【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件及用于制造该半导体器件的方法，更具体地，涉及利用在碳化硅层中形成并且包括预定晶面的倾斜表面的半导体器件以及用于制造这种半导体器件的方法。
技术介绍
传统上，已提出使用碳化硅(SiC)作为用于半导体器件的材料。例如，通过改进的雷利(Rayleigh)方法制造由这种碳化娃制成的衬底。然而，如上所述制造的碳化硅衬底具有的问题在于，在其表面中形成开口并且常常产生微管，微管是在c轴方向上延伸的晶体缺陷。当在衬底表面上形成碳化娃的外延膜时，由于在衬底表面中存在微管，导致在外延膜中也存在晶体缺陷，这会造成最终得到的半导体器件的电特性劣化。为了解决这种问题，例如，专利文献I (日本专利特开No. 2004-292305)公开了一种通过以下步骤实现的液相外延生长技术将由碳化硅单晶制成的籽晶衬底和多晶碳化硅衬底叠置并且使硅源置于其间，将它们容纳在封闭容器中，此后将籽晶衬底和多晶碳化硅衬底加热到1400°C至2300°C，并且，利用由置于这两个衬底之间的熔化硅源产生的超薄硅熔体，通过液相外延生长方法在籽晶衬底上生长碳化硅单晶。专利文献I描述了通过如上所述的方...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.08.03 JP 2010-1746641.一种半导体器件，包括 衬底(1、31)，所述衬底(1、31)具有主表面；以及 碳化硅层，所述碳化硅层形成在所述衬底(I、31)的所述主表面上， 所述碳化娃层(2至5、32至35、42、43)包括相对于所述主表面倾斜的端表面(20), 在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是六方晶型的情况下，所述端表面(20)基本上包括{03-3-8}面和{01-1-4}面之一，并且在所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)是立方晶型的情况下，所述端表面(20)基本上包括{100}面。2.根据权利要求I所述半导体器件，其中，所述端表面(20)包括有源区。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述有源区包括沟道区。4.根据权利要求I所述的半导体器件，其中， 所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)在其主表面上包括台面结构，所述台面结构具有由所述端表面(20)构成的侧表面，所述主表面与所述碳化硅层(2至5、32至35、42、43)的面对所述衬底(1、31)的表面相反，并且 PN结形成在所述台面结构中。5.根据权利要求I所述的半导体器件，其中，所述端表面(20)的至少一部分构成终端结构(46)。6.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤 制备衬底(I、31)，在所述衬底(I、31)上形成有碳化硅层(2至5、32至35、42、43); 在将所...
【专利技术属性】
技术研发人员：增田健良，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：
国别省市：
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