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住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5332项专利
数据中继装置及其功能控制方法制造方法及图纸
主要对于在家庭侧使用的数据中继装置,比常规装置实现更多的功率节省。执行从一个端口到另一个端口的数据传输的数据中继装置R(例如,在光网络单元中包括的数据中继装置)通过在从连接至一个端口(端口2)的通信方(例如,光线路终端)接收到控制指令和...
开关电路及包络线信号放大器制造技术
本发明的一实施方式的开关电路具备:N个开关元件;包含串联连接的N-1个第1电感元件的连接电路;第2电感元件;及N个第3电感元件。N个开关元件的控制端子分别连接于连接电路的两端及连接接点。第2电感元件的一端连接于电源。N个第3电感元件分别...
III族氮化物半导体激光器元件、III族氮化物半导体激光器元件的制作方法技术
提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。将基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向对准支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向,以支撑装置(71)的边缘(71b)为基准将基板产物(SP)...
III族氮化物半导体激光器元件的制作方法技术
提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。使基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向与支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向一致,将基板产物(SP)设置于支撑装置(71)。以沿边缘(71...
用于制造碳化硅半导体器件的方法技术
公开了一种制造具有提高的性能的SiC半导体器件的方法。公开的制造SiC半导体器件的方法涉及下述步骤。制备SiC半导体,其具有第一表面,该第一表面的至少一部分被注入有杂质(S1-S3)。通过清洗SiC半导体的第一表面,形成第二表面(S4)...
编码来源于麻风树属树的PPAT的多核苷酸及其应用制造技术
本发明发现了来源于麻风树属树的SEQ?ID?NO:1的PPAT多肽和SEQ?ID?NO:2的PPAT多核苷酸等。通过用这种PPAT多核苷酸转化麻风树属树,与野生型相比,可以过表达PPAT多肽,并且这种多肽能够促进辅酶A的生物合成、增强该...
复合材料、连续铸造用部件、连续铸造用喷嘴、连续铸造方法、铸造材料和镁合金铸造卷材技术
本发明提供一种适合于形成连续铸造用部件的复合材料,所述部件能够长时间铸造表面品质优异的铸造材料并且可以抑制金属熔融液流入到喷嘴和动模之间的间隙中。复合材料(喷嘴1)包含具有许多孔的多孔体2和在所述多孔体的表面部中与所述金属熔融液接触的部...
气体分解组件制造技术
本发明提供了一种采用电化学反应并且可以具有高处理性能的气体分解组件,尤其是氨分解组件。气体分解组件包括:MEA(7),其包括固体电解质(1)以及布置成将固体电解质夹于中间的阳极(2)和阴极(5);Celmet(11s),其电连接至阳极(...
气体分解组件、氨分解组件、发电装置、电化学反应装置、以及气体分解组件的制造方法制造方法及图纸
本发明提供了一种气体分解组件以及这种气体分解组件的制造方法,本气体分解组件使用电化学反应来降低运行成本并且可以实现高处理性能。本气体分解组件包括:筒状MEA(7),其包括内表面侧的阳极(2)、外表面侧的阴极(5)、以及夹在阳极与阴极之间...
印刷电路板以及该印刷电路板的制造方法技术
根据本发明所涉及的印刷电路板的制造方法,首先,在绝缘层(20)中形成通至导电基板(10)的贯穿孔(41)。接下来,在绝缘层(20)上的包含贯穿孔(41)的区域中涂布含有导电性颗粒的导电性墨,形成导电颗粒层(31)。接着,通过电镀在导电颗...
跨阻抗放大器、集成电路和系统技术方案
一种集成电路,其设置有第一跨阻抗放大器和第二跨阻抗放大器。在该集成电路中,第一跨阻抗放大器和第二跨阻抗放大器之一被设定为启用状态,另一个被设定为禁用状态。第一跨阻抗放大器和第二跨阻抗放大器共享输入晶体管。第一跨阻抗放大器具有在其反馈节点...
非水电解质电池用集电体、非水电解质电池用电极以及非水电解质电池制造技术
本发明提供一种能够提高电池的放电容量和充电/放电效率的非水电解质电池用集电体,其中铝多孔体的表面中的氧含量低。该非水电解质电池用集电体由铝多孔体构成,并且所述铝多孔体的表面中的氧含量为3.1质量%以下。另外,所述铝多孔体由铝合金构成,该...
电容器及其制造方法技术
一种电容器,具有正极10、负极20和设置在所述电极层10和20之间的固体电解质层。所述电容器100的电极层中的至少一者10(20)具有Al多孔体11、以及电极体12(13),该电极体12(13)保持在所述Al多孔体中从而使所述电解质极化...
制造光纤预制件的方法技术
本发明提供一种制造光纤预制件的方法,该光纤预制件适于以高的成品率制造低衰减光纤。该方法包括制备芯棒的步骤以及附加包层区域的步骤。在制备芯棒的步骤中,制造具有第一芯层区域(21)、第二芯层区域(22)和第三芯层区域(23)的芯棒,其中,将...
锂电池用合金负极及其制造方法、以及锂电池技术
本发明提供一种锂电池用合金负极及其制造方法、以及锂电池,其中,在使用非水电解液的锂电池用合金负极中,通过在铝多孔体中填充锂金属,并且利用铝形成铝多孔体的骨架,进一步利用在由铜、镍、铁中的任一种金属所构成的芯材的表面上形成有铝层的铝被覆材...
光纤连接器制造技术
提供一种光纤连接器,其能够将光纤顺利且可靠地向收容槽引导,从而良好地保持光纤并进行连接。光连接器(11)在基座部件(22)及按压部件(23)后端的插入入口设置用于向收容槽(26)插入光纤芯线的插入引导部(28、33),插入引导部(28、...
半导体装置的制造方法制造方法及图纸
本发明提供一种半导体装置的制造方法,其中,将多个SiC半导体芯片安装到安装基板上(S1),对安装基板上的SiC半导体芯片施加电压(S2)。在施加有电压的状态下,使用红外线热像仪、红外线显微镜等热影像装置获取安装基板表面的温度分布图像(S...
非水电解质电池及其制造方法技术
本发明提供了一种非水电解质电池以及制造该非水电解质电池的方法,所述非水电解质电池是通过对单独制备的电极体进行粘结而制得的,其中所述电池可更加可靠地抑制正极层与负极层间的短路。具体公开的Li离子电池(非水电解质电池)(100)包括正极活性...
熔盐电池制造技术
提供了一种高度安全且具有长充电/放电循环寿命的熔盐电池。本发明的熔盐电池包括负电极1,其中负电极活性材料12主要由诸如硬碳的碳构成。负电极活性材料12经过表面处理用于对负电极活性材料12给予亲水性以改进对熔盐的亲和力。此外,诸如铁的过渡...
III族氮化物复合衬底制造技术
一种III族氮化物复合衬底(1),其包含支持衬底(10);在所述支持衬底(10)上形成的氧化物膜(20);和在所述氧化物膜(20)上形成的III族氮化物层(30a)。所述氧化物膜(20)可以为选自由TiO2膜和SrTiO3膜组成的组中的...
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