专利查询
首页
专利评估
登录
注册
住友电气工业株式会社专利技术
住友电气工业株式会社共有5332项专利
光接收元件、光学传感器装置以及用于制造光接收元件的方法制造方法及图纸
本发明提供一种光接收元件等,其中能够在II型多量子阱(MQW)结构中防止短波长侧的响应度降低,同时总体提高响应度。该光接收元件特征在于,该光接收元件设置有II型MQW的光接收层(3),具有像素P,并位于衬底1上,该光接收层(3)形成在由...
碳化硅半导体器件及其制造方法技术
缓冲层(31)设置在衬底(30)上,由包含杂质的碳化硅制成,并且具有大于1μm且小于7μm的厚度。漂移层(32)设置在缓冲层(31)上,并且由具有比缓冲层(31)的杂质浓度小的杂质浓度的碳化硅制成。以此方式,能够提供一种包括具有所期望的...
制造碳化硅半导体器件的方法和装置制造方法及图纸
本发明提供了一种制造碳化硅半导体器件(200)的方法,该方法包括:制备包括第一表面(100a)的碳化硅半导体(100)的步骤,该第一表面(100a)至少部分地注入有杂质;通过使用含有氢气的气体对碳化硅半导体(100)的第一表面(100a...
外延晶片、光接收元件、光学传感器装置及用于制造外延晶片和光接收元件的方法制造方法及图纸
本发明提供一种包含含锑层,能够以减少导致良率大幅下降的凸状表面缺陷而被有效率地生产,并且能够抑制导致性能降低的杂质污染的外延晶片、光电二极管等。该生产方法特征在于其包括全金属有机气相沉积方法在衬底(1)上生长含锑层(Sb)的步骤;以及在...
电抗器和制造电抗器的方法技术
本发明公开了一种电抗器,设置有:线圈、芯体以及收纳线圈和芯体的壳体,所述芯体包括设置在线圈内部的内侧芯部、以及覆盖线圈外部的外侧芯部。外侧芯部由磁性材料和树脂的混合物形成。设置所述线圈使得该线圈的轴向大体上与壳体的底面平行。与所述外侧芯...
定影带制造技术
本发明提供了一种定影带,该定影带在防止发生沾污等方面具有良好的效果,并且能够形成清晰的图像,该定影带在表面层和其它层之间具有高粘附性,并且在外观方面没有问题。所述定影带包括:管状基材;设置为最外层并且由氟树脂A构成的表面层;和设置为与所...
具有与光学插座电隔离的器件单元的光学组件制造技术
本发明公开一种具有与光学插座电隔离的器件单元的光学组件,该光学组件可以改善光学器件与外部光纤之间的光耦合效率。该光学组件包括光学插座和器件单元,器件单元仅借助插针而组装到光学插座上,同时形成使光学插座与器件单元隔开的间隙。该间隙被绝缘树...
光纤的制造方法技术
本发明提供一种光纤的制造方法,其可以将在拉丝工序中拉丝得到的光纤卷绕在大型线轴上,适当地去除异常部,分割而卷绕在小型线轴上。该光纤的制造方法,在将在拉丝工序中拉丝的光纤G2卷绕在大型线轴上的第1卷绕工序后,进行分割而卷绕在小型线轴上的第...
放大器装置、信号处理装置、无线电通信装置、连接器安装结构及同轴连接器制造方法及图纸
提供一种减小用于漏极调制的电源电压的延迟或失真的放大器装置和信号处理装置。放大器装置(10)是执行漏极调制的放大器装置,且包括:印刷电路板(400),其具有彼此面对的第一主表面(401a)和第二主表面(401b);放大器电路(100),...
制造半导体器件的方法技术
一种制造MOSFET(100)的方法,该包括以下步骤:制备碳化硅衬底(1),在该碳化硅衬底(1)上形成有源层(7),在该有源层(7)上形成栅极氧化物膜(91),在该栅极氧化物膜(91)上形成栅电极(93),在该有源层(7)上形成源极接触...
半导体器件及其制造方法技术
一种MOSFET(1),配备有碳化硅衬底(10)、活性层(20)、栅氧化物膜(30)以及栅电极(40)。活性层(20)包括主体区(22),当对栅电极(40)施加电压时在接触栅氧化物膜(30)的区域形成反型层(29)。主体区具有:低浓度区...
碳化硅半导体器件制造技术
提供了一种碳化硅半导体器件,其具有比常规碳化硅半导体器件更低的导通电阻和更高的击穿电压。根据本发明的JFET(10)包括:n型衬底(11)、p型层(2,12)、n型层(13)、源极区(15)、漏极区(17)和栅极区(16)。n型衬底(1...
办公自动化设备用辊的制造方法和办公自动化设备用辊技术
本发明提供了一种制造办公自动化(OA)设备用辊的方法和OA设备用辊,该辊能够实现打印速度的增加并具有良好的脱模性。所述辊包括直接地或隔着中间层而设置在管状基材的外周面上的氟树脂层,所述方法包括以下步骤:制备四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚...
放大器装置、包括放大器装置的无线电发送装置、和调整放大器装置的增益的方法制造方法及图纸
本发明的目标在于提供一种放大器装置(1),其中,即使返回模拟电路(4)的增益波动,增益的波动也可以被校正,使得能够通过DPD(20)来准确地执行失真补偿处理。本发明涉及放大器装置(1),其包括放大器(11)和执行放大器(11)的失真补偿...
Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法技术
本发明提供一种在六方晶系第III族氮化物的半极性面上,具有可实现低阈值电流的激光谐振器的第III族氮化物半导体激光元件、及稳定制作该第III族氮化物半导体激光元件的方法。在位于第III族氮化物半导体激光元件(11)的阳极侧的第一面(13...
具有增强的电磁干扰耐受性的光收发器制造技术
本发明公开一种光收发器,其减少了从该光收发器泄漏的EMI辐射。该光收发器包括形成腔体的顶盖和底座,TOSA、ROSA和电路设置在该腔体中。顶盖的后部设置有梳状结构,其中,梳状结构具有多个齿,齿之间的距离优选地小于所要减少的噪声波长的四分...
金属叠层结构及其制造方法技术
公开了一种金属叠层结构(100),其中,包含钨的第一金属层(1)设置在包含铜的第二金属层(2)的第一表面(2a)上,并且包含钨的第三金属层(3)设置在第二金属层(2)的与第一表面(2a)相反的第二表面(2b)上,并且第一金属层(1)包含...
用于船舶的压载水处理装置及处理方法制造方法及图纸
本发明提供用于船舶的压载水处理装置及方法,压载水处理装置能够被安装在船舶上并且将从船舶排放的压载水或装载在船舶中的压载水中的微生物有效地杀灭或灭活。压载水处理装置包括:过滤器(1),其设置为围绕轴线的圆筒且设置为可绕着轴线旋转;被处理水...
光接收器装置制造方法及图纸
本发明提供了一种光接收器装置,其包括:光接收元件,其具有第一电极和第二电极,第一电极作为输出电极,第二电极耦接到不同于地电位的电位;放大器装置,其上表面上具有放大器元件、连接端子,连接端子包括信号电极和接地电极;第一导体,其将光接收元件...
多层同轴电缆束及其制造方法技术
本发明提供一种多层同轴电缆束及其制造方法,其可以顺利且良好地进行连接作业,可以可靠地防止移动、运输、保管时的排线间距混乱。多层同轴电缆束是将多根同轴电缆(21)分为多个组,以各组为单位平面状地排列而形成扁平电缆单元(12),使多个扁平电...
首页
<<
171
172
173
174
175
176
177
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
133944
珠海格力电器股份有限公司
99092
中国石油化工股份有限公司
87105
浙江大学
81098
三星电子株式会社
68155
中兴通讯股份有限公司
67282
国家电网公司
59735
清华大学
56382
腾讯科技深圳有限公司
54182
华南理工大学
51642
最新更新发明人
万华化学集团股份有限公司
6366
西南科技大学
7035
洛阳郑大物联科技有限公司
28
山东鼎梁消防科技有限公司
98
软银股份有限公司
58
北京小米移动软件有限公司
34741
苏州未来电器股份有限公司
213
中南大学
33203
重庆市教育信息技术与装备中心
1
国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
1794