实施了镀镍后的扁平导体（4）的两面粘贴绝缘树脂薄膜（5）而形成的，在该引线部件（3）中，作为扁平导体（4），是对软铜的圆形导体进行压延而以导体宽度大于...

本实用新型提供一种维持较高的可靠性且耐拉伸性优良的探头电缆。该探头电缆具有：多芯电缆，其利用护套覆盖捆束起来的多根细径电线的周围；应变消除部，其安装在多芯电缆的端部附近；探头盒，其安装在应变消除部上，覆盖从护套的端部露出的细径电线；以及...

本实用新型提供一种空气弹簧，其可以抑制空气弹簧整体的重量增加，同时调整其高度。空气弹簧具有：上表面板；下表面板，从上表面板观察，在主负载方向上与上表面板隔着间隔配置该下表面板；隔膜，其可以弹性变形，通过将上表面板和下表面板连接而形成封闭...

本发明提供电气部件、非水电解液电池、以及其中所使用的引线和可密封容器。电气部件包括：可密封容器，其具有金属层；以及引线导体，其从可密封容器的内部延伸到外部，可密封容器和引线导体在密封部处熔融粘结，其中，密封部至少局部具有由聚烯丙基胺构成...

本发明提供一种制造SiC半导体装置的方法，所述方法包括：在SiC半导体的第一表面上形成第一氧化物膜的步骤(S4)；除去所述第一氧化物膜的步骤(S5)；以及在所述SiC半导体中因除去所述第一氧化物膜而露出的第二表面上形成构成所述SiC半导...

本发明提供了一种具有优良散热特性的电抗器。电抗器（1）配有通过缠绕绕组线（2w）而构成的一个线圈（2）；布置在线圈（2）的内侧和外侧并且形成闭合磁路的磁芯（3）；以及用于容纳线圈（2）和磁芯（3）的组装体的外壳（4）。使线圈（2）的端面...

本发明涉及具有用于在执行脉冲激光输出的开始和结束时能实现快速响应同时又能有效抑制对光放大介质的损坏的结构的激光装置。该激光装置设置有种子光源(10)、光放大部分(20)、脉冲调制器(40)、泵浦功率控制器(50)、以及主控制器(60)。...

本发明提供电气部件、非水电解质电池以及其中所用的引线和密封容器，它们的使用使初始状态和与电解质接触状态中的粘合性和密封性得到提高。电气部件包括：具有金属层的密封容器，以及从所述密封容器的内部延伸至该密封容器的外部的引线导体，所述密封容器...

本发明提供了具有稳定特性和高质量的半导体器件以及用于生产该半导体器件的工艺。该半导体器件包括具有主表面的衬底（1）和碳化硅层（2至5）。该碳化硅层形成在衬底（1）的主表面上。碳化硅层中的每一个具有作为相对于主表面倾斜的端表面的侧表面。在...

本发明公开了一种制造光学组件（1、1a）的方法，其中，该光学组件具有：光学活性器件（2），其位于引线框架（3、53）上；以及透镜（4），透明的树脂（5）将透镜与光学活性器件及引线框架共成型，而使透镜相对于引线框架定位。本发明的成型模具（...

本实用新型提供一种细径电缆束，其可以确保良好的防水性，并且易于进行组装操作。细径电缆束（11）具有多根细径电缆（12）和防水管（21），在该防水管（21）中，将多根细径电缆（12）捆束而插入，在防水管（21）的端部，在内侧设置管（17）...

扁平电缆（1）具有：电缆主体（10），其在以平面状排列的多根导体（12）的两面贴合有绝缘膜（3a、3b）；以及连接部件（21），其形成为在与导体（12）相同数量的连接导体（23）上粘贴有连接基材（22），连接部件（21）通过粘接剂（16...

旋转驱动装置（A1，A2）具备各自具有输出端并且相互独立地绕各自的旋转中心轴旋转的外筒轴（5）及内筒轴（4），将外筒轴（5）的输出端的旋转驱动力作为驱动源而驱动一对龙伯透镜（21），并且利用由外筒轴（5）及内筒轴（4）的输出端的转速彼此...

本发明提供了一种光电检测器及其制造方法，其中在从包括1.3μm的短波长侧到长波长侧的近红外区域上抑制灵敏度变化。该光电检测器包括在III-V族半导体衬底上包括GaAsSb层与InGaAs层的重复结构的II型多量子阱结构的吸收层，并在包括...

公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含方向和方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。

通过掩膜层（31）中的开口（OP）将第一导电类型的杂质注入到碳化硅衬底（90）上。分别形成由第一和第二材料制成的第一和第二膜（32，33）。在各向异性蚀刻过程中感测对第一材料执行的蚀刻，且随后停止各向异性蚀刻。通过由第一和第二膜（32，...