用于制造半导体器件的方法技术

提供了用于制造具有稳定特性并且具有高质量的半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅层（2至4）；通过去除碳化硅层（2至4）的一部分，在主表面中形成沟槽（16）；并且通过热蚀刻，去除沟槽（16）的侧壁的一部分。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及，更具体地，涉及用于利用在碳化硅层中形成并且包括预定晶面的倾斜表面来制造半导体器件的方法。
技术介绍
传统上，已提出使用碳化硅(SiC)作为用于半导体器件的材料。例如，已提出使用碳化硅形成沟槽栅型MOSFET (参见日本专利特开No. 2008-235546 (专利文献I))。日本专利特开No. 2008-235546提出为了提高沟槽栅型MOSFET中的栅极绝缘膜的击穿电压，形成其中布置有栅电极和栅极绝缘膜并具有渐缩(tapered)侧壁的沟槽。具体地，通过使用具有开口图案的蚀刻掩膜利用各向异性蚀刻去除由碳化硅制成的半导体层的一部分，并且在此后执行各向同性蚀刻，在半导体层中形成具有渐缩侧壁的沟槽。引用列表专利文献PTLl 日本专利特开 No. 2008-23554
技术实现思路
技术问题这里，例如，关于六方晶型的碳化硅，传统上已报道，可以利用所谓的半极性面、诸如具有{03-3-8}的面取向的面作为诸如MOSFET的半导体器件中的沟道，来实现高沟道迁移率。然而，专利文献I没有直接公开形成如上所述的半极性面作为沟槽栅型MOSFET中的沟道(即，将沟槽形成为具有由半极性面构成的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.03 JP 2010-1746641.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤 制备具有主表面的碳化硅层(2至5、32至35、42、43); 通过去除所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的一部分，在所述主表面中形成沟槽(16);并且 通过热蚀刻，去除所述沟槽(16)的侧壁的一部分。2.根据权利要求I所述的用于制造半导体器件的方法，其中，形成所述沟槽(16)的步骤包括以下步骤 在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的所述主表面上，形成具有开口图案的掩膜层(17)，并且 使用所述掩膜层(17)作为掩膜，通过蚀刻来去除所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的一部分，以形成所述沟槽(16)。3.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，在所述去除的步骤中，在所述掩膜层(17)保留在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的所述主表面上的状态下，执行所述热蚀刻。4.根据权利要求2所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述掩膜层(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：增田健良，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：