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住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5332项专利
用于制造光纤预制件的装置和方法制造方法及图纸
本发明提供了一种用于制造光纤预制件的装置和方法,以避免装置受损并且成本低。通过将玻璃颗粒(3)沉积在玻璃棒(2)的周面上来制造光纤预制件的装置(1)包括:腔室(10)、等离子体炬(11)、玻璃颗粒供应部(12)、组分修正气体供应部(13...
基站设备、终端设备、接收器端基站设备以及无线通信方法技术
当安装毫微微基站设备1b时,抑制在无线通信中可能出现的失败。毫微微基站设备1b包括:RF单元4,RF单元4将广播信息或寻呼信息发送给与毫微微基站设备1b通信的毫微微终端设备2b;以及信息存储单元31,信息存储单元31将与毫微微基站设备1...
半导体器件及其制造方法技术
公开了一种半导体器件(1),其具有半导体层(21-25)和衬底(2)。半导体层(21-25)由碳化硅制成,并且包括电流路径的至少一部分。衬底(2)具有用于支承半导体层(21-25)的第一表面(2A)和面对第一表面(2A)的第二表面(2B...
光收发器制造技术
本发明公开一种光收发器,该光收发器具有用以连接安装在光收发器中的光学器件的内部光纤。该光收发器包括用于铺设内部光纤的托架。托架可以由金属板制成并包括:主面,其与电子器件接触;接触面,其与壳体接触;以及弯折部,其将主面与接触面连接。托架具...
氧化还原液流电池制造技术
本发明提供一种氧化还原液流电池(RF电池)和运行所述氧化还原液流电池的方法,所述氧化还原液流电池(RF电池)具有高电动势并能够抑制沉淀的产生。在RF电池(100)中,将正极电解液和负极电解液供应至包含正极(104)、负极(105)和插入...
碳化硅半导体器件及其制造方法技术
本发明公开了具有包括沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。制造碳化硅半导体器件的方法包括:制备包含碳化硅的半导体膜的外延层形成步骤;在半导体膜的表面上形成氧化物膜的栅极绝缘膜形成步骤;在包含氮的气氛中,对其上形成有氧化物...
半导体器件及其制造方法技术
电极层(16)设置在碳化硅衬底(90)上并与其接触,并且具有Ni原子和Si原子。Ni原子的数量至少为Ni原子和Si原子的总数的67%。至少电极层(16)的与碳化硅衬底(90)接触的一侧包含Si和Ni的化合物。在电极层(16)的表面侧上,...
镁合金片制造技术
本发明公开了一种在低温下具有优异耐冲击性的镁合金片。还公开了使用所述镁合金片的镁合金构件、以及用于制造镁合金片的方法。所述镁合金片由含有Al和Mn的镁合金构成。当在所述镁合金片的厚度方向上将从所述合金片的表面起至所述合金片的30%为止的...
配线板制造技术
配线板(1)具有配线板基板(11)以及连接端子列(21),连接端子列(21)形成在配线板基板(11)的一个面上,构成为与被连接基板(40)的被连接端子列(51)连接。配线板(1)具有用于确定配线板(1)的连接端子列(21)相对于被连接基...
软磁性材料及压粉铁心制造技术
一种软磁性材料包含:多个复合磁性颗粒(30),该复合磁性颗粒(30)由金属磁性颗粒(10)和绝缘涂层(20)形成,该绝缘涂层(20)包围金属磁性颗粒(10)的表面并且含有磷酸金属盐和/或氧化物;以及微粒状润滑剂,该微粒状润滑剂的加入比例...
可插式光收发器及其制造方法技术
本发明公开一种可插式光收发器。所述光收发器包括树脂制的光学插座,其接纳外部光学连接器,所述光学插座包括用于以抽头的布置方式引出内部光纤的套筒组件;壳体,其设置有用于安装所述光学插座的区域,所述区域被侧壁和后壁围绕;以及导电片,其放置在所...
用可调谐LD实现的光收发机制造技术
本发明公开了一种用可调谐LD实现的光收发机。可调谐LD安装在TOSA(发射器光学组件)内。光收发机设置有以上下关系布置的两个电路板。TOSA主要与第二板连接,但是用于驱动可调谐LD的信号在FPC板上传送,所述FPC板与安装有用于可调谐L...
玻璃微粒堆叠体的制造装置制造方法及图纸
本发明提供一种玻璃微粒堆叠体的制造装置,其可以在抑制异物的附着及混入的同时,稳定且高效地制造高品质的玻璃微粒堆叠体。对于玻璃微粒堆叠体的制造装置(10),其向反应容器(11)内的标靶上堆叠通过喷管(13)的火焰进行水解反应生成的玻璃微粒...
用于制造碳化硅半导体器件的方法技术
一种用于制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括通过借助于采用包含氧气和从由CF4、C2F6、C3F8和SF6组成的组中选择的至少一种氟化合物气体的气体的蚀刻移除氧化硅膜(31)的一部分来形成氧化硅膜(31)的掩膜图案的步骤。
压坯及其制造方法、以及电抗器用磁芯技术
本发明提供了形成低损耗磁芯的压坯及其制造方法,以及采用该压坯的电抗器用磁芯。压坯(41、42)外周面的一部分由压模(10A)通孔(10hA)的内周面成型,其他部分由插入并布置在通孔(10hA)中的芯棒(13A)的外周面成型。将包覆软磁粉...
镁合金构件制造技术
本发明提供一种具有优异抗腐蚀性的镁合金构件。所述镁合金构件包含:含有超过7.5质量%的Al的镁合金基材;和通过化学转化处理在所述基材的表面上形成的抗腐蚀层。所述基材典型地含有分散在其中的析出物粒子。所述粒子由含有Al和Mg中的至少一种元...
氧化还原液流电池制造技术
本发明提供一种氧化还原液流电池(100),其通过向正极单元(102)和负极单元(103)分别供应正极电解液和负极电解液来实施充放电。所述正极电解液和所述负极电解液各自含有钒离子作为活性材料。所述正极电解液和所述负极电解液中的至少一种电解...
基站装置和程序制造方法及图纸
获得了一种基站装置,该基站装置通过软件处理减少在呼叫连接过程中出现的延迟时间。执行与移动电话终端8的无线电通信的基站装置1包括:管理用于无线电通信的无线电资源的无线电资源管理单元4;以及呼叫连接处理单元5。呼叫连接处理单元5被作为独立于...
信号处理电路和具有该电路的通信装置制造方法及图纸
本发明的目的是适当地限制对于各个频带(B1和B2)具有不同平均功率的IQ基带信号的幅度,而不使SNR降级。本发明涉及一种信号处理电路(9),其用于减小要输入到功率放大电路(5)的调制波信号的PAPR。信号处理电路(9)包括功率计算部(1...
峰值功率抑制电路以及具有峰值功率抑制电路的通信设备制造技术
本发明的目的在于提供一种能够更加准确地抑制IQ基带信号的峰值功率的峰值功率抑制电路(9)。本发明涉及对IQ基带信号执行限幅的峰值功率抑制电路(9)。峰值功率抑制电路(9)包括:功率计算部(13),功率计算部(13)计算IQ基带信号的瞬时...
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