提供了一种碳化硅半导体器件(1)，所述碳化硅半导体器件(1)包括半导体层(12)，其由碳化硅制成并具有带沟槽(20)的表面(12a)，所述沟槽(20)具有由以相对于{0001}面不小于50°且不大于65°的范围内的角度倾斜的晶面形成的侧...

本发明提供一种多芯光纤的纤芯间串扰的测定方法，其通过使向多芯光纤射入的入射光的波长在包含特定波长在内的一定范围内变化，或者，使向多芯光纤射入的入射光的偏振状态变化，同时对该多芯光纤的纤芯间串扰进行测定，从而得到纤芯间串扰的统计学分布。根...

本实用新型提供一种铁路车辆的防滚装置用轴承(20)，其经由连杆支撑扭杆的端部。该轴承(20)是在内侧部件(21)和外侧部件(22)之间设置弹性材料(23)而构成的，外侧部件两侧面(25a、25a)形成为平行且宽度相同的圆环状平面。连杆与...

本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一...

提供一种能够降低化合物半导体晶片的缺陷、破裂不良的研磨加工方法。本发明的化合物半导体晶片的加工方法对化合物半导体晶片的双面进行抛光加工，包括在上平台与下平台之间配置上述半导体晶片而进行抛光加工的工序，在上述上平台的上述晶片侧的面粘贴有软...

本发明提供了具有优异弯曲特性、强度和导电性的铝合金线(2)、铝合金绞线、包括上述合金线或绞线的被覆电线(10)、包括被覆电线(10)的线束、用于制备上述铝合金线的方法以及用于制备上述被覆电线(10)的方法。所述铝合金线(2)含有0.1质...

在没有获得资源分配信息的情况下，确定可用于基站装置的通信区域中的资源分配的基本单元（资源块）。为此，基站装置包括：RF部4，其接收另一个基站装置和与所述另一个基站装置无线连接的终端装置之间的通信信号；同步处理部5b，其执行用于与所述另一...

提供了与电极的接触电阻下降的化合物半导体器件。所述化合物半导体器件包含：包含六方晶系化合物半导体GaN且具有表面S1和S2的n衬底3；形成在所述n衬底3的所述表面S1上的n电极13；具有形成在所述n衬底3的所述表面S2上的n覆盖层5、有...

本发明提供一种清洁SiC半导体的方法，所述方法包括在碳化硅半导体(1)的表面上形成氧化膜(3)的步骤(步骤S2)和除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)。在所述除去所述氧化膜(3)的步骤(步骤S3)中，使用卤素等离子体或氢等离子体除去所...

本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，包括：用于制备复合晶圆的步骤；用于在复合晶圆上形成有源层（23）以获得第一中间晶圆的步骤；用于在第一中间晶圆上形成表面电极（24）以获得第二中间晶圆的步骤；用于将粘性带（71）粘贴到表面电极（2...

提供一种绝缘电线、同轴电缆及多芯电缆，其可以减小绝缘体的介电常数，在细径下得到良好的电气特性，而不会导致耐电压性降低及强度降低。同轴电缆（11）的中心导体（12）由具有沿长度方向连续的空隙部（14）的绝缘体（13）覆盖，在绝缘体（13）...

可以准确地确定具有多个工作模式的通信装置的功耗。管理装置4管理具有多个工作模式的通信装置3，并且包括：获得单元421，获得与通信装置3的功耗相关的信息；模式识别单元422，识别通信装置3的工作模式；以及电力管理单元424，通过使由获得单...

本发明公开一种可插式光收发器。所述光收发器包括多个OSA、光学元件和将光学元件与多个OSA连接的多根内部光纤。内部光纤均设置有与OSA中的一个OSA连接的内部连接器。安装有OSA、光学元件和内部光纤的壳体由金属制成，并且具有凹槽，内部光...

碳化硅衬底（80）的主表面（M80）在相对于六方晶体的｛0001｝面的偏离方向上以偏离角倾斜。主表面（M80）具有下述特性：在由具有比六方碳化硅的带隙更高的能量的激发光引起的主表面的发射具有超过650nm的波长的光致发光光的区域中，下述...

本发明的课题在于提供一种扁平电缆，其可以将全部线集中进行末端加工而与部件或设备连接，易于布线，可在扁平电缆上的任意部位利用树脂等外观良好地进行覆盖。本发明的扁平电缆构成为，将导体被绝缘体包覆、与长度方向垂直的剖面为圆形的多根圆形绝缘电线...

本发明公开一种简易的光纤弯曲性能的测量方法。在如下状态下测量从光纤的另一端射出的光的功率P1：在光纤(1)围绕心轴(2)的外周侧以恒定节距缠绕一层并且用折射率匹配片材(5)覆盖如此缠绕的光纤(1)的整个外周的情况下，使光入射至光纤的另一...

本发明提供一种玻璃微粒堆叠体的制造方法，其可以制造高品质的玻璃微粒堆叠体而不会产生裂纹或发生异物、气泡的残留。在玻璃微粒堆叠体的制造方法中，向反应容器内的标靶上喷射并堆叠通过喷管的火焰进行水解反应生成的玻璃微粒，在喷管的附近设置向反应容...

通过经由掩模层（31）中形成的第一开口进行离子注入，形成第一杂质区（123）。通过在上面已设置掩模层（31）的蚀刻停止层上沉积间隔层（32），形成具有掩模层（31）和间隔层（32）的掩模部（30）。通过对间隔层（32）进行各向异性蚀刻，...

基板（10-12）分别安装在多个基座（20-22）中的每个基座上。所述多个基座中的每个基座均安装有基板，且所述多个基座设置在旋转机构上，使得这些基座在上下方向上彼此间具有预定间隔。设置有所述多个基座的旋转机构被旋转。每个均安装有基板的多...

第一单晶碳化硅衬底(11)的第一顶点(P1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二顶点(P2)彼此邻接，使得第一单晶碳化硅衬底(11)的第一边(S?1)和第二单晶碳化硅衬底(12)的第二边(S2)对准。另外，第一边(S?1)的至少一部分和第...