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提供了用于制造具有稳定特性并且具有高质量的半导体器件的方法。用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备具有主表面的碳化硅层（2至4）；通过去除碳化硅层（2至4）的一部分，在主表面中形成沟槽（16）；并且通过热蚀刻，去除沟槽（16）的侧壁的一...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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