碳化硅半导体器件制造技术

碳化硅层外延形成在衬底（1）的主表面上。该碳化硅层设置有沟槽，该沟槽具有相对于主表面倾斜的侧壁（6）。侧壁（6）相对于{0001}面具有不小于50°且不大于65°的偏离角。栅极绝缘膜（8）设置在碳化硅层的侧壁（6）上。碳化硅层包括：体区（3），其具有第一导电类型，并且面对栅电极（9）且其间插入栅极绝缘膜（8）；以及一对区域（2、4），其通过体区（3）彼此分开并具有第二导电类型。体区（3）具有5×1016cm-3或更大的杂质密度。这使得在设定阈值电压时具有更大的自由度，同时能够抑制沟道迁移率的降低。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种碳化硅半导体器件，更具体地涉及ー种具有栅电极的碳化硅半导体器件。
技术介绍
近年来，为了实现高击穿电压、低损耗以及在高温环境下应用半导体器件，已经开始采用碳化硅作为用于半导体器件的材料。碳化硅是ー种具有比已被广泛地作用于半导体器件的材料的硅的能带隙大的能带隙的宽带隙半导体。因此，通过采用碳化硅作为用于半导体器件的材料，半导体器件能够具有高击穿电压、降低的导通电阻等。此外，有利地，由此采用碳化硅作为其材料的半导体器件即使在高温环境下也具有与采用硅作为其材料的半导体器件相比更少劣化的特性。 在采用碳化硅作为其材料的这种半导体器件中，存在根据预定阈值电压控制在沟道区中是否出现反型层以便导通或中断电流的半导体器件。这种半导体器件的实例包括MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)以及IGBT (绝缘栅双极型晶体管)。对于这种半导体器件来说，已进行了各种研究，以调整阈值电压或提高沟道迁移率(例如，參见非专利文献I)。引证文献列表非专利文献NPL I Sei-Hyung Ryu等人，"Critical Issues for MOS Based PowerDevices i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田健良，日吉透，和田圭司，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：