碳化硅衬底、半导体器件及其制造方法技术

公开的碳化硅衬底（1）包括碳化硅。并且在一个主表面（1A）的法线和{03-38}面的法线到包含方向和方向的面的正交投影之间的角度为0.5°或更小。因此，该碳化硅衬底（1）展示出提高的半导体器件沟道迁移率和稳定特性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，更具体地，涉及一种，使得能够实现包括碳化硅衬底的半导体器件的稳定特性。
技术介绍
近年来，为了实现高击穿电压、低损耗，以及在高温环境下利用半导体器件，已经开始采用碳化硅作为用于半导体器件的材料。碳化硅是宽带隙半导体，与通常广泛用作半导体器件材料的硅相比，其具有更大的带隙。因此，通过采用碳化硅作为用于半导体器件材 料，半导体器件可以具有高击穿电压、降低的导通电阻等。此外，有利地，与采用硅作为其材料的半导体器件相比，即使在高温环境下，由此采用碳化硅作为其材料的半导体器件的特性劣化也很小。在这种情况下，已经考虑了各种在制造半导体器件时使用的碳化硅晶体和用于制造碳化硅衬底的方法，并且已经提出了各种想法(例如，参见日本专利特开No. 2002-280531(PTL I))。引用列表专利文献PTL I:日本专利特开 No. 2002-28053
技术实现思路
然而，已经要求半导体器件实现其特性的进一步提高，诸如提高沟道迁移率。除了提高上述特性之外，在半导体器件中，实现特性的小变化也是很重要的。考虑到这一点，本专利技术的目的是提供一种，以实现半导体器件的沟道迁移率提高和稳定特性。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木信，原田真，伊藤里美，冲田恭子，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：